|
还有一个问题,我们在做IO 管时,拉大CON到GATE的距离,大概3-4um,& ...& j8 F3 i1 |. {$ R; f
scy8080 發表於 2008-10-31 12:07 AM 3 z6 w7 t7 Q$ H6 t4 c/ F0 t
# S6 a! t3 w: l; Z; ^! D& r; u
拉大 CON到GATE的距离也只是拉大drain 端CON到GATE的距离,不会拉大source端CON到GATE的距离(同时一般会将salicide也去掉),* W, i0 X' j4 W# G( ] W
其作用是增大drain端的电阻,相当于在drain端串联了一个电阻,起到在esd 冲击时保护自己不被打坏;能保证ggnmos下寄生的诸多npn管) e# E& v# ~( i, O$ A5 C6 m
(gdpmos下寄生pnp管)能够均匀的被打开,进入snapback状态,泄放esd电流;如果drain端这个等效的串联电阻不够大,寄生的诸多9 m& a( Y$ g) r' N, B- L7 n
npn管(gdpmos下寄生pnp管)可能不能够均匀的被打开进入snapback状态,只是有的开有的没有打开,而esd的电流或者说能量是一定的,
, r3 A9 r, j e1 x( a$ ~3 ^, K Q必须泄放,电流在局部逐渐增大,出现二次击穿(热击穿),把device烧掉,我们通常看到的emmi图片上出现在source与drain 端的那道小/ C& k( V* N u% G7 Y$ z" J
暗条或者drain端的小洞洞或者gate下的小洞洞,都是被烧毁掉的痕迹! |
評分
-
查看全部評分
|