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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)# r# v" J' Z' E/ r4 B! z3 G. w
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND7 U2 |3 |9 @9 V/ z
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
2 s6 [, h+ ?% J7 z2 q6 n但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
; g& Z# K- W. b; T這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
3 ?8 y. U- t8 V; _& V都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
# V" J( S- ^7 B2 b因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
* f% C; Y' i( Q: ?9 ~2 X" {最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
$ K9 [2 x/ _1 J9 M) UCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.* V) {! G% H$ g9 s" i* v
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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