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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
% T+ |4 l/ u# P. ~7 a我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
7 x( J& `5 i/ x1 Y* TPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD* d }" N! A& y% X1 L w9 o3 f/ d
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
6 t1 a' o. `/ Z9 ?這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
5 y1 x0 W2 h' i0 \ ^% d# B1 D& F都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
- z- ~) V/ W) H8 J3 C/ l: ~因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重; C5 U5 f+ f5 E! \0 O& V
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.8 b- y; V: l, P& U% k6 k0 o
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
: j0 V, }+ u' ?8 U& ^) ?0 t1 y8 D; D1 m9 C/ R S
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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