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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
" x4 W9 X' r2 C% \. ~, n9 A我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND/ _4 m2 _3 ~) V& t& a3 {0 y
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD! e4 V! I \% R! W
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
% ` i7 ]" K* A, L% H. T$ D這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
9 v: _0 x, t+ J; R( \: A) J* {都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
: F8 P7 E" r& M- d; K因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
I4 }% y( f$ k# v4 O' @最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
0 ?+ ~3 f7 P! e0 ICascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.& q# i( K. v# X( H/ m3 p+ _
5 w. g, B5 D8 A* o4 x' R" v2 P/ g[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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