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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer). U! x; ^3 W+ q: c! N; f7 z' @* P
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND O, A! a; R o' @
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD/ o5 r( h. @$ N$ O
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況5 n- {- s3 p7 N: `
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
) @- X1 D& S( z8 j6 ~. C& P都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
$ x1 x/ N. _$ v8 @ i5 E. f因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重: _: x( r6 D$ K# W7 J9 f
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
+ F# `" F# o' ~3 B5 y: d& [Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing. h1 ~2 I5 K/ R
9 l# O- I) e) ^% {" E) u+ ][ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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