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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)- Y' P0 f. _$ G3 l& f( t9 ^
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND9 H1 |2 f! W' \ u
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD# Z4 D) U) D: s$ r
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
/ {- w. r! K, |3 M2 z5 e- W這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊$ R& m1 H* t5 F9 R7 W
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input $ ]% D3 M5 `6 O4 o
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
9 I, q$ }$ `4 N j最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
! r" `! |4 y! e6 D* E" }Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.) _: U2 U, p) P9 P3 v+ x
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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