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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
U) p" N( x( k1 E我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND! t6 O }+ s5 i# S4 e% @. w: q7 z
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
7 V$ F) G, V {- r8 n但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況" [/ @! c5 q. X! g, @7 x4 i
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊" x, @4 N% J ]1 @) {
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input + u( T/ L: n1 {6 U3 C+ y) J8 B# O% n3 V
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
; x; g f) p% J& ]: L5 B% |最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.9 H {, f) R" x, M
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.9 b2 [1 D9 ~9 f- ?& P* c5 t. e+ _! R
1 b- w( e7 G# R/ T9 C0 ]
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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