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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)( I. y; E5 `/ l) W k' D' ` n
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
4 ?1 w$ R+ h2 p; \2 ZPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
- v8 F I+ [1 H$ M9 a z2 X但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
% g& m% v# I T這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
1 E# `. a' t; k7 J8 S都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input " i5 p# q/ ^' a$ D& c/ A5 O
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
# R) x" n1 S, c最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
( B/ C( B5 S* PCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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/ f' h2 D* T/ i" M$ o( k0 m1 {) z[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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