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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是6 v  D  r1 m+ L
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
7 ~; q# H2 J. ]3 y了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必! }* A' e5 ~* k4 f0 L$ Q. R* W$ f2 h
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區" q8 U) n7 m- Q8 @6 n2 J
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記, ?( X+ d  S, I* X# t  d5 f7 g* s+ z
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓; M  R4 n! ^# z9 Y3 {2 v5 m7 N  V' H
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
: W4 I% r# e* v- r4 L2 _" W下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。. ~$ a6 t& U7 j9 J
' ?- q+ o/ B( Z' y  L+ S+ s
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
4 e: t) y0 R9 a) J' z' W  y都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)* u* n, C! A. [- D# q1 J& U! j
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND6 H, u1 U% s& ~  t/ ~1 u7 D
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD' C6 \5 k, ?% {3 i4 U1 `) |$ h
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
$ t: C4 U1 Z5 P這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊& M6 [; P1 q! w, b: A
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
, l8 L5 i* Q2 ~/ [  B$ P因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
# {% o/ t& |& t- {7 y9 {最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
) X1 k( h  }5 T: @7 \Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
* }4 ~6 F* G# i$ n- f( Q& E/ g  T3 _$ }, Z0 Q( k
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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