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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
# a! I0 @7 r2 `9 i我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
2 a8 f& d) G/ p- z! v" C- IPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD$ U9 P- O* a* [* t ^3 D
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況* p M" x4 |. g
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
. g) J$ y$ F( l# G$ @都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 8 l) `; o) }' O3 `/ _7 I
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
1 ~3 |" Z5 ^5 |+ f2 R1 y: F最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
" p7 l6 O+ }" I3 e% Y gCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.% M0 N" Z6 S2 I
6 { y, U; @2 p3 y3 Y: O
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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