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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)6 O9 T8 l) ~7 L6 J$ e( ^% J
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
9 b9 z( Y i/ X) d: u: fPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
" H% F1 ]7 c3 w6 \4 g" e4 a: h但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
4 N, l0 R% g! G L5 f這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊, }$ \. B1 f8 L5 R/ B
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input # C/ g8 p( N1 }9 l. P
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重6 b l* }; X+ E: {9 W, k% o- Q
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
$ ]4 q, D/ \4 @3 L( x6 W$ T% }$ ZCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
$ x( E) [7 o$ y. f8 h. R' v6 n5 p/ i9 `+ Q0 a
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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