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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
' G8 c+ b' A! D# J4 ~我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
# R: h' `, n1 l; K& D$ E# a- ePMOS 就是 source與bulk要接到 VDD# z7 F! f% s0 g r$ W3 r* H* d5 ]+ v
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
) [2 v7 h. p# R1 M) }; N這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
- E% i$ J1 A( r5 n: ]) r都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input - T1 r2 @3 ?1 y6 R2 b
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重" ^5 g- o. y( n+ K* o4 c
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
: G1 \$ M5 c# T& W3 _: r( VCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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W; l! E' ]4 R. ~/ C. y6 p[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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