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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)8 H! }- E3 P8 L. _0 {- w `
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
8 Y: U$ f N! I' A8 l9 nPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD3 n6 z4 x& C% O6 t9 i
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
) Q; A; \- ?4 M% ~這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊! R! s' x2 E+ s6 ~" O$ Y
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
& n" r) `: e0 ^ f y因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
* p, F7 n! l1 ^& J最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.2 t, F0 h2 O V$ w) h
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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. y" H: s, d5 r! F[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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