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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
# ~& \! l C1 \ T6 ~我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND O' J# X- J' J2 S9 m! h% u
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD c6 p o e2 X5 v% e
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
7 t! ^7 C' T' W- K8 W" }+ z% U% h( I這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊6 ]4 a0 }( B$ I" |' ~+ [
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
& R3 {, g) S9 _6 ?6 Q0 Z因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重7 P; h- e. i- K3 B
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
, u$ Q$ B* q0 E9 E5 _5 iCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.1 D# J$ ] i# K# n
2 D0 J. z$ L5 J: b# [[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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