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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)% w$ X' R9 p3 G9 ~
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND3 F. c3 y$ p7 d, x) A- |
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
" E0 H. @2 o1 d) _# H但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
& Y& w& v! [" k1 F! R2 \% @0 S這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊) f2 U' U3 h, H0 b# q" P2 E+ e
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
z9 |5 z; B8 G& Q! j$ V7 x/ E因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
4 S- k [- I" {6 s( r最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢./ ~/ g: ?8 K8 i* h" ^; U+ @
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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