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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)5 [; Z3 Z( J2 f8 {
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
* L1 O9 x! m3 mPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
/ O+ y9 G! r, C, w: ^/ H8 S但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
# }: _- R* ?# V# f% n* |0 e# G這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊- P+ Y1 ^0 k( c6 W7 [/ [1 }' X/ |2 j
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input * t! |; V% a* ^7 H
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
7 M+ }- G# @& i+ j7 J最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
) P/ L- |2 h; q" oCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.7 K! D, H' Q8 O
) n; M( T8 E# [5 U7 r; ~: r[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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