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類比電路設計中,大部份mosfet的size是"嘗試-->失敗-->再嘗試-->再失敗-->....>符合結果"所設計出來的- \7 o$ l% {4 t* v. w- m
當然,所需要的理論基礎和公式推導要一定要作的,但,這些都只是基本必要的( N( O1 A; Z& t0 a. B1 ?
真正在設計電路時,決定mos的size仍然是需要不斷的嘗試與不斷的失敗
, c, t' K+ X8 v- w0 P& ~3 \至於如何決定mos的size,目前並沒有一定的準則,因為每一種製程,每一種類比電路都有不同的需求規格和特性,很難有一定的準則可以套用
. Y8 i& F) l" ?1 u: s3 j$ n絕大部份,都是先自己套入自己第一次預先設想的值,然後跑模擬,再看出來的結果,接著再依據這個樣子的結果和電路理論基礎來決定各個mos的size要如何作調整
2 M8 C' |2 l: D* `( U, L一個經驗老到的類比電路設計工程師,基本上都是靠經驗來縮短決定mos的size的嘗試時間,因為這當中的"嘗試--失敗"要花很多時間,愈有經驗的工程師,很容易找到適合的mos size,因為大部份很模擬出來的結果和waveform大概就可以推論出各個mosfet大概要往那邊調整,同時也大概能夠從waveform找出問題,甚至是自己條列出可能是那邊的mos size不好而導致的原因,這是經驗的累積,同時也是不斷在設計類比電路中所得到的電路理論基礎實現在電路設計上( m/ G' J5 K( v% l }# X e0 |
而這,是從事類比電路設計所必要走的一個過程 |
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