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樓主 |
發表於 2008-3-30 16:34:52
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提供一個之前用的方法," A! s! \% ]* N9 ~* A9 B' b
由MOS飽和區電流公式(以NMOS為例), ! h9 N. u$ m0 V- q4 r
ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS)
3 q: g+ z s5 J! ^4 Y1 q在沒有 body effect 的情形下(VSB=0), VTH=VTH0 是已知的,
' K' V" h& B/ p1 ZVGS, VDS 皆可以由使用者給定, 所以只要得到 lamda 値, 就可以反推出 KP 値. x0 J+ b0 Y5 M# x
由模擬求 lamda 的方法, 給定 VGS 及 W/L (L值不要給最小值, 避免 short channel effect)
( ?! \3 u3 h" E- H) i% V2 m在兩個不同的 VDS 下 [VDS1,VDS2] (必須滿足飽和區條件) 可得到不同的電流 [ID1,ID2]
& x/ E* w- v$ w: v. N6 r由公式可得到 ID1/ID2 = (1+lamda*VDS1)/(1+lamda*VDS2)2 d/ c9 ~2 [% q2 w( k U$ E/ x: z
故 lamda = (ID2-ID1)/(ID1*VDS2-ID2*VDS1)4 W0 Q/ g2 \* }* S3 `, R
將得到的 lamda 値帶入先前的模擬值/ [6 K: I4 V: E9 }4 E1 p8 o: M; ?( j& `
KP = 2*ID1/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS1)]2 l. z5 _0 N' @& ^3 S
= 2*ID2/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS2)] |
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