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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
. {0 _) d1 n7 Y7 F5 O! Z# ]2 \5 a我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
7 j2 }: V: I/ o1 K( oPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
/ ~& {) f- X! i1 s但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況& L# r, e. N0 O4 c5 e, M4 }
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
5 n( Z$ g/ m. N, \- C/ @都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
( t9 m) f. W3 O# e# L因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
' n( _' G+ a6 o最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.0 o0 ?' [) \% j: p! }
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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