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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
7 O" T2 k- D7 v/ x0 F我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
g: G9 T- Z. }& q. c9 R5 ~, x2 vPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD: T4 K: ]" H! B. p
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況 {' k1 G$ H. a* O
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊- A: }5 \# w# J; `" ?
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 6 G2 F( p U: i8 D' {: O
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重( p, ?% }3 Z9 }& o
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.& Z% `' \0 q1 P& a5 O
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.# k2 T# I# q! G- U' k$ t
4 r z4 A+ C4 p/ V a
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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