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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
% J5 m' }2 g$ {6 f4 @ P4 i我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
& V' d/ i0 z& K+ T9 sPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD% v5 ^. J2 r9 P$ k
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
5 f, q) {. {5 H& @, ?; @ F/ k這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊9 |6 X* I* o D" C9 G0 v; |+ H1 T5 D
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
3 [5 h# t4 J* W7 X7 a5 V& w因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重& \3 {* k c3 C6 l( b1 o
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
* v% n3 \# W& c; `! ~( u& fCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.' a; v; R. K- ?
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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