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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
0 [2 J/ C2 Q- k0 j: Y7 m% S我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND$ J1 R5 x2 p n$ ?7 |0 ] X v
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD. l7 h2 Y6 H. }+ E
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
) O# L! _( \7 K: a k. y) B這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
# \4 s6 M: V, v' [- I+ G都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 1 R V% q& ?" p' @& Y- l
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
4 \3 y \! o E% i最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
$ [# [9 p9 y, x5 i6 }Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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6 U+ r2 b8 P& w# m+ f1 _[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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