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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是3 f: |  y7 Y( U
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難# Z3 Y! O$ f* ^! Z* e" k
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必- D: d( T8 U. I# `9 T7 ~
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
- f2 w6 m) f4 U: L才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
+ v3 ^, e, }8 \& ?9 h2 j" v錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
% h* a- P3 L9 D! c不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
# n% N4 L, p) @下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
8 G# h' h* @3 u) i& r; W& G" C6 e4 o; A. @* a# g/ n% V! O6 b3 J
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
2 G) s$ j9 ?/ ~4 l( f都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
1 m7 m/ X7 `# H0 ^( E0 e我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND5 ^" c  P( m6 g$ ^+ Y+ o! L0 O- d
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
( l/ R5 q0 H7 m9 ^% F3 g9 v# s但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
7 X% q4 t+ C' S/ S( N3 w這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
8 O: t5 V' E; t+ K! D" A都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input ! s: L0 s5 ^; ~% u/ H" ~0 ~- E. ~
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
) ^: @3 z" {1 d7 y( A9 Z1 U7 r6 `最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.; w5 B. a- |5 v- s! S
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.5 @/ n( X3 w, T: Y& T4 a

- j) k2 M: m; g  y6 F& l[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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