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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)# q k! F- i4 j
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND! p. W3 i% L1 {. A- \, \: a
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
0 t' U* |) s- B a! C但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況, k+ Q+ y; O# T4 e
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
2 [8 ?1 j0 g; j" V1 u. Z; _6 L6 V" ?都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input ( n; P9 b& ~' x, M" w ~
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重# M4 S8 v8 z! O' e& c2 }
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
; C' S, V( X. `8 GCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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% o) @* ^# I& s u[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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