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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
0 V1 x1 n* g1 t; y6 K& h+ b `2 B, [; M我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
/ J: G9 j$ |9 ZPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
* G2 M8 s5 y# g5 X$ [. Y( K/ `但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況9 Y. z% y4 ]$ \
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊. e6 f/ e$ w! `$ F! ~6 G. r) z' T
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
" Q1 e) u5 b, B* B因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
( O6 f( j& ?1 a \6 i* T最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.2 ~' p8 Y, N$ ^; J9 u4 n4 _( {, Q% o1 M
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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! Q6 y% Z" p- h( s8 o# m! e[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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