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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
6 w, q2 n& m5 L9 j1 [2 Z2 C避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
/ T1 N. E9 Y4 }( d了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必$ v1 \; p4 A* |
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
1 @0 p3 D# ~  o; S才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
' I% Y( V( R4 X# T" d錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓! Q1 ^9 b9 ]" I2 K: x
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
) d; n/ C6 Q" M5 S9 }3 I! `下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。" x: Y# v- \  S% Q

9 O7 z  F" Y5 [8 R  R5 Y如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
6 u/ o5 s) ^6 K- p  B都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer), _- n  J; y% C3 |& v9 n. a4 r$ g1 A6 Z0 [
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
9 o( D' f& w& g' v2 ]PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD) U  z$ L. ^9 y* V% ?! n" {: ]7 q" Z
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
: E" {0 c  h/ l4 [這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊0 X( |0 ^8 B: u: {! R
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input # P7 k& K7 W$ h  i) \
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重, s1 _. D) [" U7 P$ z5 X1 C, Y
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
% v! m# e3 s+ gCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
1 S! i$ O) D% j4 Y7 O) |% n; F/ B$ T% \& B( @& r* w
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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