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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
7 H! [, g, n4 i' {避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
+ C0 @+ z' P) F4 e) m了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
/ D# A6 z3 }% a9 n須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
, M" J! r$ e) r$ b+ r' Y才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記$ B# c9 A+ @! i. I
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓$ G- f1 q6 G' A- u5 w- J
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
' u' h5 `0 i2 x下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
6 d0 x( P* r$ x, y4 u4 q# z/ d9 V8 ?& W
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
+ e6 R8 z1 H. S9 V2 D6 {' k都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
4 u- r  h# y+ N8 U我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
2 S/ ]# M9 }1 j' a6 k. w7 c/ xPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD/ z: x7 r& @9 h) ?: l
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況  c$ L4 {4 z/ f, D4 f
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
4 `" o  p/ c9 ~: V都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input 3 r7 s" U& k4 U8 v5 a" y
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
3 o$ B5 V# _: ~  D! T7 z最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢." z" R+ E$ ~1 m: @( a# V
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
/ y' q! ]0 [* e$ w- t+ j4 K) @! ]" r& A; z
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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