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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)' B+ V, ^, a5 e3 o
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND& a0 H$ V# l8 [/ C. Y: Z
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
1 ]& c; Q' R5 t; E7 y但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
; C9 z6 c$ ? O這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊/ d: ~% Y4 P) K" Q- X
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
& j* N! y0 G2 b& N' k/ n因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重9 Y4 r3 i0 M+ L/ a4 \; x
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢./ J6 u: O; U1 p" m4 x
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.; y; Q& Q9 R& G0 Y
' B7 Y0 g" C+ u! E3 Q8 a[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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