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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
: E" y7 Q4 f2 l( j; ~避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
9 I& e. r) p2 g  V了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必* i1 V# N0 c* u) }; Z2 `
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
" `. r1 ~: X4 I  b9 M# f: A" j才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記+ s( B# T# r4 B4 Y
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓% B$ {1 a9 ?/ `, M$ P
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
  l' z3 |0 N5 p6 h# w& y下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。- g) S5 X1 v# k1 [& r

0 n3 c$ B+ \3 K! A8 Y如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
& }: ?! k/ p% g' I; P- j都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
# R. Y7 r8 U2 @& s$ A我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND9 V9 j+ ~! R6 P: u9 E
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD6 _  w/ y4 L! Y2 `
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況' v5 n+ B+ c. L5 c
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
- k/ A0 c/ [, E都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input & C& a+ P+ ]% N' h% R
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重$ d8 p1 F7 n5 i4 A- U5 X  R0 R0 ~
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.* l5 m- h' T) q0 t' X
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.% t+ M7 d/ }% j7 U2 [" Q+ G/ Y  V( ^
& |3 Z! \( i4 W. U, A' ?. Z
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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