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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是, \$ I) t3 z) v6 w! l
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難( o& z! X6 S+ C/ T
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
9 S$ R1 F" G/ ]+ }9 Y- D5 w" |8 R須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
" B$ Q' P+ E' f才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
9 Q* K6 R. y8 p3 G" `* f錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
/ [- V! O. ~. ]' \: c0 n不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況4 D+ j+ o) X( P
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
6 E: z: o. V5 ~& ~# D& F/ N, S% j6 _2 Y  {, [
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. ( g1 Z4 h! A; A/ q: o
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
& @  k$ x  f  H* j1 P我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
$ k# u7 N; y9 _1 ~& ~PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
: e/ h$ R9 K, Q% J9 ^0 ]; B但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
3 u' g% P7 T# S; f這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊( @" p2 D2 j9 f( Z  z2 J, ~
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
7 b7 u3 l0 N2 t因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重: ~# u2 a& I- `4 c: b
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
* U" U* p( t- T* b. DCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
8 A# N1 q) K2 T
1 q& ~+ N0 W! j! _) n) a[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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