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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)5 x4 b7 {' t: H5 M2 X0 W% w+ X4 g
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND5 P$ u7 p# `. S
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD" h6 p0 U3 O6 h
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況' z" _: U% S" Z
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊- A& n' _8 o9 Q: l! X: ]' U) z
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
( I- y( J( z# n7 ?% u9 c/ \' d因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
0 w5 B4 a7 u% t, d% h( S8 @8 J最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.+ F( B/ c# @- U% [1 q7 i4 _" \ U
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
% k0 u, I+ R" x
8 {6 }. P7 Y& x- x+ b. T( D[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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