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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
$ N$ y: g. |) `+ q5 Q避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難9 T3 Q* p3 V# u& Z
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
& C# K8 ?) [2 N- t0 Q! Q須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
: ~0 H) B8 |: t1 i$ H才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
, d) G9 x. }1 ]. [4 o錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
0 x. o/ ^  a2 z; y5 F( K- V* w不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況& j% N; z$ i* T1 Z+ `- o5 |+ U3 W
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。  O/ m) t0 Z3 b! N  K

! i8 J( w8 `' h" X如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
2 X! F0 h' q7 S* n都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
" i; [1 `6 }/ ~5 _8 l2 K. [我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND6 G( x* V6 k" K
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD7 z, K& y* N3 P% z- R
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況/ ]! v8 E" X" o
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊5 j- Q" ]/ p- ]1 ^8 V# h0 A
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
. H$ {! @+ f$ H% c% u因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重, a9 `2 ?% m' v! X+ \
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
# l8 ^9 X$ [  r- K. U; c' H9 m+ NCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
/ o# j4 O9 b. {$ X& D
0 l9 j% Q% V) G$ g- E) G[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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