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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
8 w( R" d- x& _8 \. h9 M7 ^我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND: m& {" t0 c" e% y
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD7 N1 j/ u) h ~
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況* V8 W* z/ L6 ?0 {; P: D) i1 ^4 r
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
$ J' B9 [! \2 s5 m- H8 M都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 5 O/ t0 V. K9 k, j
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重$ ~* ~# Y* Y6 Q, x# O4 t( \
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
( C# ?$ V5 s; T- m& I/ zCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.9 r& n0 m+ a$ F2 W% D5 p: E# v* E
+ ~; G r; J6 B" O( V[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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