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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是* J  Q  y& d/ m- j; J/ a
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難) q  n: H$ c9 q; ]
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
1 J; T+ f) h; {2 y2 \+ _須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
) v& ^" T3 }! H* ?  v# P; b7 q- f才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
. p, I, |( N: U) y5 a錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
" E' m1 T6 F3 f不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
  ?- G8 o9 U- e+ S2 [/ r# l下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
1 r2 X! e! Q6 ~( V  b1 j6 l2 }( F
7 R! q3 U. L! H1 P8 G如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
9 @: c7 Z# Q! R- m! B" W8 H都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)+ ]2 |8 m  T# `2 t
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
* }( j: H$ {! A2 A1 F$ Y. DPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD$ Z/ `; c2 {, m4 V7 A
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
- l3 y# ^+ F0 o' y' |) q  S這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊& G4 Z! z' A, M. e7 k! X4 o
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input 9 R! e: Y, |1 x$ v
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重2 e! T$ N8 A3 b0 \. R& i
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.( i7 E9 v9 V  J# X1 D
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.3 }; T7 U/ l& I" P2 W8 k

- f0 ~# {6 ^4 o  ]9 t6 @- q[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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