|
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)4 m4 I2 u+ z" J' w) M
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
/ [5 @3 _( ^2 S2 m* @PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD0 _' ]' L7 i4 C$ A2 [3 Q+ G+ J4 x+ P
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況8 C3 T: L0 @2 f8 D
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
9 W; e& L- y! q/ k9 H" Q8 F/ S都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
7 A3 @- F/ n' `& X; R+ t因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重3 Y; H$ z7 c# l
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
m, r, d! M4 JCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.$ P! Q& |1 e* A# J
/ k& X/ T7 w$ ]$ h6 k[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
|