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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)! U; s6 X+ p9 Z1 G" X' J! @
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
! m3 V+ f' [5 b' C6 m V* l3 I. Q. CPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD$ q+ ^0 O* ~5 A9 N" R7 n- A5 F8 K
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況( T3 S9 Y& }2 L, p5 j: G- H
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
" G) N! }, P! h都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
; B3 c2 s4 F3 j7 v- \因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重" B2 r# X+ R! b `* N
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.5 [5 h- ]* Y+ q
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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" n& O- Z( p/ h0 P% t[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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