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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)* P" T( Z0 Z! ]3 z0 Z
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
% |5 E) e9 ^( k2 p1 LPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD, ]( Q2 x6 z1 y; F; m: r$ h
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況) e9 ^% {$ c" k. Z: j G
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊8 w0 H* @( _ |# j
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
# r) t% C7 x! T, J+ ~# h因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
6 o4 M$ i0 Z+ x- O最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
9 L% I7 b& p/ ?3 k+ VCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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