|
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)+ m8 J4 K! u, Q2 Q; J) h, D
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
" N9 R: `& b+ ?# | t1 ^% t0 nPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD! Q% C ^4 c1 H* Q7 @7 F" P" n
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
$ \+ T! ?) c" }6 ^' M這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
- v, O' j$ o6 Z2 E0 a& e* ]都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input / h9 q9 R* ~9 p& R3 x+ I" {
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重* b+ m1 }, w0 f3 K. L0 G7 G
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
: Y! p: e1 J8 _# Y V2 @$ RCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
; B) S# s5 M; e8 v& q d% |) b7 Y4 j' H) H) ?/ w
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
|