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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
4 v# |: ^0 L9 X, Q( u避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難8 t, {1 |6 j; X; u# R. d0 U* U" X+ R
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必1 Y- a, _$ S6 N
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區4 P5 s& N& t. X; u
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
6 H/ t$ e. [! M0 F. v0 J錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓6 }; e8 Y! @- H! ?( n+ S9 [
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
' P9 R  j$ A& C, }+ K* c下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
. Z; f, X& |) B/ S
- P8 p  ?9 P1 u0 }! w" ?如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
. h% d0 [; [( u4 J; D& z2 F都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer): o! A6 R: u. v' a. J. h
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
5 A, Y5 G4 t  r  ZPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
+ n5 \# V5 z) o5 a但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
. D% f6 M; g9 n) ]4 [2 Z這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
$ z' W' a# W1 `6 p- Z& S6 n. a/ P都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input / c( N! [! [4 b7 d& J" e
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
) A- X, }* J' |% C) N) V/ m- e最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.  C, j. H  v+ Y* ^0 z+ Y5 c
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
9 F- M) x  z5 f& Y6 J
! }: ~6 h: G2 A3 E( G" n[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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