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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)! b3 V9 ~, U- {) R
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND4 Q2 L: B! j E0 N
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
" m l) \% w8 t, i; t但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況; z" P, o: t% [) L" \
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
Z' v. Y% V4 m# W1 q: W3 U7 \都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
/ N' M( t" [/ Y( p* H" X7 Y, G* q因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
) A2 L6 ^: Z% `( M# T- t8 q; W7 S$ u最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.& y9 H8 g- l7 t1 E6 E( O- F5 K
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
& W, {2 ]. X" W3 T8 z2 Z) i0 }( W. c0 A' f; ~ N3 s
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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