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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
' {& g* F. Z, {) v我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND! ]0 K9 v5 T0 @9 C0 F+ U3 v
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
& Y7 a( h6 ?: ?6 I* |9 P0 d但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
; Y' T- O* y7 Q這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
( N/ A; ~8 D- @ o2 u. O. ^4 ^8 D% F$ ?都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
. ?, ^5 l+ C5 V因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
$ R( _1 [6 q# P最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.7 {5 z; ?2 U: X9 R. R; E
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.* L1 N" a: ?' K K1 W* E+ @
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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