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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)* s u2 g& h3 h0 I$ @
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND" V$ W7 L' c. G% b$ N2 b
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD+ h1 `7 ]1 ~3 n- j* j) W
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
; m; i2 `) ?9 V$ R& ~/ n/ T這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
9 x, x t8 _) J. L- e' f都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
/ K7 i" H K% P* u3 ?8 N. B因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
6 l/ S( E4 p& L9 E5 |/ H \9 @8 T7 b最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.; r8 P6 F2 c- H# e! ]
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.# {) g% o, K8 A' u: N8 Z
( h: O6 w4 ~ L6 |! D
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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