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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
; \6 t; Z( h, Q1 d) k" ~8 C6 O避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
1 |2 F# f, Y. }) Y& c了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
2 n6 r, u" T# F' [5 L須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區! F9 @* Z; g/ B" |9 Z
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
; F6 T7 f/ _1 {: I2 ~9 F5 F( U錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
( ]  ], W; H( J* f2 g+ ]不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
; E% l; _, @; D% l- z下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。( F( G/ [) h0 z+ W. }

, S2 Z( a6 Y- x% }* G7 B$ z7 R! u: z如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
' P$ u4 w' I) y2 q都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)  d8 V# B: I! y- E
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND  B6 B# _) \  {# F- c- X
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD; w5 p0 z0 ]+ E3 ]% |; |' l& |. t
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況2 j6 F* E+ y& [# s. p
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊! d* J# s: r# V" x/ k0 ^( r- E* v
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
, z, C, h. F2 \) r" V因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重7 L+ S" K, k7 C  G# `; Z+ r3 S
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.) \( a3 Y3 U# t
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
+ C0 q6 @8 Z. v+ q7 n( g# G6 i( n' H# t, U. v' }9 E3 q9 g3 L
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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