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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
# w( v* V: l1 d6 S5 ~/ L我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
1 f$ y" ?% d/ T& m& l& DPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
0 _2 j$ R$ p9 p! A4 S* ^8 l但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
9 m! A( e) L/ {這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊: Y( T9 M8 y# M; `; N
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
, @! ]7 O* i/ c因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重' Z& C8 n2 }* b; D3 Q
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
# A" ^- K- O. d! eCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.: e& U( G# H4 a% v$ |
4 N8 I6 [. d: w9 K, p9 a' J+ }+ ^[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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