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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
3 O a+ {1 P/ y, x3 D @ a+ r我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND( J7 j% T1 y2 J$ d5 M t
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
3 z; I9 c$ N/ c' W: R0 T但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
! V2 A8 d+ A1 m% Q5 Y這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊6 a1 J5 x5 R; b9 \2 S, g
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
# W' _1 N% N" W2 W因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重4 t1 K( K# N- p `
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.- ~, I4 J# K9 B$ S. M/ g
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.3 _) V6 |5 s' G; N. i! g0 a
" a5 H! x! g7 k' i7 q$ c
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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