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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
/ `& e( A/ M; Y1 `, H3 K我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
{3 J- n" P4 x( c; OPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
+ t8 c+ W1 J7 ? ?! O1 k但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
( I0 _9 A' |$ L3 e, ]5 P! p+ E這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊+ p" }) S9 O" A5 l9 B% ^
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input ) c% f% Y* p* O" U# o
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重+ t$ j- O/ p _8 n
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
5 L. H' z7 o- v0 a$ o6 J2 [3 G, c! m' oCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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. |9 U! q9 M: u( |/ p! F& d[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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