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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)& [9 ]3 f: l% V- s( o
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
- Z7 }% h6 z1 Z" j% H1 pPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD2 u* J" u$ g" U, H3 ^# U
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
: S8 @; k9 V$ E2 V- `7 B0 Z這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
8 O- h# E. [0 c J3 n5 c都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
6 t/ ]1 r: Q6 C0 l' m: A因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
! m' J+ W+ |, ]5 a1 l& u( A7 }/ O0 g最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
4 x& A& t2 |' D' K& c9 ACascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.$ D) N! X5 `8 i" G: v6 H1 _
* ~7 J1 ]1 G$ @ L6 `
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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