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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
$ F4 o' E& c5 K. f7 {" B: s我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND5 A0 b2 w; x0 C2 E9 ?
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD+ |4 C, P; x& ?) W) I$ p4 Q
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況9 g1 |# ]8 ?7 v8 i7 A- ^3 r9 q; m; `
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
- q% [5 m7 K K* d/ A4 w* z; ~6 E4 T都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input ; _9 K9 W) J' k% J7 T. h U
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重1 j t# V/ ?9 L7 J5 x
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
" C- y n& v G% l+ fCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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' `! x5 q3 ^9 O: `' b[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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