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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)) c# _! H$ Z. l+ A0 d" v
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND/ A# W f$ v' M/ q
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD1 V/ S8 N. V" X# k" E9 S
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況+ M/ d$ }8 N! t7 \6 ^" P
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊3 x8 P4 G3 s7 `$ ]
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 1 D/ m4 L; v" W1 D& K4 K
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
% {6 v( J% [, ]5 \2 O最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.$ b0 Q2 O- G6 E9 d/ h" @+ @
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
# d @" B6 g: T+ z2 j& }' C; g: J# q6 |' \4 D
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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