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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer); x: ?4 X. V6 i* G7 K2 Y
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
% s% B A6 n' RPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
- V; ~) R4 V9 b z( F但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
( l2 m" g6 z9 \" Z7 r+ z這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊4 C8 `/ u+ {& A) ] W/ b
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
. v" A% x) k9 z因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重2 Y. l; N( a# U, F4 ]" \
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.* y P9 ^3 k# u+ C2 H
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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Z/ r: A! U2 B, L[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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