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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
8 D3 ?8 h" M0 P, D- T o# f6 a我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND( d, K( f0 }, R
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
# o+ v/ _- g0 W. Y; b但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況2 _, Z% @, ~ T1 ~. ^
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊# @: B1 m _% O% u0 X
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 7 J$ w* ?$ Y$ x! k
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重3 w( |( J1 t5 M3 A# G3 c- j
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.! Q+ T9 j( \$ i! V- a' \7 m
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.4 ^% M- Z! M4 P4 F3 T& @
2 X5 a- p* E& l* _( Z
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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