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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
! x. [+ o) `- {3 E避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難9 o( a# {. [5 L  v$ t$ J* Q8 ~
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
8 e' q. ]7 t9 O# p/ d. u須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
) M: N; I3 k7 q! l7 w- x2 k( n才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
% y5 t- `  `/ g6 N錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
0 V6 q! _; s: D不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況; l- V9 ^: i/ x5 u" K3 E1 {# z
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。$ J- E; p1 \* r9 _/ a

2 ~1 h+ X4 Y$ }/ c如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
$ M% `: f- @" K" c' [* f$ U+ F5 w都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
! f6 a+ ^0 y9 J8 A: @+ j我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND2 \5 B, K* u4 ?) j3 x5 [0 L
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD' c, T( u% M& |8 S2 z- Y3 m( W
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
) [/ H% p4 @. N  J9 t' k# _6 p這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊$ q" U* X: D& V$ ]  X) b4 D" R8 c
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input / p; g! N1 `: V
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重% }$ K% ]1 f' K$ G, z' c+ c, q+ ^, i
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢./ k  s: A3 q0 k7 ?: ^
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.! I' P! i/ T8 k& r9 u5 O
- t, L5 ~# U4 X6 I
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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