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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
% L8 u$ }' T9 l/ t我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND3 O- U! t6 N; r( Q" H, v! M
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
5 r( n3 a$ \- ^# J4 p! g但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
' D+ [$ P6 T/ B; [) w! I8 \8 b這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊8 @! [5 _( E7 X8 _ f# i; j0 O
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
; i& u* T; t+ c8 t4 U6 H6 _因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重; r5 X5 X6 v% G2 G6 f
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
) u! D7 h5 D7 |5 {% b: ^9 V; @Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.7 U0 p) \7 V/ `2 |# N" R
, d' E% e. e+ Z; Y# X# S( S[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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