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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
9 B4 r1 p& F  r- q7 t5 t! A' t: m避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難1 u# m3 A" }- d4 g
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必3 E5 z/ W! {5 i* E( r' M
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
; h; ]1 p2 }6 }$ t. h, Y才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記% G* C' _6 w: k5 ?0 c+ V) z* o# n
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓" z, {) O0 \+ C' H& \2 M
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
& u7 _: o8 N" I, J' N- O; @) p下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
' P2 H3 z& B+ ^! D/ {% M- b
" G2 {' o- d0 M- k. Q如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
8 ^: ]( ~8 c" I; e4 o7 G; K9 c都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)+ Z% H+ _* I2 s) l  M
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND. _+ P3 w+ _9 Z2 r( N
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD) a7 j: `+ o2 n! s+ C
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況- `/ ^2 W* n* r$ p
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊  Z9 e4 B( t) g) k! M
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
- Z0 R) N/ h3 `4 p4 b' u因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重& `; R2 D0 d8 Y& ?  e& `, P* B2 |
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.  K3 L/ ]$ o8 p
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.  N2 D' l, P8 U8 u
- F4 ^# I  j! M, \; t3 Z" X8 B0 B
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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