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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)( _2 c _# R1 x% X
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND- h/ R; @1 R7 D# R: o/ q5 b1 k) j
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD1 H- N7 E) a& y9 S: t' j
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
, t3 E D+ a% }* u這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊% I/ {$ F6 r% H# I5 `
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
6 m$ c+ ~" r2 Q因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重; e" ?- y3 B G/ k1 \% z
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.$ q) ]( P7 w5 r7 ~: _) J
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.6 d9 T$ }- X5 O) O# S0 {. H
0 ~5 g* n2 h$ t: a. |[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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