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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)' x$ X& I& F/ Q, |( E+ d, p! L) l
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
% }+ K( e9 I2 D F& Z- dPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD6 ^/ d! @, u1 E% U0 J p+ s
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況1 }& \9 k5 L& p+ d! R* Z
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
, _. h1 k3 j3 @( u都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
& S( _9 J0 t7 Q+ H0 q$ [8 e因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重# r3 J, a; y1 x# V f; m! M( ]! X
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
' m) _; j0 ~$ w* _3 x) ACascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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2 S5 s+ o' d3 O" h[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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