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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
J5 E9 A* @# \6 J; n. A4 m我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND) C/ W$ q r4 p. e
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD( N* e1 B, M9 S: O. `6 n) H
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
6 u* }) K( B5 }8 \ w這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊" b7 a1 Q/ x9 Q8 g9 n
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
3 o7 } J* c8 @2 Y9 s: ~( K因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重# K/ o) ` J. Y1 @5 u- b4 J! s7 B
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
/ E3 y* ]% _- S6 y" lCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.$ P/ t/ H* _( m0 V g+ ^, I) w
; S! e2 |/ d: t9 r2 g[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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