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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
; G$ g" Y2 c8 ^7 R4 B我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
- H$ w3 W% d4 }$ t1 g( APMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
! `5 k1 h& H5 r. j( {9 ]但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
- J8 F- z! r. ?% V這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊5 P& q% t# Q+ N
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
, T3 y3 C2 J3 o7 M7 a$ d8 V因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重$ }+ G9 x2 D4 I) J
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
. u- Q0 i2 C4 N$ kCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
& e' _7 K) @' a4 F; ]4 R4 s7 M1 X* q: e" M8 w9 M
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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