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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)( m. R6 n: C5 p
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
0 v- p9 m1 `! r c' P$ j# ?4 cPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD$ T; H- a$ }8 o ~% h. a
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況* V4 v- V' r5 g2 C. [
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
/ g- a5 z5 M5 {- W* s+ P- r都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
7 s( Q8 J) a: L" H1 I9 u因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重! i: L( }" s, N- Q# q5 |" C( p
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
! x2 E- `% `+ h7 \8 _Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
% ^. n5 _' S0 R
6 ~7 u2 l- F+ M5 u8 a[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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