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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
& n8 y1 L9 b; t- b避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難, [( v! M$ d9 @0 n  o5 k
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必) I' y1 J1 r$ h- H, z5 y
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區& `8 B- j; p+ s0 ?
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記+ c8 v! t  h+ P, y1 v
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
2 l9 D. r) f% J& f* |; \不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
) w, a# A" D% B2 R% L下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
4 f( d, u: n) o. B$ Z8 l. Z- E4 b2 b- `
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
8 j# n$ C% w8 a- Q  l& d! ?/ O3 Z都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
% Y6 u  l* O6 @我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
8 c3 q5 b; `- n3 q) o; PPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD* X% [* v6 |; s. F* F
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況1 n7 I/ a6 B$ z7 }1 g' {
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
3 t1 k* p3 V4 [" c都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
( R; q4 A  Z% |! J  D" s' M' V因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
" m* K# l! b+ [$ m9 {" E5 T! {最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
* \" Q* ?) D# H- h9 ^6 V/ z- V# E) [Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.3 o1 }  O. e. O

1 P3 D3 N1 u: ]& O- _& x' {/ |[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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