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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer), X1 K' r; Y2 c8 I. v% P
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
: U0 L& d2 [ x ]PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
# P Y$ Y5 k% }( K( e+ z* `但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
7 W2 ?) l3 Y0 h% n這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
9 ~2 U+ y2 P' C& h* t! Q: {4 g都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
6 f) u9 ]3 ]: z( m( V3 e因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
" `, p; _9 ~; b) m% a, ^( ^最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.% {( Z, Y3 H7 m+ u( X
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
- X$ A) @8 A1 ]# p: j2 T% \& ]$ a( M T
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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