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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)( I4 J; ^+ v) Y$ m/ G) Z" v
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND ?. X' h7 @3 g" s7 ]1 F
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD# l! K1 }3 r/ K, K
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
5 h; _2 Y. ~) J6 K/ c, v. n這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
- B9 ~1 d% T q7 ^2 S/ ~都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
* l9 ~: g& p9 E$ [& ~/ ^* z因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
- c7 c; X7 g$ z( X h5 X最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.5 x, m. z8 L# ^: V' ?" y' V
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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3 }0 R3 ~* T j8 G' [5 C8 a[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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