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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是& g$ H7 v% c+ v" [$ g* r4 M2 s9 S
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
; S. K/ Q$ w" X了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必. B' u. a& _0 d( L  W
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
  X* C0 B6 c% s, u% V) o才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
( p3 W8 i( q+ i/ n; {3 _! n錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
" \( ~$ }" c# R6 z7 g- Z不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
0 R6 f3 `" s2 u$ |下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。( Z3 N, v8 U8 ?& Z8 q
0 h: D, h! @- l' @
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
4 _6 F7 j( V9 p1 o3 r! H( u  E都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)6 c4 ]; n, [  ~1 Q
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND9 A" w7 W9 `+ P+ {& F
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
' j( \; K8 q, s+ r3 ~+ w' ~" e但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
& D2 z$ X) a/ l+ v" p9 F7 q$ s* W這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
, h: y4 M7 g; E* l7 \- h) h7 ]0 J都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input 4 f. }+ \, ^  H5 T% q3 S  F4 V# v6 ~
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
$ v$ y3 r: Q2 u* U最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
. q, m# v6 i  p% p0 Z' I% q; NCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
; w* U" H5 ~" @/ P' \6 t3 c0 ^, \0 }% b1 |$ b+ s
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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