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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer). W) Q& W0 E% N$ a1 d- v8 ^
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
. o$ _# e" \& W% s7 ]) ~5 G* mPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD3 ~' d3 g8 f. u7 S3 e- Q) h
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
) a; H7 ]- ~% e- O& i這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊, |. H! _- M% c3 c$ j
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 3 [( }( p' @; q1 `; g! ]
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
1 `& b3 _ i8 i最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
& v1 v" ~) b' _5 Z6 [5 U( @Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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6 u, T% n1 I) w. X8 ][ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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