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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是: ^# }: j5 @' C- m! J; ]* ?
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
% a- b9 U4 [  F7 H6 B& b了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
" P- a1 y' O8 k+ g5 s8 f須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區% x+ x4 F: ?: w' V( `5 j$ Y/ C9 r& A
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
7 q5 g6 w" v0 F& \; q: r錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓! K1 r% d1 p- a0 W% T: R
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況8 z7 {3 D& i/ ]) ?% E# G
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
/ c, K$ S* Z( X* O& I* `0 E$ J, |3 ^
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. ! J0 a5 O8 D- i9 g$ G) Q1 t
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer); x: ?4 X. V6 i* G7 K2 Y
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
% s% B  A6 n' RPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
- V; ~) R4 V9 b  z( F但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
( l2 m" g6 z9 \" Z7 r+ z這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊4 C8 `/ u+ {& A) ]  W/ b
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
. v" A% x) k9 z因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重2 Y. l; N( a# U, F4 ]" \
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.* y  P9 ^3 k# u+ C2 H
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
/ o' f1 |' o; M! y8 _/ c* \$ D
  Z/ r: A! U2 B, L[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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