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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是9 b( j) {( n) C
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難7 k8 m+ ^' O3 G. [* _+ V
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
! D6 b% C, ^8 r- x6 Y7 s須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
3 o7 O& y, W$ T3 Q3 S4 J. t才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記' y( |1 I  l' S* V! D$ I
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓" s* C" w0 [" O( U/ {
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
0 b% J& y7 v3 @9 m# l) `下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
0 S, }3 w. H! u/ I% H2 _: }& z! f  U2 Y. a, {
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
! K/ |1 G7 K% f/ q: X都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)) s2 C0 {: J1 s5 V% c
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
3 Q% K2 O" P0 |& x7 G+ _PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
# T* a$ J7 _% z: r7 ~- _  c3 z, E但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
3 O" X# F; i& R; @這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊; h  y! m, R. f0 w
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
0 p" }' q/ H. j( _3 P0 |0 {因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
" e- h- ?8 Z+ ^5 r9 }最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.( _3 N& B4 n: J0 z) k5 b& p
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing., i8 F& m  }2 v, h

2 E+ Y( g! ^+ ^9 x[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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