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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
2 O C1 s! U( {' c' L9 V# Z我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND; a- `1 ?) O: A
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
; v' g4 c9 v$ w* E" d' ?6 e* A但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
# X& u4 ~0 b( V& e- z% P! F9 M這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
+ F; e0 p5 i( \ `+ f都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
( @# ?( P$ X2 j2 h; f. h3 ^8 Y因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
5 Y/ r, d$ Y' l" J" j% m最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
* q1 j5 U }$ i& WCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.2 f! \- @7 v z( t3 e
2 F) C6 i5 P4 a& {& j5 |4 o! Y[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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