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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)) s2 C0 {: J1 s5 V% c
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
3 Q% K2 O" P0 |& x7 G+ _PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
# T* a$ J7 _% z: r7 ~- _ c3 z, E但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
3 O" X# F; i& R; @這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊; h y! m, R. f0 w
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
0 p" }' q/ H. j( _3 P0 |0 {因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
" e- h- ?8 Z+ ^5 r9 }最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.( _3 N& B4 n: J0 z) k5 b& p
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing., i8 F& m }2 v, h
2 E+ Y( g! ^+ ^9 x[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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