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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
, G% b$ E) p- S7 K我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND r# w5 n$ }3 m+ }/ H
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD4 D5 R/ y. w- X- f. `: o) k
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
' W$ E, Z: u* }9 X& E這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊) A: ^4 B: n5 E& A; L" r4 ?
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input ) N% f) M% e0 H! I5 s) h
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
' o" R- F/ Z5 U# i0 ~6 c. f最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
# K) c: n$ I8 E) rCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.6 O/ i- V+ \9 b- s
$ ~! Q" p* _9 n; o9 L, j[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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