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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)/ Q$ b( _; \' a7 U3 ?
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
8 Y; K8 D" q( Q7 a9 k8 Q9 mPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD! f5 p9 O( N4 w" D( p! _
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
5 W) o0 r' D, | {4 u這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊8 v! y% z+ \8 S& ?3 G/ r
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
8 \% ?, u- a- X/ u因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
- p7 Q; @. _8 `. A- i0 A; Y最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.; n3 o; p; n: |! w* ~2 `1 o: y! R
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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2 ?. `7 a) p4 W, H) Y[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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