how to choose the resistor value of gcnmos

scy8080

how to choose the resistor value of gcnmos structure and how to implement the resistor in layout?for example diff r ,nwell r or poly r.
& k- Y- n, [% c1 b6 W. B0 O

, W9 e( {  I* `# M; c! Nin the picture,whether do we use diff r or nwell r instead of poly r or not?

thx
4 `+ ]1 g* q, o. v! _; W3 O
$ D/ v; V  `2 a6 v! A[ 本帖最後由 scy8080 於 2008-3-20 03:22 PM 編輯 ]

小朱仔

Sorry my engilsh is bad, So i write chinese
一般來說如果您要使用大電阻就請使用nwell電阻但阻質誤差率較大
( r0 z4 N) I9 V4 R5 E如果要用精準的話那建議採取poly電阻
& k# l  G0 k1 ^
  o9 s1 t1 _- W1 S; v9 r7 Z; S, E以電阻阻質每口W/L=1來看 nwell r > Poly r > Diff r > Metal r
; R6 W8 r" e$ O: F! j- Y以電阻誤差來看 nwell r >  Diff r > Poly r > Metal r
  X5 C6 Z7 F  n: d# X: Q9 B以電阻面積來看(以同樣阻質來看) Metal r >  Diff r > Poly r > nwell r  

參考看看囉~~

laurence

What do you want to know???
7 ^# n5 W8 m* |! w- ^GCNMOS Res. or Normal ESD serial Resistor..
" U  t. {, p- W: R7 @+ q2 jGCNMOS not look like your picture circuit...
  K8 b% Y4 c2 p3 q) i  \$ g. qGCNMOS used Gate Cap. to speed up trun on time for discharge ESD current...
7 e0 ^. [+ E7 a( x% p* H2 aNormally, We use 50K ~ 200K for GCNOMS Res.
1 G& w7 Y3 R# p) N; ~
For ESD serial Resitor, That is only 400Ohm request...
$ v; A* g' s; \* B2 t
' L, W" w: m' G3 w# r% hBTW, For ESD protection, Normally select the HR-Poly res.

ritafung

How's the performance between GGNMOS & GCNMOS?
Does GCNMOS discharge the ESD pulse by the strong inverson channel induced by  gate coupling effect? How's the effectiveness and ESD robustness per area?
We normally use GGNMOS / GDPMOS + RC-trigger clamp.
Any idea to exchange?

cthsu1

小面積的話 兩者只有 Turn on voltage 的差別
" r- u. Z( d0 |大面積的話  GCNMOS 比較好
但是要小心  如果 Power 會動的很厲害的話  會漏電

bryansu111

請問一下,關於GCNMOS ,
# y# A4 X: Y: ?$ }$ BPower 會動的很厲害的話會漏電.

是怕NMOS被turn on 而漏電嗎??
那所謂的power會動指的是noise嗎??要考慮的是noise的振幅,寬度,還是頻率呢??
麻煩請解惑 ,謝謝

semico_ljj

原帖由 bryansu111 於 2008-9-22 12:58 PM 發表
! F# G1 w1 L: m$ K7 i- E# a請問一下,關於GCNMOS ,
: x: B$ h% L# o" lPower 會動的很厲害的話會漏電.
  z' G) u' a& G+ p( V; y
是怕NMOS被turn on 而漏電嗎??
那所謂的power會動指的是noise嗎??要考慮的是noise的振幅,寬度,還是頻率呢??
6 l$ U2 x- {+ H" U' [# h麻煩請解惑 ,謝謝

1 e/ [0 V2 V  I* p% U; O
' o" D1 o& ^/ ^" Z是的，但是一般不会是噪声，而是power如果经常会大幅度突变，可能会引起瞬间NMOS被turn on

scy8080

原帖由 laurence 於 2008-3-21 10:39 PM 發表
3 C- D8 Q2 Z9 GWhat do you want to know???
GCNMOS Res. or Normal ESD serial Resistor..
GCNMOS not look like your picture circuit...
  j- ]5 F4 G4 ?! M% VGCNMOS used Gate Cap. to speed up trun on time for discharge ESD current...
Nor ...

: G( ]! P+ j- o" ~/ I不知道你使用的是什么工艺？
  n! o( F0 u0 |( e  v9 I, L我接触到的GCNOMS Res大约为2K~5K的样子，不知道为什么你可以取50K ~ 200K ，这个电阻不能太大，也不能太小，不知道有什么考虑？

是不是无论ESD serial Resitor还是gcnmos 延时电阻都可以选用diff r ,nwell r , gate poly r or high poly r中的一种？有什么考虑？

semico_ljj

GCNOMS Res一般就几K，20K以上就很少见了！

9 e" `- [1 Q+ C5 V% H延时电阻一般就用Nwell，或者High Poly！