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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
) c. F9 n/ W; n: j8 q避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
2 _0 |; q3 V, {, J" M& K" ?了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
& }8 z9 }2 Q3 x須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區9 r( v1 s6 N4 z, v, i
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記# _) k- i. @. g4 |7 e7 a9 O
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓  x* G3 ]- P- P0 t
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況, Q6 m4 x4 m4 p( y3 g( v! h
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。0 ?" t/ {* `" _; u, G: g
& M3 E5 B2 N3 p1 H* B/ I! @) c$ y' n6 c
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. ) a9 U9 |6 q2 U( K5 j
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer); l  u& p7 T& \, l3 G6 E  R
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
  B0 H- w; b) J' |2 lPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD! r* h# v  t( B! P- u/ u* C
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
  H. v" b6 t+ K這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊- i* g' g6 S# |3 o/ q
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input - s7 ?' W; N, ]: C# o, R5 P8 \8 ^
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重9 v1 Z9 t* Q) t4 t, s( I
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
+ V' Q. k) Z" n1 ZCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.0 j+ |  i/ Q) W; }2 [

( j7 M% Y$ }9 g6 S$ C0 F[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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