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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)- C( d( P( G+ Y4 X" n7 S
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND" v* i0 O7 F& ?' g, E
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD$ L* @/ e9 m# Q$ v( x" L1 p
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況& l5 `& l! ?: `5 B b6 C6 P% F
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
" f; S5 y% E ~0 ]0 R( R+ X' _都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
" Z1 s; _" P A$ L- y+ `$ [因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重! P& a2 k: K4 ^4 O0 y
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.( w! T; o) G. r! I, A3 }$ F! Z
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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+ T; l* D( Q( Y+ m- q+ V% m) a7 `[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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