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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)' x7 w' F5 k7 y7 R8 i. [ x! m
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
- v& r; g0 k) n: F# ePMOS 就是 source與bulk要接到 VDD2 i# c0 @1 ^. M4 D9 ~ U, h: y' f4 g
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
' d8 k8 m4 k5 v6 I: c這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
' ?5 Q+ r; Q& G都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input : W& {$ h1 r: Y5 s/ V
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重+ l% L* f6 r3 A: h5 a6 e. i( R
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
/ Z' Z) o" _/ v: g2 cCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.* Q1 Y" q3 ~! m5 N$ `+ n- z, O
& C2 @* W! V" t" N! @7 H$ k1 Q
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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