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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)1 `3 v ]2 a; w+ Z) u2 i$ O1 {6 n
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
- y+ f: x; i; pPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD: @5 @! U& S8 q1 d7 M1 y, T1 Q
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
- i" ]% d1 h O) d9 y" F這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
/ F" F( q) a, A2 f: J( S3 v2 K都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
, g" u. ?' c1 u6 A: \+ d9 Y因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重$ S: m' c) |8 s6 d( s& e+ e9 G# n
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
9 d4 A4 {5 v W7 ?Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing./ W" h& `5 h% i! F3 g
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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