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為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK

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1#
發表於 2008-3-30 18:28:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是- ~* h; B; Y6 ?- F- U! @
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
. e4 a# t9 L& p了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必$ j- a4 }% B: z/ n
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區( P5 O$ Q# R9 ]) \& f
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
. M# ^* U/ E- j  z錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓) z2 g, I% V- p# z# c- Q
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況" s" d7 i$ f& C
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。% l3 K$ O6 c8 W9 T% c

, X' W; v9 g! h! u$ R; G如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
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2#
發表於 2008-3-30 19:15:40 | 只看該作者
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. % T" V& l0 f5 [
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
3#
發表於 2008-3-30 19:31:01 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
4#
發表於 2008-4-1 00:18:14 | 只看該作者
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
5#
發表於 2008-4-1 07:29:14 | 只看該作者
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)1 `3 v  ]2 a; w+ Z) u2 i$ O1 {6 n
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
- y+ f: x; i; pPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD: @5 @! U& S8 q1 d7 M1 y, T1 Q
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
- i" ]% d1 h  O) d9 y" F這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
/ F" F( q) a, A2 f: J( S3 v2 K都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
, g" u. ?' c1 u6 A: \+ d9 Y因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重$ S: m' c) |8 s6 d( s& e+ e9 G# n
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
9 d4 A4 {5 v  W7 ?Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing./ W" h& `5 h% i! F3 g
9 H# L" u. T% |: u# `
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]
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