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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)+ ]2 |8 m T# `2 t
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
* }( j: H$ {! A2 A1 F$ Y. DPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD$ Z/ `; c2 {, m4 V7 A
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
- l3 y# ^+ F0 o' y' |) q S這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊& G4 Z! z' A, M. e7 k! X4 o
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 9 R! e: Y, |1 x$ v
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重2 e! T$ N8 A3 b0 \. R& i
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.( i7 E9 v9 V J# X1 D
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.3 }; T7 U/ l& I" P2 W8 k
- f0 ~# {6 ^4 o ]9 t6 @- q[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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