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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)* u* n, C! A. [- D# q1 J& U! j
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND6 H, u1 U% s& ~ t/ ~1 u7 D
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD' C6 \5 k, ?% {3 i4 U1 `) |$ h
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
$ t: C4 U1 Z5 P這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊& M6 [; P1 q! w, b: A
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
, l8 L5 i* Q2 ~/ [ B$ P因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
# {% o/ t& |& t- {7 y9 {最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
) X1 k( h }5 T: @7 \Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
* }4 ~6 F* G# i$ n- f( Q& E/ g T3 _$ }, Z0 Q( k
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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