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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)1 t; t1 C( Z9 W/ I5 R4 G$ d
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
& V7 r/ |2 v0 ]" h9 L+ Z! gPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
! f" a J* I. g4 b+ k& c但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況/ ?( C. i. U, c
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊, _: n# b! J% H
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input # ~" ~" U/ A" }* M% Q! j( T/ W
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重& F" @( q3 s0 d, z0 ?2 g
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.. k# R% r0 F/ e$ g
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
+ s: F* H0 X5 w" l9 N1 {; a0 u% F0 G9 E
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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