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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
& O2 v8 V# a/ K我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
; C) B- U1 B- l$ OPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD# C8 j. q; `/ |
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
' i8 y0 q+ V( M這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
+ l; F4 J* n4 J: Z& R9 P8 b都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input & b' J5 x/ A/ C* Z$ T; |
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
3 u$ S4 A4 { @0 }! x最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.1 _$ y0 O0 Z" i/ }, E$ A
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.& r3 m+ N( G( k' \6 T) W2 U
' L1 q# k# f2 |( k8 J! Q- W6 H% S[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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