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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)3 M+ f9 Z% W: h7 \- y
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
3 D4 q+ c/ S( _7 F1 SPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD6 E. |5 J) ]& h6 H3 k
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
9 \1 a$ d* y w9 e6 U v這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊: v; _7 j' h+ S# L
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 5 e. y$ p1 ~6 J7 }/ L2 B
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
( t9 J0 b9 l9 T4 {) z: t最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
% x3 H T2 u1 F, ZCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
4 Y, x! z# M9 b3 n- U3 B5 A
. Y- [* Y1 q* X& H[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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