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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
# r' L3 }$ [8 R* O+ c/ M2 W我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND# \, l, v5 C5 a8 `. e# g
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD* t9 X: p2 v( {' n
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
% M; k+ F- i0 K; l% e! [這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
3 k" ]6 @$ ^0 c, F E- e. i$ _都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
8 G. V" z6 U8 [0 ]! ~% b4 y因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
7 r- Y4 a" c2 L9 P; V% e V" O最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.& i& W. J0 G/ f
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing., @( i" d+ E! m/ n+ G( f
: H0 ~3 f& c" |( d9 Q- s: i2 q5 S% L[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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