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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
0 K0 W4 {) o3 E" B. ^避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難5 ^6 B9 @! N& m. Y% T9 z, z6 P
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
6 Q) f: z8 B. D) K2 x# A須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區+ a. [. K6 S* c# n. H3 C* m
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
! X$ k& h" k! g" a0 q錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
' h$ b. }& H; ?0 b不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
7 A/ x& j( I% A" q) i: _) D6 e下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。& |" {( N# e# T

1 b6 }3 h# ]6 w( U如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. $ A9 L% V1 K9 B7 Q# o% _
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
9 S- \+ W) W( j+ L% Z我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND- k8 x" q8 X( S% o5 h5 B: p
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
1 h) d' j( D5 q! {7 k4 I但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
4 |4 u0 d, E# H+ n8 w這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊8 |6 E' i! m) p' @9 w1 Y, ~* C! }
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input + [0 y$ |( W+ m1 {0 V1 u# L
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重7 p" C& q- I4 _
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.! A% c4 ]: U3 c9 }" P6 l9 j) }
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
$ L3 y% f' Z! C! }% a2 F* w' D7 @3 }5 t( @  r* @- _$ q2 o: @5 h
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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