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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
@( L- H, p$ ?. U# q5 G我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
* g) M6 v( x/ Z! gPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD) [8 e, v8 Z) H/ K* M$ k4 a
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況1 k* R) |2 o* ]5 _, t
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊9 Z" M1 U1 S* V" ?1 O
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
0 b* r1 Y2 o/ Q# @) Q因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
; g. ^) ]) j) E U; [* u+ n最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
" ]9 y- {+ z. B0 s* v) V2 D' ECascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.. L' H" F6 p% U7 N) a3 Q
+ @) z6 Q0 s0 F; P9 a
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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