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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
9 U9 g5 x* Z. u' y我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND J* W# O, G' N5 H" Z( W
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD8 s4 B) h, K) [# \1 f1 C
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
$ g) y$ W* ]! t' L這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊. b/ M- E5 z! e; n, W& [1 g
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
0 ^, \2 j+ U3 F6 O( B2 D因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
" z1 L. S& e- X7 O1 F" k( p最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.' k9 [ P$ S: a9 W( r7 h: ?
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.+ C) O3 I. _6 q* T. T8 }
) f: v: a# \& @5 y6 B[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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