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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
6 Q! H7 C' i* Q/ J8 h- ]* A我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND. h, Y3 r4 K) U7 @, q0 ~+ c6 w1 a$ {" ?
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
4 n# h0 I3 T& J/ Z但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況0 x1 |* V; d" O
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
$ Z5 Y- C" g3 z( b. D, _都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
3 ^3 ^% J; z: ]; h3 A1 R/ c因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重9 J6 \+ R4 {3 g# R
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
4 }. q4 c( o( P: B$ v' m9 ICascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.) ^3 A" S) z" {) K4 M
# ~1 W' ]; N. {+ R/ b5 f& K3 J[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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