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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
& @ k$ x f H* j1 P我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
$ k# u7 N; y9 _1 ~& ~PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
: e/ h$ R9 K, Q% J9 ^0 ]; B但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
3 u' g% P7 T# S; f這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊( @" p2 D2 j9 f( Z z2 J, ~
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
7 b7 u3 l0 N2 t因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重: ~# u2 a& I- `4 c: b
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
* U" U* p( t- T* b. DCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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1 q& ~+ N0 W! j! _) n) a[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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