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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer). N3 ?) V: I+ d7 [) p( R F
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND/ F' [0 e. B* N# f* _5 o3 v+ K
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
2 U8 p4 O- O: M/ J1 `但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
% r( z( g) `$ U9 K+ f) H: g2 a! m這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊% T$ e/ S0 ?* ~; d5 b, n m& h0 k2 U5 D
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input ! o/ s& U! ]1 m ]1 S
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重$ `; j2 X, Y% ]8 P
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
& p1 d: `' F2 b% OCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
. B7 q/ H# J+ r3 K3 P
9 _7 `% F, O) f1 _& E5 H! x; i[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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