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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)' I1 C" O: z, f& D5 w! h/ U
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
) y$ f$ z& A9 k6 I \" j- HPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
2 P6 Q% Q# }0 @9 |! H3 B) o但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
`" ~) j2 t( L+ ~& K8 r這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
% j/ J- }4 O; \+ V都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
. T+ @ B* `, @# n9 h4 i5 J因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
- c& e$ p0 O7 B, d8 \+ @最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
0 m, a( j1 m- b) w c! iCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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( b' |6 C6 M2 J( k( p[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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