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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是; O3 J- g1 P# |
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
& _- }% h( f9 r了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
* m! ?6 B' n- E; Y  R7 ^# b5 c須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區# a* b8 D: [" P# M; H
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記8 U( e5 ?2 Z5 o. a! ?' e
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓# M! I' C; K0 V, ]0 Z! B5 `( U
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
8 m5 x) ]7 [( R+ m* e下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
0 x- [; a. m& Q( ?/ u  K2 L3 {+ K$ \1 c
0 q/ Z* I7 ?" j) s1 l: w. Q如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
% i2 [5 P4 [" n$ r& g: t) N2 S; x都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)- Y' P0 f. _$ G3 l& f( t9 ^
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND9 H1 |2 f! W' \  u
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD# Z4 D) U) D: s$ r
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
/ {- w. r! K, |3 M2 z5 e- W這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊$ R& m1 H* t5 F9 R7 W
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input $ ]% D3 M5 `6 O4 o
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
9 I, q$ }$ `4 N  j最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
! r" `! |4 y! e6 D* E" }Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.) _: U2 U, p) P9 P3 v+ x
7 g, ?  o& v! X* g$ U3 ^
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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