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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)/ D& a: X: f$ J; n
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
/ K3 i Z) t5 G9 d! zPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
& [, {) Q9 M* c" K* {! U但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
y" B% e2 @6 ~6 V這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
- W! A. _; q/ m* I3 a都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
- x9 }. j, l" C% R因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重/ k. K' l7 I% _% ~, R1 s
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.3 P' c2 y6 z7 y, s7 }
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.2 q9 X/ w1 C c% B
& d3 k6 B4 ^% T[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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