|
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
2 _4 p$ G$ L: U* m+ q+ z+ E我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
; y# w0 Y: f' s: E: J) W1 O9 vPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD, A0 T9 J- f- ]
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
0 {7 F% e. W$ t" p* @! t/ m8 X這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
9 b* {5 Z$ @, L都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input ( n# j! g" d+ O9 z8 \
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重( Q1 J' p( |+ J/ w3 J
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.! s5 E; Y0 C3 L; ?7 I, S. U
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.2 N$ M( O$ h! A' [5 d! P9 x* q6 I
( F3 J; W/ j9 K* i0 _0 o+ x7 c8 W
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
|