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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是* K+ }5 \3 _3 J/ W* K: ?
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
$ Q/ e& Y- c% M# S% |0 p了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必5 k5 a( y/ g9 r) G% |1 B' ?2 l
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區" Q9 W. H" n  h, A
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
" G4 F8 b; w) z5 S# T3 J錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
* s9 A; o: i5 X) M  W8 W; H不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況0 m9 Y( d# J5 X! l' v
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。, S* j( \( ]4 w8 G, `) `) U
* m) E! U- a8 I
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
: S- z) m- t% _( T( Z- G  S: O( W都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer); d" Q8 d# C0 t, @* o6 q" Y
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
- h% p4 f0 y2 H7 K: J7 X1 i& l! D4 j% F  |PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD& x  X* q' H+ B7 \2 q. E1 z
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
$ o$ p: K# X) D* W: b% C" ~1 x. I這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊* K: |- @7 e! A  _* H$ U
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input 1 T6 N! f$ Q/ y7 x
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
  n  l+ t# r& x$ w最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.) A6 J0 }! t3 n
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
' e. y' s) F! k( h3 p& F; [% w4 V+ ]6 W( R, u1 {8 a0 k9 ~
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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