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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
2 J5 W6 Y/ r. V9 K% ~避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難6 O: v" t2 l  f8 ]; S
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
) ~) m% p" k4 k, {' ]% Q須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
4 H* _" Z7 ~2 T1 Y1 }. d6 X才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
! i5 ~# l2 j; X錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓0 z. V; y3 g$ l4 `
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況7 N8 }/ v% y" U5 m
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
( s) J* j' |- v% H1 z1 K2 x
0 N+ N" Y. D; s* A. z* A如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
2 Z- Q4 \: @6 m+ ^& }$ b, Z  n2 v/ |都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)3 s! P( r1 \, C
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND, |- _4 H6 L# c! L  m
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
3 K) E$ |& D0 m: A8 U9 I但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
0 ~- Q/ p5 a2 ?. U0 v這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
0 z) V/ A& F, K9 I都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
+ v2 D5 B( O# W* S0 N& L/ v! {0 C" P' I因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
1 p% o9 ~. I  n5 P" s1 Y. V, C最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
; C, c2 N8 Q9 w$ K$ gCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
  ~/ C7 x( u) {7 l1 ?$ Y) k/ h6 q# S$ a
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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