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还有一个问题,我们在做IO 管时,拉大CON到GATE的距离,大概3-4um,& ...
7 t2 `, {) ^/ E* y9 V: mscy8080 發表於 2008-10-31 12:07 AM
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拉大 CON到GATE的距离也只是拉大drain 端CON到GATE的距离,不会拉大source端CON到GATE的距离(同时一般会将salicide也去掉),9 E5 g# t0 C7 u3 O) p
其作用是增大drain端的电阻,相当于在drain端串联了一个电阻,起到在esd 冲击时保护自己不被打坏;能保证ggnmos下寄生的诸多npn管0 @# g& q+ V* I9 }! @* _# E* \
(gdpmos下寄生pnp管)能够均匀的被打开,进入snapback状态,泄放esd电流;如果drain端这个等效的串联电阻不够大,寄生的诸多
$ l, Z$ T8 e. ]) k5 pnpn管(gdpmos下寄生pnp管)可能不能够均匀的被打开进入snapback状态,只是有的开有的没有打开,而esd的电流或者说能量是一定的,
: c% W% P. |. m6 N# Z, I必须泄放,电流在局部逐渐增大,出现二次击穿(热击穿),把device烧掉,我们通常看到的emmi图片上出现在source与drain 端的那道小8 u/ m9 U. y; j3 ^0 g$ J# l3 v
暗条或者drain端的小洞洞或者gate下的小洞洞,都是被烧毁掉的痕迹! |
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