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[問題求助] mos的導通電阻要如何求得?

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1#
發表於 2008-4-21 14:07:00 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位前輩~8 R$ U# ~: R2 \8 ^# ^3 R

$ w, b+ B' N3 ]我想請問一下∼mos的導通電組要如何計算?1 |% P( C0 c# h1 P4 S' o2 g
, P- j( ]8 c* b5 }) C( d
我有看到之前其他人的發問~但我不清楚vin-vout/i是什意思?
3 x# [; f4 g! L( V, ?$ L' f
- p. P- V8 F2 |% ]' O' ]因為一個mos的vin,vout分別是指gate,drain嗎?
+ C. y. \7 y) |, b  w" c1 P7 S! M, `
( U0 L1 G1 c0 n1 P3 W5 aprint指令是要如何下呢?
- C# N) b4 i8 ~8 [1 A: l/ Y( ?; S, k5 x
麻煩各位前輩幫幫忙?
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2#
發表於 2008-4-21 17:45:08 | 只看該作者
一般,当mos工作在线性区时,我们可以利用它做成模拟开关 此时的vin,vout 应该为Vs OR Vd  ?( D" [' G5 y6 B1 P
在Hspice中也可以利用 Expresion来做
8 d1 \8 o  t6 J我也还在探索中,如果有正确的 请大家指出来
3#
發表於 2008-4-21 23:27:15 | 只看該作者
舉個例來說吧
  r7 [2 I* N, @5 z假若是用P-type的power mosfet6 c6 m" I4 }& q1 X, J* H
那麼,Vin是接到Source,而Vout就是接到Drain,反之對NMOS則相反0 M1 q* X6 e# p9 r6 W! o1 w" _. [
如果這顆PMOS取作MP15 i" D/ d9 M3 {* I( z
則,要計算它的Ron電阻$ k" I2 o7 g# Q# W; m1 H( K; r1 J! I
.print PAR('(v(source)-v(drain))/abs(i(mp1))')# v  V" Q" w# p( `% d
這些指令,在SPICE使用手冊都有,查一下就會知道了

評分

參與人數 2 +6 收起 理由
skiptoo + 3 Good answer!
yhchang + 3 Good answer!

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4#
 樓主| 發表於 2008-4-22 11:34:26 | 只看該作者
謝謝finster的解答~我已經順利解決了這個問題~非常感謝~
5#
發表於 2008-4-22 22:58:45 | 只看該作者
請教averyer是如何解決這個問題的 如果按照版主的.print PAR('(v(source)-v(drain))/abs(i(mp1))') 這個指令去求導通電阻的波形的話,電流毛刺出現的地方可能會使電阻圖形發生突變,這時應該怎么辦呢? 我的方法是先求出電流的平均值,再用 vin-vout/i 這個公式,不知是否正確
6#
發表於 2008-4-24 01:41:39 | 只看該作者
原帖由 jerboa123456 於 2008-4-22 10:58 PM 發表 : d- Z7 C  D" B# [& o/ f+ Y+ l
請教averyer是如何解決這個問題的 如果按照版主的.print PAR('(v(source)-v(drain))/abs(i(mp1))') 這個指令去求導通電阻的波形的話,電流毛刺出現的地方可能會使電阻圖形發生突變,這時應該怎么辦呢? 我的方法是先 ...
% y+ |! x3 r0 b4 b& [7 f  T: m8 O6 ~
" R, t3 O9 K3 j
: ?8 k% z& l# y  ~" W( @- a
使用.print PAR的這種方式,比較適合用在.dc的方式來看Ron的值
; J2 t1 s) H8 n8 l; \* }如果你想避掉電流毛刺出現的問題,建議你改用.measure的方式會比較適合,同時,改用.tran的方式來作模擬
; E  H- Q2 b+ G; G# `$ Y5 _理論方式一樣,利用V=IR來計算出Ron電阻值,不過,此時所計算出來的電阻值會是只有Gate電壓時的電阻值,而不像.print PAR那種方式,可以看到掃Gate電壓所看到的各種Ron電阻值的分佈
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