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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
- r1 Q/ u0 \7 d( i$ c我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND a" [& K% x0 u
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
" F- j5 H9 r( z9 L但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況8 e5 s5 \8 @- e' y% u
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊% p2 U& g4 x2 i* F9 r
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 6 \, d7 l( k3 a4 w) \
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重4 V! C0 i& q* D/ n, ^3 s8 _- x9 h- C
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.3 n0 t) B1 t6 [2 P& Z, e7 A, F7 J
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.7 d! o4 `$ a' m0 ~ V7 T
2 [4 _, T5 I/ _+ q8 O" d* O) [[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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