mos的導通電阻要如何求得?

averyer

各位前輩~

6 c$ ^% z; P5 V; Q+ ~+ \我想請問一下∼mos的導通電組要如何計算?

我有看到之前其他人的發問~但我不清楚vin-vout/i是什意思?

" m4 ~8 M  R: W& \' D0 t2 {因為一個mos的vin,vout分別是指gate,drain嗎?
9 U" ]/ t0 l" Y* e' @9 W
print指令是要如何下呢?
8 r* V" a+ }5 S# }- R
麻煩各位前輩幫幫忙?

skiptoo

一般，当mos工作在线性区时，我们可以利用它做成模拟开关 此时的vin,vout 应该为Vs OR Vd
* ]) f3 w: k, m& }8 M- K在Hspice中也可以利用 Expresion来做
/ m! U% g  v1 \# D3 {! }' [" i" b我也还在探索中，如果有正确的 请大家指出来

finster

舉個例來說吧
# w1 @- f4 B4 L" N$ W+ T假若是用P-type的power mosfet
! l$ O) ~0 z+ U1 K' \+ J那麼,Vin是接到Source,而Vout就是接到Drain,反之對NMOS則相反
- @/ V& j% {' M& `- A) [! \如果這顆PMOS取作MP1
則,要計算它的Ron電阻
! @! q8 N1 o$ n, K.print PAR('(v(source)-v(drain))/abs(i(mp1))')
$ s& M6 s/ l; A: y% h5 P這些指令,在SPICE使用手冊都有,查一下就會知道了

averyer

謝謝finster的解答~我已經順利解決了這個問題~非常感謝~

jerboa123456

請教averyer是如何解決這個問題的 如果按照版主的.print PAR('(v(source)-v(drain))/abs(i(mp1))') 這個指令去求導通電阻的波形的話，電流毛刺出現的地方可能會使電阻圖形發生突變，這時應該怎么辦呢？ 我的方法是先求出電流的平均值，再用 vin-vout/i 這個公式，不知是否正確

finster

原帖由 jerboa123456 於 2008-4-22 10:58 PM 發表
; @8 n' E. ]0 K4 L; C請教averyer是如何解決這個問題的 如果按照版主的.print PAR('(v(source)-v(drain))/abs(i(mp1))') 這個指令去求導通電阻的波形的話，電流毛刺出現的地方可能會使電阻圖形發生突變，這時應該怎么辦呢？ 我的方法是先 ...

8 F" a/ S# W; [8 }" ^# N

$ H, T* I5 Y6 s8 v! B3 S使用.print PAR的這種方式,比較適合用在.dc的方式來看Ron的值
如果你想避掉電流毛刺出現的問題,建議你改用.measure的方式會比較適合,同時,改用.tran的方式來作模擬
3 K8 D, e/ d4 g; U$ w$ h- d理論方式一樣,利用V=IR來計算出Ron電阻值,不過,此時所計算出來的電阻值會是只有Gate電壓時的電阻值,而不像.print PAR那種方式,可以看到掃Gate電壓所看到的各種Ron電阻值的分佈