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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
- S1 Y2 C$ i9 L5 o2 R我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
* I7 Z0 ^8 ?9 o& A6 b3 CPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD# i* u: ^ h: l# b; B; ~ W: P
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況' C9 }% A2 Z$ `) s' `
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
$ _3 o; @, P1 M9 g6 V7 L( K' n, G都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input " w$ m6 s& L; e% Q' Y2 f# e' r. o
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
: O/ H3 C$ L; w2 t/ a- r" d最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.% R* Z# b( H+ P @6 y6 S% e
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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. {- @7 k8 E% e( @, j1 `[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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