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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
$ n) l( j# E3 l& U避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難  I6 M& F; c  H  S' ^2 O
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必, u! {' w5 s! w2 N8 L& R/ G/ M
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
8 J0 O  M1 d# _" M3 V: y. r- t才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記0 g2 J" u+ D7 v: Z. d. ~( V4 w3 t  {
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
: j. f3 V: j  z9 \不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況8 a. u: E5 i! ?# d1 F5 P
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
1 i9 f+ R, N" j* o) q
2 ]; r+ ~% L. M$ w0 S- Y$ L4 Z如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. 7 h" j( u) t) R2 \3 ?- Y
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)% T5 Q( O7 q: u9 ^
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND3 p$ q: A1 r2 G) g
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
0 X, m4 O' W( X1 ?/ P但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況9 x" U* ~2 ^2 Z3 U5 [- g' ?
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
& U: B  ]/ }5 C都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input & h* {  ?8 K/ e1 H2 [( O
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
, a% y+ h" Y) f8 K! D& N最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
5 }9 ?9 s/ {: q/ b- Q# L9 v! G. ACascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.- b: h- `5 @" @3 [$ C. W" ~
5 L+ @; p7 z! F4 q6 Z
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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