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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
) i( i4 ^% t4 K避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難; u5 A; m) L5 h9 d: [
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
; c& _, K  u* }% v8 l  M% g7 j須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區* O" M/ t' @7 \* q! w5 P
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
3 k4 ~  u/ ?4 m) b( Y: v錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
' X& G# x( f8 Y6 K! X0 e不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
, b6 N9 V9 W* N: Q% N8 y下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
) o- x# ^8 R, r5 _- f5 w; j- c
, x# l* P5 M7 D' O5 U% [2 B如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
/ Q& l2 X' L% |3 l# V+ |3 h' M都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
8 w( R" d- x& _8 \. h9 M7 ^我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND: m& {" t0 c" e% y
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD7 N1 j/ u) h  ~
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況* V8 W* z/ L6 ?0 {; P: D) i1 ^4 r
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
$ J' B9 [! \2 s5 m- H8 M都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input 5 O/ t0 V. K9 k, j
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重$ ~* ~# Y* Y6 Q, x# O4 t( \
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
( C# ?$ V5 s; T- m& I/ zCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.9 r& n0 m+ a$ F2 W% D5 p: E# v* E

+ ~; G  r; J6 B" O( V[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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