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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
7 R" F: x' K5 T% L2 T. C避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難6 U. j- n: P& y: z
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
0 ?, j. T/ C7 ]  W) q- X須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區# L5 l6 y, d% ]4 ], x" W9 n3 r$ K+ b
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記( B  U3 X4 l) N% G7 I9 m; r
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓7 x; d' Y) I, N0 G. d8 O
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
1 e) H  r1 e- }9 \下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
# s8 I: c" m0 ?( @% q, [
! _' W% ~( f9 W4 q1 D如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
& k+ C( y, p2 k0 m9 }都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)- J+ ^$ d5 ]5 w# [. h  P2 U4 [5 p; ~
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
. ~% }' Y& q. K) x- i. S( E' H4 }% NPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
4 [' r  o& g- r( ~/ D' P, Q8 o5 m( G& m但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況9 w: x0 L2 t( r* J- y' V
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊4 X% e' R% v  i8 {. l
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
/ X7 H5 Z1 y1 d! g3 D  t6 v) \因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重& V1 a1 a  I  T8 n/ t& b1 R% v! u% Y
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.$ \( I5 _9 \4 W& Z7 Y
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing., M6 w( m# D1 ?7 e% C) Z# J4 H

9 r" [6 ]  P2 u  b+ v0 n[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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