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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
) Q/ s1 I$ k' i5 R/ w6 W G我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
. |3 V) O+ m1 Z$ m2 S) ~0 JPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD3 X ^9 l% F' ]: c! m1 h
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
& T ?) e: C0 r) L- j- \* ]1 ^這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊- c X( a: \, H$ N) V0 ?
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input k! J* h- O: U, I* O$ u/ c
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重4 [' C$ N+ k! k
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
( p/ V c: [, v, d8 Y" f& @Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
+ K. z8 m! u/ P; F/ Z( ]( j7 o1 L. P% C# H" U b- p& j4 v: ^) F
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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