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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)/ d+ k9 m# H( S! p6 l' V
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
5 H' H+ T7 I2 B Z2 Z0 Y3 oPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD u/ @1 c- @1 [( b
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況: j" m2 @9 z' V) B: j
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊! U0 y; h7 @' w; v4 m. p9 J. h3 p3 [2 T
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input : e" n3 d4 M5 A+ T4 |. \, x# R2 ]/ w
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重& y4 D9 @# b* l4 ^' [9 H+ |
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.2 c m1 l* c( N* E; f$ _
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
: y$ S' r+ F# ^
3 q8 t1 _% p, t6 l/ w4 C[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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