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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
+ c' L* `5 @3 y我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND- }) w, k- n5 ]+ ~4 N
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
4 d8 @6 [4 V( G" [4 u$ x) p" v! Z# P! N但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
$ z. w4 k5 I1 k' G這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊! q: d& G0 `9 C) ?
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 5 j+ _# y' r; P# y' g" y& d7 b
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
p% ?, t! V$ l! [5 [8 {最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.: l7 z" R; l8 l9 }! Q' ]8 v1 ~: K! T4 t
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.! @8 \6 B4 H, Q! P
% d" d# F5 b* c8 V; F[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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