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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)% \- ?. Y3 N2 ]" n' K5 w$ h1 o4 u
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND, U3 @' h6 C. Y7 a
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
I5 ~/ ^/ @ D8 u! j( a) i但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
( x& C) }( M3 f4 D" j1 h這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
: R4 S2 |9 p( C3 ~都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
3 }* K* F" e" M+ V, T' F因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
$ q5 ?& m% u$ D/ _/ o" Y1 s最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢. z' O$ b* ]! e3 [1 t- Q( y
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing./ G' q, o/ y% n+ j) l9 J
9 X. ^, P# x3 h4 q. O/ h- l( Q) n
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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