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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer); o4 T1 l A. l
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND$ L7 g& E( o0 P$ Y. s/ j
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
: T j1 ~9 {% T2 G但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況5 ~* b9 T' E4 q7 r+ O9 p
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊! `3 J) E/ K7 v {7 P. O
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input % w# h2 o9 g5 p" Z% R
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重- T) |' d( V& ?8 \) S& t2 m. N
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
3 z4 u0 h0 h0 v d' u1 G, F! r7 |Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing. q N( S: E* [0 P( Q
) U" j% y$ D$ g& i1 X; q( W0 f[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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