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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
9 O/ ?) S4 h C* e( L* M5 |2 {% A B1 [我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND6 m' ^; e* x) r4 @ p. r' j' O. W
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
$ R# g& l( A: ?" |/ c但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
2 A! d, T0 M M: e1 W" W, C這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
6 x( D& R+ Y+ [+ v* l5 u/ z都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
. h4 [* |& H( M5 ~因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
! W, K. F* i4 ]) ]. E( |: G+ S- ]% l最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
; l% U# K% S4 B1 S, VCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
i6 a0 Z1 R9 ^$ }6 C" l0 ^1 r; t0 ^2 j1 _1 o0 L, |, a+ i
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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