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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)+ A u8 U. i* s) n2 r/ t
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND; N% ?3 x0 T& J9 j
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD' J( P( _ x+ q
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況& H/ e9 E. k0 J) I" U3 f+ d" z" f2 n
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊6 @& T- j6 u# b* ]
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
! D3 Q9 l- ~7 x+ B# u, b因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
4 G, Y% J* S: u0 o" H最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢." }8 i. \0 B, P# P/ b
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing./ x/ \* l# F$ u) J+ g
3 u$ L8 B) u: ], \% k4 ]
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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