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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
' ~. c5 A) U; U# S8 A3 S. y3 K# ?5 T我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
9 e% z2 `8 L% @2 fPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD: E; x) a/ z& n! F. z& ]: \
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況; ^. _1 G; ?2 k$ U
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
/ a) e, W0 s" [, x Y都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
* q/ \5 ?2 F. b8 R# M因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
$ [1 w, J/ J- E* x最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.2 U$ `8 ]4 Z1 g3 H8 d
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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) S- M2 q3 t1 t" \[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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