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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
" i; [1 `6 }/ ~5 _8 l2 K. [我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND6 G( x* V6 k" K
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD7 z, K& y* N3 P% z- R
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況/ ]! v8 E" X" o
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊5 j- Q" ]/ p- ]1 ^8 V# h0 A
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
. H$ {! @+ f$ H% c% u因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重, a9 `2 ?% m' v! X+ \
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
# l8 ^9 X$ [ r- K. U; c' H9 m+ NCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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0 l9 j% Q% V) G$ g- E) G[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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