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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
- t7 d: H! E  J8 j& Q避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
2 M" {! l" z" W了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必9 f0 J6 W1 o) k* `8 x$ c
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區; k) z  P8 i: N* v5 [3 R# m
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
5 [+ N" f. e9 R4 Y7 u9 W6 J錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓0 J. ?6 D( Q8 d% d2 O$ m
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況/ Z" P( ^0 H+ }: `- n, e; F: ?4 d
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
  Y8 ~: Q8 n9 L0 {% s$ b; h, G" X: q7 l' m2 J& m. O, O
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
, x: H9 b" ]) \% ]- f$ S都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)9 R, `% c. {/ j% q/ S
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND6 K) ]; o; U/ W$ k+ E& |# e; l" S( @
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
) Z  ]  Q0 S2 U% b# `# T但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況3 ]5 Z. x, s/ r  r$ m$ t
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊  W8 w5 m* G- B. `! T) A
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
4 A0 U- s5 P$ @+ P  @0 x因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重6 X3 L& Z& K+ U# I
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
1 p, n, l# ~" Z: S  _Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
9 Y8 @; K2 \7 S  J$ V! `  ?
/ c' U. G/ I. u, x: D[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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