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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
5 _0 N- J! n' ?: I0 }我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND3 F7 o g. w! R
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD$ F" u: J" X+ b9 T+ q
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
- G. {0 `( B; m% b. M+ U0 G+ d這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
/ ~" a% T! C- @3 e8 J x都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
: ~/ S% ]2 t$ U因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重- g: H) d1 V5 w8 h1 D5 z, D
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
9 c; n. _( \2 v$ Y+ m/ KCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.3 y" p/ Q+ P4 N" K- l
5 f3 `3 h9 v, j3 V5 Y[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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