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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是# R2 r) v5 {* E; i( n3 ^/ j
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難: _3 `2 Q+ n3 q/ c
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必. ^% U% n; x9 Y  D
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區- k- B# j% U  X/ a1 X1 D. K
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記* B- e9 ^4 {& h  Q" I% p8 f7 F8 `& e
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
) }, L8 s# s: ^( r2 `9 x8 V/ n0 c4 U不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
$ v1 W, a" G+ y: e下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。4 B5 }4 h1 @& w" ?1 e+ c, n

2 {7 X$ ]0 S, L4 N如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. . p- g' R7 f' a* z
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer); N$ n2 q/ z/ [0 N/ E2 s8 l2 C
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND4 S% F3 p# ~% p# p) R3 O
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
( R/ o- ^7 e- _8 r' s3 V  ^但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
% y) S. V" t5 p! p這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
; J; _8 S' u) s& R3 e3 ]8 H都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input * T3 c' L! N' t$ T/ Z
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重1 V  H! ?% \# m" O9 `
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.& g2 ?$ D( I' d( H
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing./ G. x( x: j3 n/ a+ c' ^
: a, ~0 v) U4 S0 c: v4 h( q
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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