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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer); l u& p7 T& \, l3 G6 E R
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
B0 H- w; b) J' |2 lPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD! r* h# v t( B! P- u/ u* C
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
H. v" b6 t+ K這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊- i* g' g6 S# |3 o/ q
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input - s7 ?' W; N, ]: C# o, R5 P8 \8 ^
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重9 v1 Z9 t* Q) t4 t, s( I
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
+ V' Q. k) Z" n1 ZCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.0 j+ | i/ Q) W; }2 [
( j7 M% Y$ }9 g6 S$ C0 F[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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