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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
+ G7 F: {; i" S" b. n6 G6 |( }8 ]# l避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
# i# R9 h9 n/ x) }% @! U# |- I了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必7 ~% T; F( W5 }$ H$ X7 c% s
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
, z3 o. Y: A1 ^7 T7 Y0 m才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
4 e2 T/ V3 O$ u0 J+ j錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
0 [  C! K- ]% [, \* [) P不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況: t1 P" x- t% ~0 }9 t
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。2 F4 K; q) d) l( {7 E, B/ l) E

+ e: _& J5 W: G  V) [- b如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. 8 E, ~* F6 N6 q9 m
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
9 O/ ?) S4 h  C* e( L* M5 |2 {% A  B1 [我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND6 m' ^; e* x) r4 @  p. r' j' O. W
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
$ R# g& l( A: ?" |/ c但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
2 A! d, T0 M  M: e1 W" W, C這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
6 x( D& R+ Y+ [+ v* l5 u/ z都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
. h4 [* |& H( M5 ~因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
! W, K. F* i4 ]) ]. E( |: G+ S- ]% l最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
; l% U# K% S4 B1 S, VCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
  i6 a0 Z1 R9 ^$ }6 C" l0 ^1 r; t0 ^2 j1 _1 o0 L, |, a+ i
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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