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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
0 \8 N$ x( H0 ^2 o5 q1 u" Z" J我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND5 D8 R; U- F: m4 t7 c( h
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD8 |! `* F; A; {$ E
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
" L# T4 \, u/ V3 }這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
) v! t4 d& J. y都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
: g. `$ y. F: L+ e; T6 I, A& B因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
/ q7 c4 W# u& x7 ~6 x K0 ]最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢., f Q0 e& N, \+ V( F* i
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.! U6 h* S1 k! {5 c0 Y9 L
3 U/ i1 f1 z8 `. k- l8 `[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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