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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer). ~- Z/ ]0 j+ x7 y8 ]% V
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND, ^6 [! E d' d2 m; w, l! ?$ j3 g7 `
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
7 S: Y) s8 n6 M- H6 a, g/ l( g% Q- ?* p但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況' t1 m( q0 J/ S2 X! Y
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊1 i7 R3 H# x, P' \# s& Z8 W
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
1 l2 `8 a9 P; Z! f& G因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
4 c) H! P1 f0 q3 r7 n最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
" Z0 n8 C, {4 G( C% p4 cCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
4 G; i" e9 ^9 n. { A! {, G6 f
! R3 a: i8 X) I0 F1 R. x$ Y# J[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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