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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是9 n5 U  N4 D4 j* x" ^0 g4 r
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難8 F  P) }4 L4 A; _9 a/ S" g# G6 V
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必9 V( w) _2 p* }) b/ M% Q- G$ G
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
' H: T- C" C+ Q9 y才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
1 |1 Q: l' x# K+ {- ~5 Q  U  `2 B錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓# k% g. S5 H1 M/ A, P
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
( c/ R' B' H7 C0 G& J下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
* w+ ~. Q& q  g/ z3 m9 i2 A
9 b6 @' \: H3 A% I: M; m1 W% v如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
' I( ~' n" ^0 j. W4 p2 z: @都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
. {0 _) d1 n7 Y7 F5 O! Z# ]2 \5 a我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
7 j2 }: V: I/ o1 K( oPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
/ ~& {) f- X! i1 s但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況& L# r, e. N0 O4 c5 e, M4 }
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
5 n( Z$ g/ m. N, \- C/ @都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
( t9 m) f. W3 O# e# L因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
' n( _' G+ a6 o最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.0 o0 ?' [) \% j: p! }
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
& h; H  L7 K- K8 M6 ?6 U4 u' z1 o3 _- p: q, R5 ?3 |- R
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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