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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
" U1 k2 c, n5 _+ [% a避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難# A2 G# }# i% h1 _
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
2 V1 P* G" A' O( [須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
  }! U$ y0 x& L! z* c& A才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
+ p- d' @1 _9 m錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
; U" s# R5 }* M不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況* j/ |1 T3 U. T$ R6 N. G
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。9 w0 q9 P; L$ F
( p0 m+ E% G: Y7 J8 y( ?/ o
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
3 K  T* V, n- C, V  O4 N- z4 p都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
6 Q! H7 C' i* Q/ J8 h- ]* A我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND. h, Y3 r4 K) U7 @, q0 ~+ c6 w1 a$ {" ?
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
4 n# h0 I3 T& J/ Z但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況0 x1 |* V; d" O
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
$ Z5 Y- C" g3 z( b. D, _都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
3 ^3 ^% J; z: ]; h3 A1 R/ c因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重9 J6 \+ R4 {3 g# R
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
4 }. q4 c( o( P: B$ v' m9 ICascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.) ^3 A" S) z" {) K4 M

# ~1 W' ]; N. {+ R/ b5 f& K3 J[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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