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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)3 s! P( r1 \, C
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND, |- _4 H6 L# c! L m
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
3 K) E$ |& D0 m: A8 U9 I但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
0 ~- Q/ p5 a2 ?. U0 v這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
0 z) V/ A& F, K9 I都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
+ v2 D5 B( O# W* S0 N& L/ v! {0 C" P' I因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
1 p% o9 ~. I n5 P" s1 Y. V, C最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
; C, c2 N8 Q9 w$ K$ gCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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