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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
! H: \) P. Y+ s) h. W避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難# j# F5 x; D. w, r! W
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
- v6 B9 s( p- l0 T( R+ t2 W4 A! R須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
4 z# P% _0 W7 t9 z6 I# s才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記3 `$ D: F6 ?6 v( e2 I+ {- Y
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
( Z  [4 b( I& G1 _# M' C7 v不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
8 U: h. W6 M! \( g4 j" g下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。3 R0 Q9 b4 v. D6 c$ E  r
8 T' N1 i3 l2 W2 L. a8 W  i
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. " G" }: Z0 n+ Q; l; x: G! {& k
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
& O2 v8 V# a/ K我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
; C) B- U1 B- l$ OPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD# C8 j. q; `/ |
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
' i8 y0 q+ V( M這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
+ l; F4 J* n4 J: Z& R9 P8 b都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input & b' J5 x/ A/ C* Z$ T; |
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
3 u$ S4 A4 {  @0 }! x最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.1 _$ y0 O0 Z" i/ }, E$ A
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.& r3 m+ N( G( k' \6 T) W2 U

' L1 q# k# f2 |( k8 J! Q- W6 H% S[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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