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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)! ~1 m& c1 V M1 h& @
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
- d0 a2 C8 V! b QPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD8 X5 h. m! V/ ]: W
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況4 f2 B0 h. \* U" c4 ?7 G
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
- u& J) i9 N% z+ v都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
6 w X O; n6 d2 h2 {因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重+ g7 d2 m; y& G2 U% n, u
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
, h+ L2 H7 t; F4 S. c9 pCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
" b" h* e8 I/ Z/ K/ k4 ]# S! X* M
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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