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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)4 j5 [9 ~4 X% Z, [& a6 [
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
9 F. `8 L( C* B FPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD# o; w. X3 {' c
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況7 a0 _! Z9 i* l+ X2 V4 Y. y
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
& l# z- v) \5 v% Z$ L1 V都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input # K3 {+ c7 p4 s$ V% \
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
" E, f; O' g5 g* Q) X7 U$ h最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
3 Z2 P' L' j% W4 y" m3 QCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing." j, o! C" p+ f4 R5 h
$ M0 h& Q+ z9 R- |+ |3 Y[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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