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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)% ^3 h4 N' M1 Y$ C/ v
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND/ q! l r- P. r/ R- d! D0 f7 N" A8 `
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
6 _5 B# n5 \! \* V1 I& p6 u2 M但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
6 j4 a8 R$ [# F# _這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
- m( b" Z* c$ F' J% {都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 3 F+ G7 e; r* B/ G4 v
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
d" [; Q8 m3 B9 b# R4 X最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
9 c* p2 k N1 d/ [3 j* B- U" PCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.! ^$ c2 A+ ~+ l
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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