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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)6 r2 k$ R6 A0 e- |
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND# c3 L6 D7 G! p% y
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
, s) k0 ?( k3 l% h8 P9 [8 B/ N7 k但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況, [: o; \+ c* J. `
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊" P; e. A! ]$ v1 H, |; K
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input $ y% g; t0 |4 P) G- r0 d
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
( [* |3 f5 ^" d2 l最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.) T/ i; H" W% ]/ z
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.6 y" T' p# \3 O$ X
, ]7 q! h8 f6 C( s: ]" c( A
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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