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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)% H( }% \5 }/ x9 e9 G* t
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
! Q% q; `1 u+ N b* |+ DPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD3 b8 F- {1 ~2 L/ q$ y
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況/ w- A. l& z/ ]8 E$ I3 _- U: ?
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
% O* O V5 W1 }2 U' ?; E) J都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
$ x& C+ u" }. E因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
+ X, m- t, O. G4 s/ \: C3 s% [最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.. }2 D! }3 j, R
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
4 f2 B6 g: A7 }5 v: d$ _& C9 ?7 Y( q0 A1 ]1 ]' ^3 T: e
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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