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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
( h2 F& {0 f, F: k我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
2 P: }+ a) g, n& `) }. HPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
. ?5 T" U2 r/ @1 A但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況" _( L. B+ s% \) y' J
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
9 N; a/ {3 ^9 t7 ?/ e. a: k0 R都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
S) P7 D5 n" Y6 I& u8 P因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重* ]4 ~* |- a$ _8 o$ V' R4 L
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
1 v) y z r _! ?6 C5 dCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.* b/ S& u! y& `; g- b6 z0 R
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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