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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
$ U* l" j& W; z" o0 l4 p# @+ [我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
. X$ P0 q/ S/ S0 P @PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD1 W3 L1 }9 w, E/ @2 d) l. D
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
( j. c4 u$ c3 l) ?這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
/ s% p/ i+ o( b* c9 D9 _都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
; I, p1 o) c: y4 i: z因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
- c5 W! Q' B O' q" p* n: F最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.6 ]% }; d3 Z) F5 ~2 l6 L4 j4 [" f
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.- O: q1 Q/ d8 m) X& r
3 l. X4 ?; R0 B& {) x
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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