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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)% T5 Q( O7 q: u9 ^
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND3 p$ q: A1 r2 G) g
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
0 X, m4 O' W( X1 ?/ P但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況9 x" U* ~2 ^2 Z3 U5 [- g' ?
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
& U: B ]/ }5 C都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input & h* { ?8 K/ e1 H2 [( O
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
, a% y+ h" Y) f8 K! D& N最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
5 }9 ?9 s/ {: q/ b- Q# L9 v! G. ACascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.- b: h- `5 @" @3 [$ C. W" ~
5 L+ @; p7 z! F4 q6 Z
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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