|
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
( X3 u! c# G/ \! T( U9 e* [1 f我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
: f- A$ S$ R$ T4 z7 TPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD) t# l3 R/ O6 s+ s4 O
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況* D( C: F# u( s, z: J2 Q$ c z
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊4 O E7 I7 U* k3 I' i
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input - Z& j' S, e/ [( B
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重5 b6 h6 i1 {0 Q0 j9 r
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.* q4 |1 V; O2 N. d5 T
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
8 c0 U' {9 w F; I+ s: b$ r3 W$ W& _6 g2 K$ [; _& w7 L0 O
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
|