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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)7 v2 c& e9 y( N5 D$ X
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
$ _. ?6 L2 c, H! a7 M, YPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD# n8 {2 C' | ?7 E1 M
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
% ]# n+ ?/ {" D" T b這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
- t# n5 h2 d$ O! ]; ~! |6 T1 h) L都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 3 K( t8 v5 G) X" m* T7 a
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重& G9 ]' @0 H, ^$ L
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
( Q0 T! u+ s! Z j: RCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.7 G/ u1 o8 {3 g, I) C
# G T( U1 `6 J3 \4 y, Z[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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