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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
# s& B/ D, |  @1 n1 s! N8 ~5 `避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難/ D1 r: q' _0 F6 s
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
6 j6 ?1 ^7 w; X, t: a( p須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區- Q! ~0 w# @* N+ D1 o
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
$ q2 \; N# E/ f# C( f# }7 q8 k6 ?錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓" Y, }' F: g" h; O; N4 ?( g
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況$ j" N4 E# r. N1 ^( Z9 P  t
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
. w1 @  A  @; u! \! }
5 c/ a" y- L% d( W如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. & M4 W6 n/ O+ s% }
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
5 W2 _  n3 |; ]& f9 X2 e. C我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
+ y$ |, ~% {( _( v+ S" a& O% u: C! LPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
/ _6 m1 @6 l7 e, c2 b- }  D" h但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
0 E0 Q) i# O$ p. a! J" t這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊! b& @' y: M: J
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input 4 P8 M. B' X! }' M% x( G. R5 n
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
( K3 C9 D5 Y/ t/ v0 O) m4 W最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
4 n+ L0 J+ f2 Y& c  wCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
5 ~& w- R5 I% Z/ v3 m# ?1 B& y& ]
3 P2 m2 j6 [8 M- s# [[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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