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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
; a7 S) s" S: M: Y8 \. y4 `6 R避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難- s9 X1 [: U8 \
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必6 ]. b. |& N2 z$ b& b- j
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區& X& Z, K& j, K# |. i' N* R
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記, z  d1 |0 ~; e( O+ E: e
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
6 @, t* v' U' q不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
+ z2 }( ~# _2 {7 T% B! S% z7 b. d下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
, U' B: ]6 J; x- p- F9 Y/ ?9 Y+ v* m/ S3 b7 H* U9 G- K( h
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
/ W8 k( v0 D+ m& H都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)7 t; N! d3 A6 P) o: X! @! I
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND' S7 `: E6 x7 p' C) T
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
! u0 ~) s4 `1 |+ I8 d, J" ~但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況) \6 B& [# r6 f' D8 w
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊5 `. o) p0 q: ?6 A
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
% J4 j# W# ~  U5 f4 j! w因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
7 L) J6 |. q6 J- o最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢./ I( A( Z9 m# L) z4 i; |4 K
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.* S1 p- P0 j) C  W5 p: N6 \6 @' n; O
1 \2 R; e' r+ b" s$ @# K9 Y
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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