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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
9 P* {& J1 ]% D( I: S避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難2 _  `& v' p) ~2 b& q
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
1 ?2 Z! [6 E: B# A% f須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區2 f1 _% Z( y: k8 ~2 b* f; E4 b
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記* i* D6 `3 `- p- s  P& w, }& A2 n4 D4 Q
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓  |. y* P1 C7 K: m/ H
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況7 f( y; u% s) \; o! e- W
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。3 ~9 Q. }, P! O1 [6 b

  i3 l" E' L: }: N8 R如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
- x" F; w0 W2 t+ c都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
  J5 E9 A* @# \6 J; n. A4 m我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND) C/ W$ q  r4 p. e
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD( N* e1 B, M9 S: O. `6 n) H
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
6 u* }) K( B5 }8 \  w這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊" b7 a1 Q/ x9 Q8 g9 n
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
3 o7 }  J* c8 @2 Y9 s: ~( K因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重# K/ o) `  J. Y1 @5 u- b4 J! s7 B
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
/ E3 y* ]% _- S6 y" lCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.$ P/ t/ H* _( m0 V  g+ ^, I) w

; S! e2 |/ d: t9 r2 g[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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