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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
' l" ~8 F" e) l5 Q" ]我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
3 X' ?5 K1 b/ s9 O1 G- PPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD( f# x9 \3 X6 G% O$ e! e4 W
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
# a( F8 M z( c, v# M這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
- V5 h. v" I& `都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
6 X! L# Q3 W2 ^. b. e- S因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重$ ~7 h" ?0 p3 M, I/ \
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
9 H$ O2 C3 _1 ~' _( ]2 RCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.; z$ B2 X3 h4 F; `
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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