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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
8 { i5 g/ A2 B. t( u; P) ?我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
7 J" C a" R+ p/ k+ U2 e' a9 }PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD2 J! l8 G |+ v7 f7 P J: \! D; Y
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況! H) w8 t. {% V k' O" L% G
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊; t8 H# k) b5 t
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input * P* G7 {( _! } ^: l
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重! y+ |3 u4 h& _+ I" K5 [
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢. E6 J/ S" Z* S q
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.& ]! a# a4 d, ~& r
7 w8 W' c7 j' i3 C* W* i[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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