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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
! f6 a+ ^0 y9 J8 A: @+ j我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND2 \5 B, K* u4 ?) j3 x5 [0 L
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD' c, T( u% M& |8 S2 z- Y3 m( W
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
) [/ H% p4 @. N J9 t' k# _6 p這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊$ q" U* X: D& V$ ] X) b4 D" R8 c
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input / p; g! N1 `: V
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重% }$ K% ]1 f' K$ G, z' c+ c, q+ ^, i
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢./ k s: A3 q0 k7 ?: ^
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.! I' P! i/ T8 k& r9 u5 O
- t, L5 ~# U4 X6 I
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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