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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer) d8 V# B: I! y- E
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND B6 B# _) \ {# F- c- X
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD; w5 p0 z0 ]+ E3 ]% |; |' l& |. t
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況2 j6 F* E+ y& [# s. p
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊! d* J# s: r# V" x/ k0 ^( r- E* v
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
, z, C, h. F2 \) r" V因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重7 L+ S" K, k7 C G# `; Z+ r3 S
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.) \( a3 Y3 U# t
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
+ C0 q6 @8 Z. v+ q7 n( g# G6 i( n' H# t, U. v' }9 E3 q9 g3 L
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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