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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)9 s, v7 K7 G: C H! Y
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND9 K3 Q' C) Y7 j: Z
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD8 O7 X+ c/ T8 n: `/ m6 b
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
- U$ t1 G2 i* ]' J這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
4 {% p8 W7 n; Q2 F9 P& C a U4 c都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
8 H% h! e' |% \8 i5 l因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重. z k+ j$ B e1 i, Z
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
/ ]+ Q9 u- i; M/ {; b5 O+ g, X8 kCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
+ m7 y, y8 M3 Q$ o* d( r+ R% B8 R4 A0 m2 T6 b& ?# C1 E3 x
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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