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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是0 e. v7 a& U! A+ {* i
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難5 L6 n) X! I* r  |% l
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
  W: G$ t  M* W) ^/ r4 _3 }須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
: b! p, y' R! T# c( p才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
6 |$ g" V% U. B. t錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
, f+ q+ Q8 p1 v5 M不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
- [1 L; _0 C! B5 B! H5 M: K. z下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
& N" s/ f1 f2 F$ q' }
8 N0 ]9 J0 p; y( D1 T0 P1 {* w如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. ! m1 i- F! f5 b6 A: u& Q
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
$ f3 n7 b! ^2 n$ e/ \7 H# F我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
( ^- u# F6 {* Y9 E6 q4 RPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD* U" n9 p- O  D# K0 G' R' m/ g
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
: i0 J6 Z2 y& m! X; N- g這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊) d* F- T" t3 h$ `( O
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
; G, q- G8 A& s- I) H0 C因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重0 y; r+ t  m9 P( E1 s  ~* e4 d
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
1 ]* f, y! X6 d+ X6 \0 E+ iCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.- C# L; a# i/ \4 T+ i" F9 v1 H
5 G6 @+ y5 S( m# s& @6 B
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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