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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
m7 r3 j/ q- i% ~$ V# Y我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND+ m/ X; U3 q, k
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
! A- E1 F1 V: n/ i$ k( F) q但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況- N. B. @% v' f& ^* j3 k s
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊* N/ J, r* U( c6 L6 {
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 7 F, m5 X, ]+ E7 K' b* s
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
3 M( `% s& W# v3 V最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
K; h8 Y: N* e- TCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.; Z5 f. J y% y
; f# |3 l' r$ B' ]* V& W) {[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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