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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
# R. Y7 r8 U2 @& s$ A我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND9 V9 j+ ~! R6 P: u9 E
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD6 _ w/ y4 L! Y2 `
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況' v5 n+ B+ c. L5 c
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
- k/ A0 c/ [, E都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input & C& a+ P+ ]% N' h% R
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重$ d8 p1 F7 n5 i4 A- U5 X R0 R0 ~
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.* l5 m- h' T) q0 t' X
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.% t+ M7 d/ }% j7 U2 [" Q+ G/ Y V( ^
& |3 Z! \( i4 W. U, A' ?. Z
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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