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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是* @/ a. J3 }( e9 p* c
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
2 [: ?! L% P( w' x了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必1 i9 z" y' j% X' \! o: w
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區6 U; k6 S" |- A4 h. b' f
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記7 o+ r3 L0 n9 v$ z
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
# @  M4 k  q1 _1 i) K. u不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況" G9 c3 C4 e( B
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。/ i6 Y3 p; q1 Q. Y$ ^

. Z% m8 o/ F- k7 b" M如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
) ]: R8 h5 L* M都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)' x7 w' F5 k7 y7 R8 i. [  x! m
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
- v& r; g0 k) n: F# ePMOS 就是 source與bulk要接到 VDD2 i# c0 @1 ^. M4 D9 ~  U, h: y' f4 g
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
' d8 k8 m4 k5 v6 I: c這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
' ?5 Q+ r; Q& G都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input : W& {$ h1 r: Y5 s/ V
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重+ l% L* f6 r3 A: h5 a6 e. i( R
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
/ Z' Z) o" _/ v: g2 cCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.* Q1 Y" q3 ~! m5 N$ `+ n- z, O
& C2 @* W! V" t" N! @7 H$ k1 Q
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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