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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
/ i* \% P! }9 l8 C, B; l- K$ F6 @我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
8 S8 V/ B) v3 P, m. QPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD! w) }% M! Z. e+ A% ^4 Z* ?: ?
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況1 l" M4 I0 Z& J/ \% b! }! k& H
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊# x+ i) M- f+ \; ], A
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
2 b% `8 n9 ]+ P( W$ e& V. j! I- m9 F因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
5 U; ?* A) t) \& _; C; B2 q最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
5 L( N; E# \. Y) wCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.# k3 T+ t5 r1 C5 O& w' D
& o n# b0 G2 G+ ~. j) U[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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