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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
' I) `6 u. }0 P# A避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
8 K" B8 E  V2 I& \2 ?: p) Q8 W% n了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
, O0 M, g" H& @- y2 k須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區. [  n, }# c( E$ [1 n* j$ S
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記( D4 P3 W7 _: u5 K' w# \" a( m
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓/ z9 i5 t  f; @- B( g' `+ n) I
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
" {9 s6 m, Y+ [5 O0 n1 ?2 u下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
; Z. }' e# \7 o+ S- _
; M, {+ B) ~- O/ \如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. / \8 X+ }. h/ Q( e0 g' L+ H: }
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
2 _4 p$ G$ L: U* m+ q+ z+ E我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
; y# w0 Y: f' s: E: J) W1 O9 vPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD, A0 T9 J- f- ]
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
0 {7 F% e. W$ t" p* @! t/ m8 X這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
9 b* {5 Z$ @, L都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input ( n# j! g" d+ O9 z8 \
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重( Q1 J' p( |+ J/ w3 J
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.! s5 E; Y0 C3 L; ?7 I, S. U
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.2 N$ M( O$ h! A' [5 d! P9 x* q6 I
( F3 J; W/ j9 K* i0 _0 o+ x7 c8 W
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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