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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
% l% g( I+ c1 B I/ m5 R* |0 y我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
5 J; c* z2 I* O& v4 R$ SPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
7 Y. K, W- H& B1 z) e; B但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
3 h$ D! W8 w# i2 M; a9 f, B- _這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊/ J- `+ P4 L& V0 |, L
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
. B# R' ^4 B6 m" | m& @; x因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重7 Z8 R* r2 P" t/ a, @1 E
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢. t' c5 L+ ?& ~# `9 V
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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