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IC設計人員得益於減少外部記憶體以及減少ASIC與記憶體晶片間的連線# \; Z' p3 ~( \) k! a
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美國商業資訊2008年3月24日日本福岡市及美國加州聖荷西市報導--非揮發性記憶體(NVM)智慧財產權(IP)供應商NSCore有限公司、 以及高端ASIC領先廠商川崎微電子有限公司(K-micro),今天宣佈了一項許可協議,將NSCore公司的PermSRAM ®嵌入式邏輯非揮發性記憶體技術添加到K-micro公司的ASIC智慧財產權(IP)組合中。
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K-micro公司的執行副總裁吉清恭一(Koichi Kissei)先生說:「我們很高興能夠從NSCore公司獲得特許,因為將NSCore公司的PermSRAM技術加入到我們的智慧財產權組合中為我們的顧客提供了巨大價值。有一些應用將因使用PermSRAM技術而獲得利潤,同時我們計畫將其提供給我們所有的客戶。比如說,成本敏感型的消費類應用將受益於電路板上外部記憶體的減少以及ASIC和儲存晶片間連線的減少。」
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PermSRAM技術為SoC、ASIC和ASSP提供非易失性記憶體,該技術僅使用標準CMOS邏輯工藝而無需任何額外的掩模或工藝步驟。對於IC設計人員來說,如果正在研發的IC中需要類比量調整、程式儲存、加密密鑰、晶片ID,查找表等內部功能,PermSRAM是一個理想的解決方案。3 B" l& C: O( e$ U* t
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NSCore公司的總裁兼首席執行官堀內忠彥(Tadahiko Horiuchi)先生說:「我們很高興K-micro公司決定獲得我們的技術特許以使其客戶從中受益。在我們開發和驗證階段中,K-micro公司提供了寶貴的支援和援助,隨著我們推動技術轉移到更先進的65nm和45nm工藝,我們計畫繼續與該公司合作。我們與K -micro公司的關係、他們領先的客戶基礎,將驅動我們開發先進的產品和技術以滿足未來市場的需要。」 R6 ~! b& u$ Q% u" }
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關於NSCore 公司
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( y S8 E- b0 V% W mNSCore公司成立於2004年,為SoC半導體開發、授權、行銷創新型非揮發性記憶體技術,該技術可大批量生產,使用主流CMOS工藝而無需額外的步驟、掩模及工藝改動。NSCore公司的專利PermSRAM技術以非常低的成本提供了極小的MTP宏尺寸以及與SRAM類似的快速讀寫速度的優化組合。PermSRAM不僅可擴展到65納米這一代及更新的工藝技術,同時也可以進行完全測試,這是NSCore獨一無二的技術。PermSRAM優良的工藝移植性,高產出和汽車級可靠性,向SoC設計工程師提供了有力工具,可以在很短的週期中構思並建立具有成本效益的產品。如欲獲更多資訊,請瀏覽www.nscore.com。
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c- L/ P: p" M0 Y: m關於K-micro公司(川崎微電子美國有限公司) : V" q6 S- e$ T8 o
9 D# h% O6 `9 @0 J ? p* L0 DK-micro公司的ASIC技術和世界級設計支援應用在消費電子產品、電腦、辦公自動化、網路及存儲市場。該公司積極參與各個行業標準化組織,包括國際資訊技術標準委員會(INCITS)SCSI儲存介面的T10標準技術委員會,光互聯網路論壇(OIF),PCI特殊興趣小組(PCI-SIG),USB實施者論壇,數位化通用即插即用論壇(UPnP),數位顯示器工作組(DDWG),家庭電話線網路聯盟(HomePNA),多媒體同軸電纜聯盟(MoCA),以及OCP國際夥伴關係(OCP-IP)。K-micro公司在聖荷西,臺北,東京等地設有設計中心。如欲獲更多資訊,請聯絡該公司,電話:408-570-0555,或者登錄網站http://www.k-micro.us。 |
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