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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
9 _, N6 ~) q2 k我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND3 V p* N7 C: ^* ^1 [' L
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
. O6 e- _3 v( |; S: q6 C但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況! M$ Q) H7 Q9 U' S- |/ O7 h. i9 Q y
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
/ Q) e {0 C% J' S) V# E2 r5 s+ F" q都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 9 y3 e6 G$ Y3 w4 W
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
9 N- [9 ^1 a: h& m% X) c* E最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.1 p) J" u; t& g7 X; r( ?
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
h9 u0 t, t- T2 D6 [" U' r8 M5 h- l4 \- q* a
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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