|
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)4 e# b% B0 Q( N0 n5 D
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND4 [, {' I* a! _6 N4 t+ w/ }* v
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD! I- x# A8 j, X# ~2 _
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
* @6 b, f: Z2 L" I: x這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊, ^/ K6 @8 \& U* a& A6 {# h( T
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
2 G! z9 x+ K ^因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重/ d+ h% c/ q5 i/ H6 z0 p
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
: |- n9 b8 M4 J6 ZCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.! I: Q; ^3 ~7 C8 ?7 y9 _0 C
4 @- v$ w: o1 Y; B1 M[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
|