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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是% _- T( u0 P. R, X; k
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
( t. G. ?8 C! q1 Y& G5 z了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必4 A& `" I5 R3 _' M/ B
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
7 W$ B. T3 j: t' ]; [2 ?! W才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記/ L$ n* `, v7 w( n  E: V
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
7 W4 T% Q* y. D* O不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況) l3 b; ^. [! w1 o1 |) I2 g
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
- I& x8 \+ Z! l' I# H; U% Q* d0 ^: v
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. $ b& |* `# U3 \; }; f
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
1 k  G. v) Y$ H3 Q- K1 H  B我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND  |  Y' M- Y$ t5 f& ]9 j
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
  \3 ]3 ]% Q; ^# _7 n但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況6 U$ J' x1 ?4 l: u' @% |6 Y$ p
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊' @" ]& N% J; m0 J5 |! N2 E( d
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
3 C; a+ C. ?' X* K$ M. C因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重: l- p5 ?) f( Q3 O
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
  O0 h3 {2 n( pCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
% @; M' ^9 a# h; k% G7 N  D' f5 n* Z8 x! A4 {3 _8 G! P
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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