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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是; x& D0 _, b! H
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
+ m$ i* ]7 Q( K; J7 F' r了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必( R$ v( A8 m) c% q3 J& u% \% j
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區. ^3 G  T7 b  ]; ?# H* x( B' n
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
8 u) ^$ q/ E8 z6 ?8 C) p. r8 ~錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
, P* ~' y" Q2 J  {9 o- g3 n/ }/ }不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況5 e, a/ B/ l/ u
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。7 w, n* b- N( E) B& L3 f4 }0 C
$ U% e4 f& R/ J
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. 5 P7 v5 O$ b2 _. a
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
$ H) Z* i3 x) r2 A5 Z我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
7 S) \3 p/ D% d5 m# EPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD% L+ Z2 Y4 u1 D# w8 Q
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況& a! x2 X" p2 ?) W4 }7 C
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
* |1 r7 R3 V2 S2 h' S% B# m1 k都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input + u* T4 F5 }6 M. p
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
; @& G& R" u. m( W0 T! i最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
1 K) _. G0 k/ c( s$ LCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
! q! D% w; I9 o
  Z& @/ D  a- \$ s; B5 t* S: H7 Y[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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