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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
, a7 A. z1 r' ^ }( g我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
9 z! ~0 r ~- H# dPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
: l0 d$ Y2 {+ K! c) p但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況+ ]0 R$ l* B0 \/ H j& W
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
& P0 p! `# q, a0 I: o. S都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
6 _, ^# ~& Q( O- ?3 F* }) t因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重: }7 c0 y/ _. S9 c; v( y4 T- ^3 J
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.4 n, w: r: Z+ A9 C6 l( t! Q
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.* e8 |% R+ r4 B, O. Y/ p6 D
4 z; b! P/ K- k7 [/ _[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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