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BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是; x& D0 _, b! H
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
+ m$ i* ]7 Q( K; J7 F' r了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必( R$ v( A8 m) c% q3 J& u% \% j
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區. ^3 G T7 b ]; ?# H* x( B' n
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
8 u) ^$ q/ E8 z6 ?8 C) p. r8 ~錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
, P* ~' y" Q2 J {9 o- g3 n/ }/ }不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況5 e, a/ B/ l/ u
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。7 w, n* b- N( E) B& L3 f4 }0 C
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如果有寫錯還請各位指正,謝謝。 |
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