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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
8 j+ m) A6 X+ }9 n& @避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難  D2 U2 |5 p4 ]) G
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
8 q  f# T0 T1 l須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
3 L7 z% A: j6 s* y才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記3 R( ~- s8 {! {9 C0 t. N1 X: \1 c5 m  Q
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓. p5 W6 c8 P+ v% a
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
  u7 j+ a- s+ W7 Q% h" s- o5 s下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。# k' a% s% N5 [9 `; x$ m9 h
& _& V, _7 ]; S  @1 A
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. , B, e4 U( z- ^; j, m. Y
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)& [9 ]3 f: l% V- s( o
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
- Z7 }% h6 z1 Z" j% H1 pPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD2 u* J" u$ g" U, H3 ^# U
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
: S8 @; k9 V$ E2 V- `7 B0 Z這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
8 O- h# E. [0 c  J3 n5 c都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
6 t/ ]1 r: Q6 C0 l' m: A因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
! m' J+ W+ |, ]5 a1 l& u( A7 }/ O0 g最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
4 x& A& t2 |' D' K& c9 ACascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.$ D) N! X5 `8 i" G: v6 H1 _
* ~7 J1 ]1 G$ @  L6 `
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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