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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)5 U9 ^3 }4 w H% y1 Y$ |
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
x; x: w4 M; p5 j: j, L; IPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD( d( |/ r/ H* h) L+ g1 r' w
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
4 u P* ?: }+ D2 Y0 ^$ w$ E這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
8 R4 h" X z, H0 \都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
0 J4 k! A: M8 K: x, U1 u因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
6 g6 v% A5 c, z% w最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.' q3 B3 {. D! P
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
' }" D, x# q/ B: C
1 j7 H' c5 S9 L p[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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