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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
/ x) x6 w3 d9 G% G6 ?避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
9 \2 {5 v: _8 [0 z2 k, Z( J了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必- N. S5 X& T: p! a; C. a* K) L
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
  O+ o5 J, o. j: H. }% }# E4 r; d才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記/ l. y' J6 ]) j; y  ]& O/ H
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓6 F3 \+ @" v4 D
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
# M' C8 R( J; \. X& K下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。( h- e5 `. i& w4 E; ]
0 D- d  T# B0 n! V1 |# y7 D. O0 T- o$ m
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. % m9 o4 X3 D! _
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
" x4 W9 X' r2 C% \. ~, n9 A我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND/ _4 m2 _3 ~) V& t& a3 {0 y
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD! e4 V! I  \% R! W
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
% `  i7 ]" K* A, L% H. T$ D這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
9 v: _0 x, t+ J; R( \: A) J* {都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
: F8 P7 E" r& M- d; K因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
  I4 }% y( f$ k# v4 O' @最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
0 ?+ ~3 f7 P! e0 ICascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.& q# i( K. v# X( H/ m3 p+ _

5 w. g, B5 D8 A* o4 x' R" v2 P/ g[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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