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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是9 U) g. a( [; I. m
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
/ b+ W; Q+ {  s$ v- O了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必- l$ t$ f- O/ `4 b! H
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區' t( }7 U$ m" p8 j& M
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記$ u$ [" ^' d6 r' N) z3 ~5 e2 z2 N
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓0 a6 x9 |) W" J! \4 `8 a9 S% C
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況" E6 d/ ?3 r- ^( J5 \, `0 l0 y
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
0 ~; n1 z$ \; X$ I6 t
0 }8 _- E% S9 T4 p$ v2 V如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
0 y! t" `0 P% b0 N都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
% T+ |4 l/ u# P. ~7 a我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
7 x( J& `5 i/ x1 Y* TPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD* d  }" N! A& y% X1 L  w9 o3 f/ d
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
6 t1 a' o. `/ Z9 ?這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
5 y1 x0 W2 h' i0 \  ^% d# B1 D& F都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
- z- ~) V/ W) H8 J3 C/ l: ~因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重; C5 U5 f+ f5 E! \0 O& V
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.8 b- y; V: l, P& U% k6 k0 o
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
: j0 V, }+ u' ?8 U& ^) ?0 t1 y8 D; D1 m9 C/ R  S
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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