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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
; O5 q. H+ t. N/ N( @避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難4 @7 l0 D( Z* a# n
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
2 ~1 y3 H6 i! ]+ U6 q0 j須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
8 Q* `/ d) g9 L% t% r, W2 H才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
4 Q: B0 ~/ ?% C9 m) s8 g錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓/ w) L+ q% }  c2 }: m
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
7 j) L; s1 x( a& v下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
4 i3 d$ }+ N: X8 J# v2 U
+ g# v4 Z* y2 d: Z2 m8 ~6 P6 x! g如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. 0 P7 H! ~' _. _: K: P0 @7 N
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
  U) p" N( x( k1 E我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND! t6 O  }+ s5 i# S4 e% @. w: q7 z
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
7 V$ F) G, V  {- r8 n但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況" [/ @! c5 q. X! g, @7 x4 i
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊" x, @4 N% J  ]1 @) {
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input + u( T/ L: n1 {6 U3 C+ y) J8 B# O% n3 V
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
; x; g  f) p% J& ]: L5 B% |最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.9 H  {, f) R" x, M
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.9 b2 [1 D9 ~9 f- ?& P* c5 t. e+ _! R
1 b- w( e7 G# R/ T9 C0 ]
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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