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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
+ j) ?8 ] Y8 S6 A我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND. p5 _# Z9 O/ h, j$ X7 {6 Z
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
1 I' ^2 ~+ b- a5 k U1 N$ a0 f9 e- M但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
/ L; _& N/ @) h2 c5 A這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
8 x0 o0 ~ h) P8 `. d+ t都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
: s& i) C, K' P( U$ N因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
' Y7 |# l9 r) @* y最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.( E, ^0 k' d. O _. O
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.* k) N$ w" F8 d" b7 Y a+ k/ |$ Q1 E
' @; n9 R9 w+ _4 Q; t[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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