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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
+ T: K w: ]7 v# |我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND9 n, B$ Q3 G! G0 I
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD# t7 V% m+ [6 u* c. l
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
- _$ o! o* m& N! H! v這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
Q0 _: n5 E- p8 @( P- m都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input # l$ I- ?: u% L$ g( {
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
1 j7 ]7 h6 v9 U) q最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.9 I/ i# V5 q E c o/ T
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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