how to choose the resistor value of gcnmos

scy8080

how to choose the resistor value of gcnmos structure and how to implement the resistor in layout?for example diff r ,nwell r or poly r.


in the picture,whether do we use diff r or nwell r instead of poly r or not?

( k! |8 [  M2 Z! D" O& a- p+ Lthx

[ 本帖最後由 scy8080 於 2008-3-20 03:22 PM 編輯 ]

小朱仔

Sorry my engilsh is bad, So i write chinese
6 W* v# _5 T9 O- O: E一般來說如果您要使用大電阻就請使用nwell電阻但阻質誤差率較大
* P& A: s: G) m* C如果要用精準的話那建議採取poly電阻

! h( R) o( f8 n8 E$ U& ~以電阻阻質每口W/L=1來看 nwell r > Poly r > Diff r > Metal r
以電阻誤差來看 nwell r >  Diff r > Poly r > Metal r
$ y: W8 X6 c. t以電阻面積來看(以同樣阻質來看) Metal r >  Diff r > Poly r > nwell r  
. c- g3 h+ H! i: ?  t. I3 s5 \
參考看看囉~~

laurence

What do you want to know???
GCNMOS Res. or Normal ESD serial Resistor..
$ ^# y* i8 t4 ]. k5 BGCNMOS not look like your picture circuit...
GCNMOS used Gate Cap. to speed up trun on time for discharge ESD current...
- D/ r0 j# S" P: \% J4 m" {Normally, We use 50K ~ 200K for GCNOMS Res.

5 d, i5 G- T  q+ [& K' |. p% m& {For ESD serial Resitor, That is only 400Ohm request...

7 C( O  F6 ^# A; Q( Q" u. e# GBTW, For ESD protection, Normally select the HR-Poly res.

ritafung

How's the performance between GGNMOS & GCNMOS?
1 |* |( k5 b% q% GDoes GCNMOS discharge the ESD pulse by the strong inverson channel induced by  gate coupling effect? How's the effectiveness and ESD robustness per area?
% s( k2 a. S7 ~; f) e9 F. ~+ VWe normally use GGNMOS / GDPMOS + RC-trigger clamp.
Any idea to exchange?

cthsu1

小面積的話 兩者只有 Turn on voltage 的差別
' o/ Z( _! o3 v. z# V0 k/ b0 p大面積的話  GCNMOS 比較好
7 x3 E/ |1 T) `' u但是要小心  如果 Power 會動的很厲害的話  會漏電

bryansu111

請問一下,關於GCNMOS ,
Power 會動的很厲害的話會漏電.
8 P& H/ B3 x4 w
是怕NMOS被turn on 而漏電嗎??
  E1 U4 O$ C' W4 O- r那所謂的power會動指的是noise嗎??要考慮的是noise的振幅,寬度,還是頻率呢??
麻煩請解惑 ,謝謝

semico_ljj

原帖由 bryansu111 於 2008-9-22 12:58 PM 發表
* Q- o0 |7 i- F請問一下,關於GCNMOS ,
( d3 I# ~/ W0 I) i% z7 dPower 會動的很厲害的話會漏電.
0 R8 @6 D% h4 k7 R$ z  E: U
7 ]# q- @9 Y# _* w" x9 n! f是怕NMOS被turn on 而漏電嗎??
0 g, q. n1 q# q2 L, |那所謂的power會動指的是noise嗎??要考慮的是noise的振幅,寬度,還是頻率呢??
麻煩請解惑 ,謝謝

/ O; _3 M% p) k  T1 X* X
是的，但是一般不会是噪声，而是power如果经常会大幅度突变，可能会引起瞬间NMOS被turn on

scy8080

原帖由 laurence 於 2008-3-21 10:39 PM 發表
What do you want to know???
GCNMOS Res. or Normal ESD serial Resistor..
1 \/ e+ {* Y! n5 |GCNMOS not look like your picture circuit...
. R' N$ v! Z- a' U% S1 |6 \GCNMOS used Gate Cap. to speed up trun on time for discharge ESD current...
3 e, J9 K% U! [; bNor ...

不知道你使用的是什么工艺？
我接触到的GCNOMS Res大约为2K~5K的样子，不知道为什么你可以取50K ~ 200K ，这个电阻不能太大，也不能太小，不知道有什么考虑？
* ^: v4 F% e7 X3 T+ U
是不是无论ESD serial Resitor还是gcnmos 延时电阻都可以选用diff r ,nwell r , gate poly r or high poly r中的一种？有什么考虑？

semico_ljj

GCNOMS Res一般就几K，20K以上就很少见了！

2 J# Z' L5 i0 L9 c/ ^8 O延时电阻一般就用Nwell，或者High Poly！