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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是* D9 G$ w2 p  v* ~: }
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難0 |/ `7 r8 |2 j# H& N
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
( |/ K) L# m+ ~6 l3 l- x須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
8 P+ M8 G7 Z9 j* J  G/ `6 w才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記, A" [3 R5 ^1 t
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
% {  I/ p  ?4 o' j7 J! j) C3 \; P不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
0 g9 w; ?2 R) r% t* M+ r下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。7 s* j% e! z, G+ j+ h
( p3 t& c" E8 B, M& ]' {$ r
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
9 z9 p. K* _; S' e5 L都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)* s  u2 g& h3 h0 I$ @
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND" V$ W7 L' c. G% b$ N2 b
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD+ h1 `7 ]1 ~3 n- j* j) W
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
; m; i2 `) ?9 V$ R& ~/ n/ T這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
9 x, x  t8 _) J. L- e' f都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
/ K7 i" H  K% P* u3 ?8 N. B因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
6 l/ S( E4 p& L9 E5 |/ H  \9 @8 T7 b最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.; r8 P6 F2 c- H# e! ]
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.# {) g% o, K8 A' u: N8 Z
( h: O6 w4 ~  L6 |! D
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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