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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
1 m7 m/ X7 `# H0 ^( E0 e我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND5 ^" c P( m6 g$ ^+ Y+ o! L0 O- d
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
( l/ R5 q0 H7 m9 ^% F3 g9 v# s但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
7 X% q4 t+ C' S/ S( N3 w這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
8 O: t5 V' E; t+ K! D" A都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input ! s: L0 s5 ^; ~% u/ H" ~0 ~- E. ~
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
) ^: @3 z" {1 d7 y( A9 Z1 U7 r6 `最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.; w5 B. a- |5 v- s! S
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.5 @/ n( X3 w, T: Y& T4 a
- j) k2 M: m; g y6 F& l[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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