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[問題求助] how to choose the resistor value of gcnmos

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scy8080

電梯直達

1^#

發表於 2008-3-20 15:10:15 | 只看該作者回帖獎勵

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how to choose the resistor value of gcnmos structure and how to implement the resistor in layout?for example diff r ,nwell r or poly r.

in the picture,whether do we use diff r or nwell r instead of poly r or not?

thx

[ 本帖最後由 scy8080 於 2008-3-20 03:22 PM 編輯 ]

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小朱仔

2^#

發表於 2008-3-20 17:45:04 | 只看該作者

Sorry my engilsh is bad, So i write chinese
一般來說如果您要使用大電阻就請使用nwell電阻但阻質誤差率較大
如果要用精準的話那建議採取poly電阻

以電阻阻質每口W/L=1來看 nwell r > Poly r > Diff r > Metal r
以電阻誤差來看 nwell r > Diff r > Poly r > Metal r
以電阻面積來看(以同樣阻質來看) Metal r > Diff r > Poly r > nwell r

參考看看囉~~

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laurence

3^#

發表於 2008-3-21 22:39:19 | 只看該作者

What do you want to know???
GCNMOS Res. or Normal ESD serial Resistor..
GCNMOS not look like your picture circuit...
GCNMOS used Gate Cap. to speed up trun on time for discharge ESD current...
Normally, We use 50K ~ 200K for GCNOMS Res.

For ESD serial Resitor, That is only 400Ohm request...

BTW, For ESD protection, Normally select the HR-Poly res.

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ritafung

4^#

發表於 2008-4-12 01:01:28 | 只看該作者

How's the performance between GGNMOS & GCNMOS?
Does GCNMOS discharge the ESD pulse by the strong inverson channel induced by gate coupling effect? How's the effectiveness and ESD robustness per area?
We normally use GGNMOS / GDPMOS + RC-trigger clamp.
Any idea to exchange?

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cthsu1

5^#

發表於 2008-9-8 23:17:17 | 只看該作者

回復 4# 的帖子

小面積的話兩者只有 Turn on voltage 的差別
大面積的話 GCNMOS 比較好
但是要小心如果 Power 會動的很厲害的話會漏電

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bryansu111

6^#

發表於 2008-9-22 12:58:56 | 只看該作者

請問一下,關於GCNMOS ,
Power 會動的很厲害的話會漏電.

是怕NMOS被turn on 而漏電嗎??
那所謂的power會動指的是noise嗎??要考慮的是noise的振幅,寬度,還是頻率呢??
麻煩請解惑 ,謝謝

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semico_ljj

7^#

發表於 2008-10-23 10:11:42 | 只看該作者

原帖由 bryansu111 於 2008-9-22 12:58 PM 發表 1 D- y1 v$ q. A
請問一下,關於GCNMOS ,- f) @3 ?) C% K/ I
Power 會動的很厲害的話會漏電.
- q) i& S! O6 _0 W; M) z# Q0 {6 y1 M8 w9 ], X% ]/ |
是怕NMOS被turn on 而漏電嗎??$ \/ o! O6 _" w
那所謂的power會動指的是noise嗎??要考慮的是noise的振幅,寬度,還是頻率呢??
( k# E1 Z3 e( A/ n# O: m$ \1 a麻煩請解惑 ,謝謝

是的，但是一般不会是噪声，而是power如果经常会大幅度突变，可能会引起瞬间NMOS被turn on

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scy8080

8^#

樓主| 發表於 2008-12-4 17:40:45 | 只看該作者

原帖由 laurence 於 2008-3-21 10:39 PM 發表 / }5 T |0 q" j: x
What do you want to know???4 U0 W9 O" j+ q! ]4 e' M$ ]
GCNMOS Res. or Normal ESD serial Resistor..- X& j% d6 ^2 W( X8 M) {$ M& Q' }
GCNMOS not look like your picture circuit...
$ b# {# X* R, T4 rGCNMOS used Gate Cap. to speed up trun on time for discharge ESD current...# }5 @& W# B, i# T! R4 n
Nor ...

不知道你使用的是什么工艺？
我接触到的GCNOMS Res大约为2K~5K的样子，不知道为什么你可以取50K ~ 200K ，这个电阻不能太大，也不能太小，不知道有什么考虑？

是不是无论ESD serial Resitor还是gcnmos 延时电阻都可以选用diff r ,nwell r , gate poly r or high poly r中的一种？有什么考虑？

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semico_ljj

9^#

發表於 2008-12-4 20:49:44 | 只看該作者

回復 8# 的帖子

GCNOMS Res一般就几K，20K以上就很少见了！

延时电阻一般就用Nwell，或者High Poly！

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wph123 wph123 當前離線積分 3 IP卡狗仔卡	10^# 發表於 2009-3-24 01:50:19 \| 只看該作者提示: 作者被禁止或刪除內容自動屏蔽
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