|
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
|) n8 k: a3 F我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
( U' q! L* p8 kPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD. A$ Q- C/ {! m- d' y4 t
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況( S& h- p) o! \ K6 X
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
: C$ g& u5 I9 M; u: T( V. G0 ~都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
4 W/ x" u8 j4 B# }0 L' I, Q' w因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
; g V) n! T" T# b- m* A最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.& }% D) D& P, w+ ^3 V& o% H3 \
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
2 n4 L1 l5 s( Z T3 V9 Y% F- j! H1 ~
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
|