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[問題求助] 請問一下mos的臨界電壓vt?

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1#
發表於 2008-3-24 14:25:33 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
通常新的製程都要先跑一下mos的i-v curve
' m% k1 t3 b) O) I9 @" H* z( C* X* q) E
但mos的臨界電壓vt,都會隨電壓變動而有不同的vt值
1 v, M- c9 V0 G. S
2 r% X1 @7 M$ \3 ~. p' c供給範圍3.3~5v,但vt的變動就可能0.71~0.79的變化0 A6 S8 X" P* \# C8 ~, s* O( Y% |
4 h) L) T+ C: F( A
這樣的話大家是怎決定的
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2#
 樓主| 發表於 2008-3-24 15:42:50 | 只看該作者
對了尤其是PMOS,飄移更多
; ~4 L- k* f! a/ L. k: }8 V+ x: d/ r: H/ h, c; U8 R
NMOS還在0.75左右
2 w& t4 G% ~' i/ s8 }: C6 z& `
, ]1 T+ Y7 B6 r8 k
3#
發表於 2008-3-25 10:22:39 | 只看該作者
對呀 MOS的vth會隨著製程 電壓不同而有所變動3 q7 E* |  f0 Y$ n
最近我還發現 vth甚至會隨MOS形狀而改變 就是說W/L=1U/10U和W/L=10U/10U : |5 u" R4 i3 v
這兩個MOS的vth也會不一樣 即使其他條件都相同, m- w: _  A/ |0 e/ g5 e( m/ C1 v
所以這只能靠模擬 沒有辦法用公式算 因為有很多非理想的效應) f' s4 P9 Z1 K
課本上的公式只是參考而已 讓我們有一個定性的概念這樣
7 J6 Q: ^, I3 o( R5 ~; \一般電路設計完以後 都會模擬各種情況 來看我們的設計有沒有滿足規格 功能正不正常
4#
發表於 2008-3-29 02:21:40 | 只看該作者
不同 w/l 比 用的可能是不同的 mos model ...
5#
發表於 2008-3-29 16:02:15 | 只看該作者
在不同的model (BSIM3, BSIM3.3, BSIM4)定義不同
5 r  @2 W# @4 I* a氧化層厚度 雜質濃度 形狀 gate 材質都可以改變Vt9 i" X, L4 M9 K+ c
從接近 0V, 0.2V 0.5V 0.7V 都有可能
* o) Q; p( A5 B. z
9 E8 W+ h$ {1 b, L, R) S* f查看model file 或是一些模擬程式也可以顯示Vth
6#
 樓主| 發表於 2008-4-2 16:07:55 | 只看該作者
因為跑模擬程式看Vth有如此大的變化,才問問看該怎麼辦
9 b) n' B% U! z& {; T
4 K5 w0 v) \) mmodel file要看哪一項目呢?
7#
發表於 2008-4-3 18:49:10 | 只看該作者
Vt 沒有一定的定義$ a; a0 x2 z- ?& Y
而模擬程式l怎麼決定Vt的, 也是一個問題
# A' ^5 D( R) J: S- K& f* Z! @1 P: r- U+ [9 E- P' O% A
"供給範圍3.3~5v,但vt的變動就可能0.71~0.79的變化"7 g0 z. `0 Q( b
3.3v 遠大於 0.7V+ @1 _2 Z1 U  C5 R
其實不用太Care
8 L& s7 i! {/ W
: ~& N+ d" m( C" NVT對你的電路真的那麼重要嗎?
8#
發表於 2008-4-8 10:23:34 | 只看該作者

~

所以说模拟电路是感性的~~
9#
發表於 2008-4-11 15:28:02 | 只看該作者
因爲vth會隨製程和溫度的變化有所改變,design的時候mos的vdsat會留有一定的margin,可以通過montecarlo來模擬vth變化對電路的影響
10#
發表於 2015-12-24 19:46:06 | 只看該作者

+ y  r& o9 ^. D& F3 g! s感恩 大大的分享~~~~~~~~~~~~~~~~~
11#
發表於 2015-12-24 21:51:41 | 只看該作者
VTH本來就是一個變數,不是嗎?
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