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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是0 T: @% U! p( M& m
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難, L5 y, ^3 ?* h
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必* ~+ {5 m6 H) x* R$ H: e
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區4 C& {  a* b. y. P$ q( `6 z+ c% ?
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記8 ^. I1 J- G* U* b1 Q
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓6 z; S) Y/ ?$ ~- ^! H. n1 l7 K3 C
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況- K4 R! E+ u" \% K1 f, h5 W1 C0 q0 a
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
9 E  e' c; z6 J2 `8 q% h5 G
7 E2 [2 W' z; m1 x& e如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. ; T2 b5 |5 D5 i% d; F( D( {
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
  g/ P3 e1 I, W我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
0 i2 S  L% K0 @6 f$ N; @2 o+ zPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
+ J" r' x% z- A* q# H+ Q但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況+ S, F0 c1 c$ t! p! ?* V
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
: i% x) ~  @, }$ F8 I' C都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
. ]7 g" W8 c- P3 ]2 G因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
  y; [; y  E4 z! k3 O+ u/ D. o! B$ w最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
6 O0 C8 X3 x8 mCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
8 Y2 W8 S& \" |0 c! g. }9 }
4 X2 }, Z, s: l# Z! k3 P* ], p[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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