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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是+ W- B* A# F6 `/ [. P% W8 A
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
0 l# t" q( M3 J% B% Q- z! I3 |了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
5 {+ L% `' x* t5 o7 c( ~須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區$ k4 |& D* ?3 O$ r' ^
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記% c0 j, @, I# r; e: L
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓, V+ t6 ]4 ^0 w, k6 V" L
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
" P$ d) C) s' ?2 W下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。3 H1 x8 |! \& ^& i
/ R7 f% K3 e1 Q1 n+ Z7 K
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
7 N, X8 k  G0 s都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
, r# K/ W$ o1 ?. T3 Q9 l我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND/ t+ k! g$ \/ c- a9 i% L- ^
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
: p+ ?, Y! j3 c$ z但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況( F; N$ q+ f: @& B: x
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
9 I9 X* e8 Y( m" C/ o都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
; Q3 r+ B$ ^' z) E% H8 e因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重( |; B( A# V  C$ A
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.: D& |4 Q2 Y  b& r6 r( Z! z
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
9 _7 {+ ~% d7 e6 k& f1 Z
* F" Z/ y' }8 r: U6 U" C9 l[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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