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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
9 S- \+ W) W( j+ L% Z我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND- k8 x" q8 X( S% o5 h5 B: p
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
1 h) d' j( D5 q! {7 k4 I但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
4 |4 u0 d, E# H+ n8 w這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊8 |6 E' i! m) p' @9 w1 Y, ~* C! }
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input + [0 y$ |( W+ m1 {0 V1 u# L
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重7 p" C& q- I4 _
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.! A% c4 ]: U3 c9 }" P6 l9 j) }
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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