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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
5 W2 _ n3 |; ]& f9 X2 e. C我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
+ y$ |, ~% {( _( v+ S" a& O% u: C! LPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
/ _6 m1 @6 l7 e, c2 b- } D" h但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
0 E0 Q) i# O$ p. a! J" t這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊! b& @' y: M: J
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 4 P8 M. B' X! }' M% x( G. R5 n
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
( K3 C9 D5 Y/ t/ v0 O) m4 W最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
4 n+ L0 J+ f2 Y& c wCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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3 P2 m2 j6 [8 M- s# [[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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