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樓主 |
發表於 2008-3-30 16:34:52
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提供一個之前用的方法,
% t6 p5 J* ~! u: j由MOS飽和區電流公式(以NMOS為例),
; o- J, g; V+ cID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS)! }! w6 w% e4 c, L# E& X. z+ i
在沒有 body effect 的情形下(VSB=0), VTH=VTH0 是已知的,1 Y8 Z4 z Q3 V5 u1 p# z
VGS, VDS 皆可以由使用者給定, 所以只要得到 lamda 値, 就可以反推出 KP 値
7 a; a' K6 ?& x6 y由模擬求 lamda 的方法, 給定 VGS 及 W/L (L值不要給最小值, 避免 short channel effect)* |& `# E! | M7 b
在兩個不同的 VDS 下 [VDS1,VDS2] (必須滿足飽和區條件) 可得到不同的電流 [ID1,ID2]( A0 n/ m$ ~: f1 t# Y
由公式可得到 ID1/ID2 = (1+lamda*VDS1)/(1+lamda*VDS2)
+ r/ M" x6 c) E9 L) v0 ]/ [! m故 lamda = (ID2-ID1)/(ID1*VDS2-ID2*VDS1)" s6 M: U4 E: n8 b, ^) J
將得到的 lamda 値帶入先前的模擬值
; \: ]) U* h0 n# u1 g0 H ^, `/ yKP = 2*ID1/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS1)]
3 S' h/ o8 q6 z3 D = 2*ID2/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS2)] |
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