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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)9 R, `% c. {/ j% q/ S
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND6 K) ]; o; U/ W$ k+ E& |# e; l" S( @
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
) Z ] Q0 S2 U% b# `# T但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況3 ]5 Z. x, s/ r r$ m$ t
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊 W8 w5 m* G- B. `! T) A
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
4 A0 U- s5 P$ @+ P @0 x因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重6 X3 L& Z& K+ U# I
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
1 p, n, l# ~" Z: S _Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
9 Y8 @; K2 \7 S J$ V! ` ?
/ c' U. G/ I. u, x: D[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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