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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是6 D( ]( V7 J' V6 L
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
3 c7 `' g0 a! `$ {了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
% s! n' [+ D$ j須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
- f. S, S' L4 x$ u& ]! M才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
6 Q* V: z& G6 C3 n. A. t錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓( ^* S8 X; C# C7 w# e2 \
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況" {* ^6 m' }8 e5 G
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。0 `$ G3 D* }, o* _0 N! L6 l' q3 Y
, c( Z8 G3 V+ h% Q* f
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
7 W2 ~, i/ L" m  N% H都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
% L8 u$ }' T9 l/ t我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND3 O- U! t6 N; r( Q" H, v! M
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
5 r( n3 a$ \- ^# J4 p! g但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
' D+ [$ P6 T/ B; [) w! I8 \8 b這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊8 @! [5 _( E7 X8 _  f# i; j0 O
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
; i& u* T; t+ c8 t4 U6 H6 _因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重; r5 X5 X6 v% G2 G6 f
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
) u! D7 h5 D7 |5 {% b: ^9 V; @Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.7 U0 p) \7 V/ `2 |# N" R

, d' E% e. e+ Z; Y# X# S( S[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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