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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
, r# K/ W$ o1 ?. T3 Q9 l我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND/ t+ k! g$ \/ c- a9 i% L- ^
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
: p+ ?, Y! j3 c$ z但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況( F; N$ q+ f: @& B: x
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
9 I9 X* e8 Y( m" C/ o都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
; Q3 r+ B$ ^' z) E% H8 e因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重( |; B( A# V C$ A
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.: D& |4 Q2 Y b& r6 r( Z! z
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
9 _7 {+ ~% d7 e6 k& f1 Z
* F" Z/ y' }8 r: U6 U" C9 l[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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