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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
/ c! G. N$ X- n避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難" _3 }1 N6 ]/ p/ Y+ A2 e! U
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
8 d, o" ^9 ~, m% j須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區2 K% F( I7 j3 }, c
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
1 M: H6 ?8 O8 |) }4 O$ H錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
2 q1 a! n& V/ r$ p: h/ ~不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況* T( {; ]; n2 n9 G# `2 Z
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
- n5 X3 @! w5 L* j0 z
  D) a  J% U: N& f. ]如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. . Q8 q3 T- [0 b/ p" j$ |# ]/ R
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
, G% b$ E) p- S7 K我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND  r# w5 n$ }3 m+ }/ H
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD4 D5 R/ y. w- X- f. `: o) k
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
' W$ E, Z: u* }9 X& E這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊) A: ^4 B: n5 E& A; L" r4 ?
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input ) N% f) M% e0 H! I5 s) h
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
' o" R- F/ Z5 U# i0 ~6 c. f最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
# K) c: n$ I8 E) rCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.6 O/ i- V+ \9 b- s

$ ~! Q" p* _9 n; o9 L, j[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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