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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer); d" Q8 d# C0 t, @* o6 q" Y
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
- h% p4 f0 y2 H7 K: J7 X1 i& l! D4 j% F |PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD& x X* q' H+ B7 \2 q. E1 z
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
$ o$ p: K# X) D* W: b% C" ~1 x. I這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊* K: |- @7 e! A _* H$ U
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 1 T6 N! f$ Q/ y7 x
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
n l+ t# r& x$ w最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.) A6 J0 }! t3 n
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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