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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
0 q; X& g# u! m/ ^避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難1 f2 Q/ D* i5 `
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必0 T8 V2 A6 u# b/ Y& s; h% ?
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區+ ]7 H( Q& ^" s  r8 I9 C4 ^: y
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
' |9 k& t! ~! Y! l錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓* z% U/ B5 o5 O6 ~; w, T9 e& ^% \) @
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況  x4 A0 ^% P; D- O& ~
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
: H: B1 v! K% f$ _% x* _/ p/ n) t$ _4 q' C+ G- E3 B
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. - {: a% g2 B' n& G
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
; G$ g" Y2 c8 ^7 R4 B我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
- H$ w3 W% d4 }$ t1 g( APMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
! `5 k1 h& H5 r. j( {9 ]但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
- J8 F- z! r. ?% V這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊5 P& q% t# Q+ N
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
, T3 y3 C2 J3 o7 M7 a$ d8 V因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重$ }+ G9 x2 D4 I) J
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
. u- Q0 i2 C4 N$ kCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
& e' _7 K) @' a4 F; ]4 R4 s7 M1 X* q: e" M8 w9 M
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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