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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
# w. l5 w# E( b/ q我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
$ f' A1 W3 K, l3 Q6 yPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD" u5 P* O8 F+ a2 T7 Q" c; ]/ X7 T
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況% f8 Y; ]+ E1 v. \4 M$ T* h: A
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
& U- X3 }# Q' u( _9 |0 f. k都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input * [5 ~' z. `+ Z5 I
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重6 s7 D+ X( o; j. X! e' E0 r1 l$ T
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.( t* z2 e9 `) P
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.$ @- a7 M0 x m$ }& F
0 B$ z2 n$ K9 s9 X9 F
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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