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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
- d/ n7 n% ^, y# @$ A4 s+ N; t. \- c% L避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難4 H9 ~! D5 L6 w( k3 f! N
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
6 s+ m+ G4 K2 E須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區& O- i8 L1 ?; }* {, m. `/ V
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記9 I0 X) g9 f3 V; M* f: ^
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓  ]/ M# J3 J$ z" c. w
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況5 X4 t( f. \1 O7 S- D  W9 [, ]2 ?
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
+ \- G  P' A& s+ ?; j  M  O3 A  P  }" P2 E& [. U- Z  [8 v  q
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
7 @9 A4 U! T* U. v6 |) X都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer). W) Q& W0 E% N$ a1 d- v8 ^
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
. o$ _# e" \& W% s7 ]) ~5 G* mPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD3 ~' d3 g8 f. u7 S3 e- Q) h
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
) a; H7 ]- ~% e- O& i這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊, |. H! _- M% c3 c$ j
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input 3 [( }( p' @; q1 `; g! ]
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
1 `& b3 _  i8 i最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
& v1 v" ~) b' _5 Z6 [5 U( @Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
! o1 u0 f4 Y7 |8 |4 T; c; K
6 u, T% n1 I) w. X8 ][ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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