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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
' u6 X# d$ Y& v1 d8 C) L4 s我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND# }) Y: o0 G1 E; B; f
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD+ [( r' P$ ]3 M
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況# X% @; D- ?) G1 P8 H9 O, A- l
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊# K& f- g1 k7 c5 d
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
0 l; N% s. Z! C# v& @. z7 o$ Z因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
# G: G. b4 w% m. X2 Q最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
6 E/ I+ Y5 z* c- ?6 OCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
( Y0 e: H% V- n- P0 z/ L* M8 T9 F E E
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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