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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是1 I; N: N2 k/ H# w) [7 M
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難: I9 \  G2 ^" \: I" s
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
0 Q9 ^( P2 [+ i' @須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區3 G4 U. Q% y6 w" r' ]
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
3 Y5 D1 Y0 q" O, W3 s) |: T! ]( L( V錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
. r/ ~  y# Q3 g6 k# I* ^, ^不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
6 j: V8 v8 z6 x1 Q* {& C下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。5 w5 {' r. u' K" C
, g9 i: q* ]- |- z% ^8 L
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. / s  ]9 q) p2 m& }" l! F3 t
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
' D7 D) w) ?& w  F我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
" d6 p+ K  ^% Y7 O% Q- q. C0 qPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
& r( A9 E( @4 C' r4 k1 f; C但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況4 U! S# H( e3 j+ J' d
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
" K/ O0 |3 ^4 Y9 r0 C9 ~都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
) W8 B. P$ Z+ j因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
9 i2 \: r& n! O" S5 r# Y8 n最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.8 D  D7 Y7 O7 l/ D& q
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.; k' V1 S  _9 C1 [+ a( h7 w
1 d: [; P0 M. i! B5 _
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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