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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)$ ]; M2 o1 f8 l9 d/ o
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND k$ y r6 [+ m, m2 O3 p9 o/ m
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
7 L# v9 y( v( ?! x; g但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
8 }2 K' J; J! E8 \) d這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
" Y5 n9 L, }0 `9 V5 u" L都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 2 T* B, b0 l" w* D' @
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重) t4 U) F9 T- q2 P: H
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
9 `# e& `0 B, b9 T* z) LCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.) c, `" T; H, b" ~
$ a% T5 [4 \3 Z: c' D* Q' o[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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