how to choose the resistor value of gcnmos

scy8080

how to choose the resistor value of gcnmos structure and how to implement the resistor in layout?for example diff r ,nwell r or poly r.

% [$ ?, Z9 i+ F$ n* Q
in the picture,whether do we use diff r or nwell r instead of poly r or not?
& Q1 K# j& a8 w8 ~+ ~
thx
$ p' Q+ }0 l4 U
[ 本帖最後由 scy8080 於 2008-3-20 03:22 PM 編輯 ]

小朱仔

Sorry my engilsh is bad, So i write chinese
, [' v) L2 I1 \: B一般來說如果您要使用大電阻就請使用nwell電阻但阻質誤差率較大
如果要用精準的話那建議採取poly電阻

8 t. J; L/ q* U% K以電阻阻質每口W/L=1來看 nwell r > Poly r > Diff r > Metal r
以電阻誤差來看 nwell r >  Diff r > Poly r > Metal r
以電阻面積來看(以同樣阻質來看) Metal r >  Diff r > Poly r > nwell r  

/ L. U7 W/ T( c$ i7 c參考看看囉~~

laurence

What do you want to know???
+ N/ t# u# H' TGCNMOS Res. or Normal ESD serial Resistor..
* V. B; \/ t2 hGCNMOS not look like your picture circuit...
/ y$ {! S+ k: v- k9 ?GCNMOS used Gate Cap. to speed up trun on time for discharge ESD current...
! k: B; D+ l* ?+ m* l; MNormally, We use 50K ~ 200K for GCNOMS Res.
$ m, e7 B2 q; O
% x# u5 L! s( ]" `For ESD serial Resitor, That is only 400Ohm request...

. {6 _2 W( F8 oBTW, For ESD protection, Normally select the HR-Poly res.

ritafung

How's the performance between GGNMOS & GCNMOS?
% r1 ^) z; ?8 t& D8 m8 qDoes GCNMOS discharge the ESD pulse by the strong inverson channel induced by  gate coupling effect? How's the effectiveness and ESD robustness per area?
We normally use GGNMOS / GDPMOS + RC-trigger clamp.
& r# O( `$ m0 @; \, h+ RAny idea to exchange?

cthsu1

小面積的話 兩者只有 Turn on voltage 的差別
大面積的話  GCNMOS 比較好
. ]8 J/ L2 e- A% U$ k7 o+ m但是要小心  如果 Power 會動的很厲害的話  會漏電

bryansu111

請問一下,關於GCNMOS ,
. l3 C  F- T! ~6 J  L$ E/ _Power 會動的很厲害的話會漏電.

是怕NMOS被turn on 而漏電嗎??
/ a! M/ U; e# t6 K4 ]# v那所謂的power會動指的是noise嗎??要考慮的是noise的振幅,寬度,還是頻率呢??
# a* F/ ?7 ^% Y- u0 |麻煩請解惑 ,謝謝

semico_ljj

原帖由 bryansu111 於 2008-9-22 12:58 PM 發表
' F: C2 q" g9 n; c% @' m* s請問一下,關於GCNMOS ,
+ v9 \& c) I5 E. N4 qPower 會動的很厲害的話會漏電.
' B% B3 I  n+ l* _! L/ L
是怕NMOS被turn on 而漏電嗎??
那所謂的power會動指的是noise嗎??要考慮的是noise的振幅,寬度,還是頻率呢??
麻煩請解惑 ,謝謝

是的，但是一般不会是噪声，而是power如果经常会大幅度突变，可能会引起瞬间NMOS被turn on

scy8080

原帖由 laurence 於 2008-3-21 10:39 PM 發表
What do you want to know???
GCNMOS Res. or Normal ESD serial Resistor..
2 m: ~& L" [/ ^5 m6 gGCNMOS not look like your picture circuit...
GCNMOS used Gate Cap. to speed up trun on time for discharge ESD current...
Nor ...

不知道你使用的是什么工艺？
我接触到的GCNOMS Res大约为2K~5K的样子，不知道为什么你可以取50K ~ 200K ，这个电阻不能太大，也不能太小，不知道有什么考虑？
( T: e( S# P2 B
是不是无论ESD serial Resitor还是gcnmos 延时电阻都可以选用diff r ,nwell r , gate poly r or high poly r中的一种？有什么考虑？

semico_ljj

GCNOMS Res一般就几K，20K以上就很少见了！

延时电阻一般就用Nwell，或者High Poly！