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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)* J; F" p2 F! e. X4 B
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND. o2 I9 k; }( Y, O# d* N; c, Y* U
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
6 s/ }! X7 s7 N. r }) X但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況9 k; G7 C6 \2 ?
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
, O$ ~' Z$ j: C0 E都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
/ R3 L/ R6 G9 M, `因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
: y7 c6 |9 G' \* ]; d. I# S! F最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
! N( [$ D" j* @ g' LCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
8 \6 q( {3 Z6 A$ o3 Q" u; I6 m2 x( h
( _: X5 M% ^: g[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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