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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
% _3 a7 ~' \& h1 x: n8 w. G* ?我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
4 w% J, U( H! y {: _PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD) D. m0 N/ k' r. t
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
* ^: f4 ?4 N' Q6 Y7 o' @4 X6 q# z這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊: ]# I" h `" {3 X
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 0 B9 Z3 p2 \; S. p+ Y# [% j+ M3 ~
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重( ~7 }. w J$ Z; Z/ w
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢. f0 W+ ^+ Q0 i/ k
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.( r' Z* n. N% B9 F/ w/ R4 b
1 B0 P( `2 N+ n* {
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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