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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)# j8 o" U# @% R7 y" l# y3 q9 u9 y
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
' p2 Q' u: \7 c3 k, e7 [- I* p. PPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
3 @8 f9 M G/ z6 m0 Z" y8 y但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況7 ?" q9 g4 \/ b6 Y6 e' W4 {9 _1 z
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊% C) j. D9 t/ U7 R0 w8 z" u* R
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
- N, x& N( K# |! q7 J4 g3 T8 D6 Z0 G因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重* s% e. H G8 G- w
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
$ ~! F! j8 u9 t* G0 f- e0 eCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
0 X. V! }. a2 E+ ~2 C( K, q# G$ e4 N3 L3 I3 r x1 P7 `
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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