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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)5 H8 C$ c$ G: h" g
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
: Z# j1 M G. @ U- H/ Y1 N5 lPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD, c; c% X4 L2 x( I, I( `3 h
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況1 g& |9 c$ ?% X& @6 F& q+ |3 p5 L
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
# |0 l5 B$ n5 b" R都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 8 i4 ^9 J+ T5 H6 Q% h
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重6 c$ r: W4 A2 w0 i, I
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
/ I' D Q. z( n5 j' N Y% T% Q$ m# SCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing." v( n+ M, k5 S% `# ]8 L
- l# f* p0 U4 c) q' s[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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