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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
, ^: c" s/ f6 v. Q3 p& N避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
+ e/ _3 K$ Y8 y& b1 j了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必. L+ L4 W) ^- R* |! L2 w1 {
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區- _- N5 K$ Y5 D3 J$ a
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
7 P% p% a7 t. ]* M4 |: D/ z錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓: A1 O; y6 @% C' e, @0 i5 B$ O1 @
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況0 Q1 \: `$ u0 p" v1 C; x- k1 J
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
# P2 b" O2 z* w6 q* J  M9 h7 U
; e3 J2 H/ w& v+ v5 i6 \如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
  n9 @; _  X" Z. n都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)% ^3 h4 N' M1 Y$ C/ v
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND/ q! l  r- P. r/ R- d! D0 f7 N" A8 `
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
6 _5 B# n5 \! \* V1 I& p6 u2 M但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
6 j4 a8 R$ [# F# _這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
- m( b" Z* c$ F' J% {都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input 3 F+ G7 e; r* B/ G4 v
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
  d" [; Q8 m3 B9 b# R4 X最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
9 c* p2 k  N1 d/ [3 j* B- U" PCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.! ^$ c2 A+ ~+ l
# @, r4 a( J; a
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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