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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
$ f3 n7 b! ^2 n$ e/ \7 H# F我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
( ^- u# F6 {* Y9 E6 q4 RPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD* U" n9 p- O D# K0 G' R' m/ g
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
: i0 J6 Z2 y& m! X; N- g這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊) d* F- T" t3 h$ `( O
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
; G, q- G8 A& s- I) H0 C因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重0 y; r+ t m9 P( E1 s ~* e4 d
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
1 ]* f, y! X6 d+ X6 \0 E+ iCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.- C# L; a# i/ \4 T+ i" F9 v1 H
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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