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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)# U* i( o4 ^% A+ [& T' A2 q" P
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND; E; ^& K) h4 N$ _
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD" n; [: w! C* ~" H
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
0 m" p5 _* d' L ^ P4 B" L這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
, k: r: s4 t9 E+ }( X+ ]都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input , \! r! ?, r% P
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
+ @0 o2 n) ]6 x9 M X: s最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.( b# w- r; f. O4 J
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
' a) G4 X! c& ~) K5 k' V) o- b$ s6 Q, _! [# d" u. k2 C9 y
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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