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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是! S2 A( s) ~$ D+ n/ r& [& U' L
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難/ E0 [9 c5 [. Y
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
: C2 l" Q, p' _, e7 v1 c5 U須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
5 I4 ^. @. g, i/ E3 d" b5 p才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記+ a4 w8 F8 k0 p4 ~; k# U" E
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
) W# l- q8 `9 \2 W4 B9 w( g不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
! _- `, o# F! J4 c  ~6 F& O0 @下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
, ~9 c; {* L6 Z! l& B3 @3 f9 M% m
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
7 v  f& t1 s! f3 r  {( y都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)7 g- x  T# f7 t& D9 A
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND) y% h- O1 k3 P  L6 f
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
" ~% ^3 ^- h  m/ U$ Y但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況& X/ B5 a3 F5 W, ]$ n0 o1 C" S
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
7 f. g, h1 f0 g# M" t! S& a都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input : X# k, ~6 ^3 E' n9 C& \
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
# M2 @( j& W3 ?. D" Q. m6 Y最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.7 U0 a6 ~5 v3 V* m5 V) g- M4 l
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.+ z2 N2 O) L9 B
& r9 e2 M( H3 i
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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