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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer): o! A6 R: u. v' a. J. h
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
5 A, Y5 G4 t r ZPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
+ n5 \# V5 z) o5 a但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
. D% f6 M; g9 n) ]4 [2 Z這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
$ z' W' a# W1 `6 p- Z& S6 n. a/ P都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input / c( N! [! [4 b7 d& J" e
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
) A- X, }* J' |% C) N) V/ m- e最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢. C, j. H v+ Y* ^0 z+ Y5 c
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
9 F- M) x z5 f& Y6 J
! }: ~6 h: G2 A3 E( G" n[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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