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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)8 N4 |1 D$ o: x; k% I# u
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND6 T7 t3 ]' g+ E# E4 v4 f
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
! }% n& R+ I* ]/ g3 @% c但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況# [* i! d D& ? X7 I
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊& {# Q- u4 L; X- p
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
- \, ~7 {( G5 y因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
' T: b0 i5 X* a7 O# U最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
3 q6 o" b! e0 r+ P. ~Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.. G2 P% E! I8 I: J- u
) Y8 B0 [2 n" i, z' N- ^3 u
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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