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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
7 f0 K1 O) T7 z+ p9 e! l/ R D我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
2 w$ P7 H: c$ m/ | Y" y( u$ DPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
3 F8 C3 o& S0 }! D/ W7 b* Y8 m但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況# s4 [- W# m, K \$ {6 c) v
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊/ R. B0 J, G% f4 s, G
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input ( m- U! D) i$ e* `
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重9 Y/ X0 R' h% g3 V( I# F/ i
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢., j/ F. p, y w( f5 D$ D
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.4 x8 d8 i) c# q' ^+ L$ W( i
6 ^. ?* q) R; m0 {; I% d0 U9 P[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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