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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
g/ P3 e1 I, W我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
0 i2 S L% K0 @6 f$ N; @2 o+ zPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
+ J" r' x% z- A* q# H+ Q但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況+ S, F0 c1 c$ t! p! ?* V
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
: i% x) ~ @, }$ F8 I' C都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
. ]7 g" W8 c- P3 ]2 G因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
y; [; y E4 z! k3 O+ u/ D. o! B$ w最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
6 O0 C8 X3 x8 mCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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4 X2 }, Z, s: l# Z! k3 P* ], p[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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