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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)% q1 _& x F) G
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
+ n" z( G" ?/ A |* i F# e1 ZPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD( l0 {" ?$ e( i U
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
7 ?8 ?0 i7 @& f7 ?. K+ F) C$ c這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
( I( M3 a E* E3 b: z% ?都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
- y& l2 h7 i, B/ y) h$ P因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
# M. N3 o, G/ l, ]( l7 B4 q) @5 q( ~最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢., u9 f; d1 b$ ]! ^: K% @
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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