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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)1 h7 }, x9 ?, Z* M
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
/ D2 `# L* [# E3 [PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
# ^$ [, N/ B/ g& s8 e8 G: e但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
3 G- p& [3 T3 I' m2 b這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
$ p: P3 z1 m- n: V3 Y$ L都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input v2 o' j, }0 I3 }7 _/ t
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
. G6 S* c8 t9 x3 M+ \/ [最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.! j: X+ k# G7 I, y) y
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
8 k, I, H1 _( ~1 y1 }. I# A2 w. _/ t# o) N5 r
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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