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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)$ E9 u7 Q7 ]1 j# I0 i
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND; k+ W V, P& ]& h* H6 z* p5 ]" @
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
+ K6 U: F; E! n但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況$ q+ k3 c( W, d+ v+ W* P% k+ b
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊3 v* j9 g1 @$ t/ [+ A
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input ( U: X" ]% w9 ?( B; o: V3 z
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
3 _2 { e, |/ \9 I2 e1 e% i最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.$ j" t9 ]9 p8 Z, M- ~, W. H O
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.% A6 _& }# [& C; N# Y- e& Q `
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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