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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer): w+ k# q9 o" t
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
* G m0 U b, f6 DPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
8 d! N/ t, q1 S* F3 y但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
, \- ^# ?) Z6 n+ ^% n; ?% C這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊) ~& `2 A& I" q5 J
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
/ @, u! K6 {5 C, G5 v2 N因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重1 D( R0 k& c+ g3 @6 o7 Y7 [( J! O: `
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.: T; S u. H( a( V4 c' t! p
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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* i* B J; y8 a, v9 ][ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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