|
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)2 \, H, E6 `3 B+ [! E
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND, o y% Y- g, m% S1 p
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD6 f# Q0 U' _$ w$ B
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
9 n( j6 e$ |0 f3 I2 ~) m2 C這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
5 _* M9 \6 g6 S1 V& i0 z* X都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
8 n: v% ]3 T. e; P因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重6 L# U+ D( P- ~- s8 u4 t' ^
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
2 g8 @8 ]. `1 z: f2 s; ZCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
# W. {' R. j% ^4 R
# f* Y- h3 g r r' h/ @9 J[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
|