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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是0 q5 x% h) D$ d7 x, I, g
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難; E' j7 }1 \# f2 T1 ]- X! e
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必0 W" ~6 x& h; T; N! W6 @" q0 P  t
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
% |( U. b- [/ y8 S/ p7 ~% X才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記7 c) U5 N! D8 J
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
$ w4 s( ~& n' D4 X+ p7 p不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況7 B* O% O. A) ^+ h# V+ @1 Q% g0 A, R8 T
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
( K* v8 R0 j, W9 \
/ O9 J' w3 X* }. _: _如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
# t8 e7 R9 G& j$ S都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)* J; F" p2 F! e. X4 B
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND. o2 I9 k; }( Y, O# d* N; c, Y* U
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
6 s/ }! X7 s7 N. r  }) X但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況9 k; G7 C6 \2 ?
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
, O$ ~' Z$ j: C0 E都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
/ R3 L/ R6 G9 M, `因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
: y7 c6 |9 G' \* ]; d. I# S! F最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
! N( [$ D" j* @  g' LCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
8 \6 q( {3 Z6 A$ o3 Q" u; I6 m2 x( h
( _: X5 M% ^: g[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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