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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
( Y# d5 X9 U7 `. o; [我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND8 n2 L% [7 @! L e
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD6 ?' ^+ N! ~9 u% O% X6 x9 A, j. E
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
. e5 ~( x$ B( v4 c這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊9 U- f2 o6 ~# g1 z- x5 ?5 s
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input ' Y4 ]' O. ]( E; d5 e
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
+ u8 E/ T$ y3 s; q最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
( i/ }" [- {/ G4 S3 K3 I" ECascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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+ l- N3 o- `/ S+ J7 ]) b8 r[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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