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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)7 g- x T# f7 t& D9 A
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND) y% h- O1 k3 P L6 f
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
" ~% ^3 ^- h m/ U$ Y但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況& X/ B5 a3 F5 W, ]$ n0 o1 C" S
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
7 f. g, h1 f0 g# M" t! S& a都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input : X# k, ~6 ^3 E' n9 C& \
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
# M2 @( j& W3 ?. D" Q. m6 Y最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.7 U0 a6 ~5 v3 V* m5 V) g- M4 l
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.+ z2 N2 O) L9 B
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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