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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
/ \! h% V: l4 B* ]避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
& |7 D5 A, g; N" D/ A" ~* ?! {/ P了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必& G" j6 u9 O% Y6 j2 I3 d
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
9 \# W8 z/ k+ Y8 g9 ]5 p, }3 q才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記* l0 r6 W- e: h3 a8 d
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓8 x7 `- }; b% k
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
, O  Y7 R2 g; ?. j下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。. T" ?% [3 U* l5 V" p
8 Y- {' O+ k9 G- d" m& _6 p4 @( b; X& H
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. % O/ J6 ^, a0 ~& Z0 H/ L5 b- T4 t: U
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)# U* i( o4 ^% A+ [& T' A2 q" P
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND; E; ^& K) h4 N$ _
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD" n; [: w! C* ~" H
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
0 m" p5 _* d' L  ^  P4 B" L這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
, k: r: s4 t9 E+ }( X+ ]都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input , \! r! ?, r% P
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
+ @0 o2 n) ]6 x9 M  X: s最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.( b# w- r; f. O4 J
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
' a) G4 X! c& ~) K5 k' V) o- b$ s6 Q, _! [# d" u. k2 C9 y
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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