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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
. A8 I1 \& `. Q避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
9 A. I5 {$ K' `8 D1 P- i了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必; i, W" v) j2 q8 O
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
, h; a, ~8 i- A* r$ E3 A" }4 V才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
2 N+ ~# @. P, u# H% x9 L' d錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓. z4 B1 _9 P" g' g( o$ b
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況$ S( B" [+ `5 x$ r
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。* S5 ^! s. m* E, B
$ Z& H& j, x" W$ l2 a; |
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. ( r) c3 t! r1 x
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)% S! U1 f9 K& D: G" k, p# o# v) l
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
  ^% G6 T! x8 _6 VPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD4 a) {5 [/ _: r. y& @: ]
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
; B- V/ a. |6 [' \& @這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊8 f  j  |& |7 y2 ^
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input / J' F1 b4 s1 X% T" z
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
+ K! |7 P$ K7 J* R8 P/ }; m最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.0 r6 d( k2 ^$ x4 N3 @+ X7 f8 b, j& k
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.5 r0 N# _4 y# C6 @4 {" I
* ]$ w+ u/ |1 `9 @7 n! N
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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