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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)6 c4 ]; n, [ ~1 Q
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND9 A" w7 W9 `+ P+ {& F
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
' j( \; K8 q, s+ r3 ~+ w' ~" e但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
& D2 z$ X) a/ l+ v" p9 F7 q$ s* W這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
, h: y4 M7 g; E* l7 \- h) h7 ]0 J都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 4 f. }+ \, ^ H5 T% q3 S F4 V# v6 ~
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
$ v$ y3 r: Q2 u* U最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
. q, m# v6 i p% p0 Z' I% q; NCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
; w* U" H5 ~" @/ P' \6 t3 c0 ^, \0 }% b1 |$ b+ s
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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