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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是1 |# o  x. S7 B. E
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
5 i) P- ?# ?% s: ]7 O+ Y了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
4 |$ I& A% J& @  `: Z# V. V須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
, _. Y3 H4 k2 C3 z0 ?. _4 `才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
2 O/ V# Q9 n5 X4 h* T錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
/ Q6 @; F) J. g$ k/ @7 i不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
) x+ J; p$ b* W0 s  U下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
% @( ?) g% X( f8 l  q. s# O- U
) V3 p0 p& n. X9 M如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
8 `! L" A% C+ H8 F8 }% }4 X& }都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)2 \, H, E6 `3 B+ [! E
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND, o  y% Y- g, m% S1 p
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD6 f# Q0 U' _$ w$ B
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
9 n( j6 e$ |0 f3 I2 ~) m2 C這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
5 _* M9 \6 g6 S1 V& i0 z* X都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
8 n: v% ]3 T. e; P因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重6 L# U+ D( P- ~- s8 u4 t' ^
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
2 g8 @8 ]. `1 z: f2 s; ZCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
# W. {' R. j% ^4 R
# f* Y- h3 g  r  r' h/ @9 J[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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