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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer), _- n J; y% C3 |& v9 n. a4 r$ g1 A6 Z0 [
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
9 o( D' f& w& g' v2 ]PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD) U z$ L. ^9 y* V% ?! n" {: ]7 q" Z
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
: E" {0 c h/ l4 [這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊0 X( |0 ^8 B: u: {! R
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input # P7 k& K7 W$ h i) \
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重, s1 _. D) [" U7 P$ z5 X1 C, Y
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
% v! m# e3 s+ gCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
1 S! i$ O) D% j4 Y7 O) |% n; F/ B$ T% \& B( @& r* w
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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