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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)+ Z% H+ _* I2 s) l M
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND. _+ P3 w+ _9 Z2 r( N
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD) a7 j: `+ o2 n! s+ C
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況- `/ ^2 W* n* r$ p
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊 Z9 e4 B( t) g) k! M
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
- Z0 R) N/ h3 `4 p4 b' u因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重& `; R2 D0 d8 Y& ? e& `, P* B2 |
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢. K3 L/ ]$ o8 p
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing. N2 D' l, P8 U8 u
- F4 ^# I j! M, \; t3 Z" X8 B0 B
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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