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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
4 h$ \' G, j0 x% A- a8 `我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND* g" ^" P$ D* H, i
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD$ |2 \3 t& Q- a
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況4 Q2 D& M6 c1 p% z' @
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊# Q: J; P$ H9 o- x! \0 K9 }& J. E% f
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input 7 C2 W2 p$ _+ Z, [. Z% q
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
3 P$ o h/ M9 U6 V最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
& R6 ^6 I+ B& x0 P* j, s! R9 L* C) yCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
" e4 V: A: e2 @1 W, a8 Y) w4 n8 s- X% E
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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