how to choose the resistor value of gcnmos

scy8080

how to choose the resistor value of gcnmos structure and how to implement the resistor in layout?for example diff r ,nwell r or poly r.

& k& B$ ~/ ^2 k4 P+ T6 T5 P
in the picture,whether do we use diff r or nwell r instead of poly r or not?
7 R; L& a( Z& D9 L% g( S
* T7 k$ u0 q3 {2 Jthx
+ x& u8 E* K% H
[ 本帖最後由 scy8080 於 2008-3-20 03:22 PM 編輯 ]

小朱仔

Sorry my engilsh is bad, So i write chinese
一般來說如果您要使用大電阻就請使用nwell電阻但阻質誤差率較大
) ?3 P; k% J; h) T8 x如果要用精準的話那建議採取poly電阻
/ w# C# |9 w: k4 {, f
0 B& q4 K  h" h; ^4 T以電阻阻質每口W/L=1來看 nwell r > Poly r > Diff r > Metal r
以電阻誤差來看 nwell r >  Diff r > Poly r > Metal r
8 J. ~7 f3 x% w6 n2 _以電阻面積來看(以同樣阻質來看) Metal r >  Diff r > Poly r > nwell r  

4 f: H2 v. A9 ?! p參考看看囉~~

laurence

What do you want to know???
) r  z8 m6 A- J; k! vGCNMOS Res. or Normal ESD serial Resistor..
GCNMOS not look like your picture circuit...
! ~9 Z  R1 _# N' _GCNMOS used Gate Cap. to speed up trun on time for discharge ESD current...
Normally, We use 50K ~ 200K for GCNOMS Res.
4 ]. q& D2 D* u
& P, n9 Q; Y/ \- UFor ESD serial Resitor, That is only 400Ohm request...
9 x  G  i. @4 D: V9 q* l% J& K
3 {! F3 v# D! E$ n$ a* j) L8 p* _0 S; fBTW, For ESD protection, Normally select the HR-Poly res.

ritafung

How's the performance between GGNMOS & GCNMOS?
# a& `/ j6 o( C4 KDoes GCNMOS discharge the ESD pulse by the strong inverson channel induced by  gate coupling effect? How's the effectiveness and ESD robustness per area?
/ B' K# w8 T9 fWe normally use GGNMOS / GDPMOS + RC-trigger clamp.
Any idea to exchange?

cthsu1

小面積的話 兩者只有 Turn on voltage 的差別
大面積的話  GCNMOS 比較好
但是要小心  如果 Power 會動的很厲害的話  會漏電

bryansu111

請問一下,關於GCNMOS ,
Power 會動的很厲害的話會漏電.

是怕NMOS被turn on 而漏電嗎??
- {/ x8 `) G& d4 w2 O' w那所謂的power會動指的是noise嗎??要考慮的是noise的振幅,寬度,還是頻率呢??
. l3 I% }+ R' G6 |3 O6 o; W6 Z. j+ S麻煩請解惑 ,謝謝

semico_ljj

原帖由 bryansu111 於 2008-9-22 12:58 PM 發表
請問一下,關於GCNMOS ,
  l4 J! G; X# G2 G* ?! C7 c# \; {Power 會動的很厲害的話會漏電.

- h& q3 \2 r" y: Q- R# p是怕NMOS被turn on 而漏電嗎??
那所謂的power會動指的是noise嗎??要考慮的是noise的振幅,寬度,還是頻率呢??
0 h! @! E& N9 L6 H% F# I8 b% ~麻煩請解惑 ,謝謝

; t7 T* G0 _' A8 v. _是的，但是一般不会是噪声，而是power如果经常会大幅度突变，可能会引起瞬间NMOS被turn on

scy8080

原帖由 laurence 於 2008-3-21 10:39 PM 發表
What do you want to know???
GCNMOS Res. or Normal ESD serial Resistor..
GCNMOS not look like your picture circuit...
/ A. V0 S+ u# zGCNMOS used Gate Cap. to speed up trun on time for discharge ESD current...
Nor ...

6 l0 M! m, m2 a, y不知道你使用的是什么工艺？
7 U1 p3 g. o$ }% t* {$ K: ?. }我接触到的GCNOMS Res大约为2K~5K的样子，不知道为什么你可以取50K ~ 200K ，这个电阻不能太大，也不能太小，不知道有什么考虑？

' z- ~; W  q$ f& Z/ s是不是无论ESD serial Resitor还是gcnmos 延时电阻都可以选用diff r ,nwell r , gate poly r or high poly r中的一种？有什么考虑？

semico_ljj

GCNOMS Res一般就几K，20K以上就很少见了！

! f  g/ f; _) S- B, u延时电阻一般就用Nwell，或者High Poly！