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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是2 @7 _$ J. D$ z8 u
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
6 w, K+ j6 [: I了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必3 X; p$ y! y) A  g1 f
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
( E' j/ i6 Q$ k才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記. T* a9 V' p5 z* o
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
; ]# ]' A4 l+ ]* J不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
; [2 v; W: W9 ]" g' }下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
, X# F: u- |3 X% F  y. w0 a
* n* i* g0 F/ S- |如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. % E% g) j( f+ J$ E2 X5 A. q8 F
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
8 D3 ?8 h" M0 P, D- T  o# f6 a我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND( d, K( f0 }, R
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
# o+ v/ _- g0 W. Y; b但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況2 _, Z% @, ~  T1 ~. ^
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊# @: B1 m  _% O% u0 X
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input 7 J$ w* ?$ Y$ x! k
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重3 w( |( J1 t5 M3 A# G3 c- j
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.! Q+ T9 j( \$ i! V- a' \7 m
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.4 ^% M- Z! M4 P4 F3 T& @
2 X5 a- p* E& l* _( Z
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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