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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
8 A3 i, b$ g& U2 W" V, D5 J我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
/ |# Q3 H9 a8 W6 ~, Y. X4 F* }) |PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
. ?2 ^1 b3 d3 z, N6 m但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
R9 R2 X* @+ B6 T這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
( b% H5 c% x% }/ W! ~' C都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 6 W" C! v# H, @1 l# I- I) N, A9 @
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重9 S6 e1 C+ `8 o! A
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.: _4 J R4 U9 i7 I* E# [/ k
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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( O+ q1 r3 }( [( U1 u[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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