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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是8 q9 `/ m& w( @; U! P5 d4 Q
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
) M9 R7 K" p$ I' z# L$ }了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
" G" k  s" I0 Y- m6 g須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區0 {" j; }5 _' k# L# e. C
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記3 }6 K+ }0 F# c0 k5 y
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓( `" }" w  x1 k2 b$ I: W: k$ v
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
0 h2 ]" E- n& i9 f  _- p8 w下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
: V5 N- A# A( n! j
0 @3 A. Q) ~/ n8 x如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
- z6 r+ {1 s4 T6 C. o7 I都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
% _3 a7 ~' \& h1 x: n8 w. G* ?我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
4 w% J, U( H! y  {: _PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD) D. m0 N/ k' r. t
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
* ^: f4 ?4 N' Q6 Y7 o' @4 X6 q# z這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊: ]# I" h  `" {3 X
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input 0 B9 Z3 p2 \; S. p+ Y# [% j+ M3 ~
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重( ~7 }. w  J$ Z; Z/ w
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.  f0 W+ ^+ Q0 i/ k
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.( r' Z* n. N% B9 F/ w/ R4 b
1 B0 P( `2 N+ n* {
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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