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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)* B+ f! u; I: B/ o* {
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
; u e8 l) ^1 X0 u V# S, KPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
6 R4 Q$ h' v2 i9 ~, M/ S. O但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
3 g3 ~! \. L$ f* l% E( G7 T S7 \這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊$ n9 e3 M0 y; b2 Z$ J' R8 J
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input ; B o6 L% N3 b, {: [6 ^
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
8 _; l' T0 U; Y( g0 K B+ b5 _" j最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
7 s" |( |0 i9 s+ X, s! u \Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.+ o; l- z# c4 i4 {8 a( J
6 u1 W5 N! K8 p8 Q[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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