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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
% m' [% s6 X+ R2 l) A7 ~& I避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
; W+ j+ `2 C5 W- X1 X/ h! }了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必% p- V4 f- b- O+ T. E
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
* E5 E. O& W- H; ?' n: K才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
0 b- z2 R1 D1 Y& F/ m$ o+ r錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓+ n. ~  }' ^9 R" T4 G3 J
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
3 e8 P% U/ s" R+ O9 n/ \6 z$ x下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
( m: G& K% n# u. D8 r2 B0 ?4 x1 |; D0 Q
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
; N- D2 J$ s! f都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
% l% g( I+ c1 B  I/ m5 R* |0 y我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
5 J; c* z2 I* O& v4 R$ SPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
7 Y. K, W- H& B1 z) e; B但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
3 h$ D! W8 w# i2 M; a9 f, B- _這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊/ J- `+ P4 L& V0 |, L
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
. B# R' ^4 B6 m" |  m& @; x因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重7 Z8 R* r2 P" t/ a, @1 E
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.  t' c5 L+ ?& ~# `9 V
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
/ A/ d2 \6 d) i* }+ t2 }  f+ n& \) C# L
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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