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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是3 Q; v' t+ I& Y$ i
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
% W) O$ R5 V. C- W- v( p5 q2 E+ P了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
8 ^2 c$ X& m! V& T: O須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區" E! z' i7 P' G; Y4 W
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記3 O5 t5 x/ C- Q9 T* Z
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓+ D' U/ }% C2 [( _
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況& p0 \7 g" v6 F4 ?$ i
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。) O& C. u8 K" n4 M

/ q/ x8 D  Z. s6 C, H9 ]如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
; R) x8 B7 {8 N0 Q1 r- x6 s& i都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)  \& s4 j9 X' s- a  \9 w2 {
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND& x% X$ f. S  L% @0 N: M5 Z+ M  {
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
2 v% J  b7 a7 J3 E但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
/ u5 j& h7 b* c4 C$ T* H0 t這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊* g2 O& G; R" B! x) D
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input 4 a  B$ I$ B$ D/ c9 D% m1 ]
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
2 l% R4 h: o& Y. X8 z! h+ d9 s最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
# z" q! _+ B1 M$ y4 u2 yCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.' m: M* v7 A4 r
3 f9 B: F. D( N0 L
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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