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[問題求助] 請教~關於power on reset

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1#
發表於 2008-3-9 15:19:25 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近想研究power on reset circuit,$ A* _. a) x' P3 [
想做一個具有類似遲滯動作的電路
0 K7 p4 Y0 L  K& p4 h1 v6 O, _但手邊又沒什資料~只知道各大概而不知道該如何下手~
  ^  U* ^( A: c6 V
2 m) c) ?; s. n請各位前輩有做過相關研究的可以給各意見~請大家不吝告知,拜託各位大大,謝謝!!
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2#
發表於 2008-3-9 22:36:13 | 只看該作者
R + C !!!7 s! a0 F7 ?+ Q4 O
R + C !!!
& o8 U) ]/ }( }  u' kR + C !!!
3#
發表於 2008-3-10 23:14:25 | 只看該作者
絕大部份都是用R,C的方式來達到power on reset的功能
" e, K$ O5 V" g* X1 g& Z另外,我個人是在R,C的第一級再加一個schmitter trigger buffer來增加遲滯的時間- u4 [4 I, j- ~8 @' r6 q
再來,設計power on reset電路要注意當工作電壓穩定後,其power on reset電路不能有太大的電流消耗,基本上,僅可能要小於1uA的電流消耗(至少我都是作到小於1nA)
4#
發表於 2008-3-11 09:11:38 | 只看該作者
reset 電路還要考慮實際應用時,電源快速開關的反應...
5#
發表於 2008-3-11 17:36:03 | 只看該作者

回復 3# 的帖子

但是怎样才能做到小於1uA的电流消耗呢?如果电源电压较大的话,是不是用很大的电阻?
6#
發表於 2008-3-12 01:09:01 | 只看該作者
在工作電壓穩定後,從power on reset的輸出端送一個信號到R-C的端點強制拉到最高電位
+ D$ U4 c! E9 o3 K5 ?如此一來,R-C後面的buffer或者schmitter trigger buffer便不會有多的電流消耗,所以便可作小於1nA
1 w! {5 ^2 f0 W. l至於電阻,我一般都是用PMOS來代替電阻,把PMOS接成diode connect的形式即可
7#
發表於 2008-3-12 14:55:13 | 只看該作者
多谢。有没有简单的diagram ?方便理解。如果POR电路还需要Vth,不知道能不能做到1uA以下。
8#
 樓主| 發表於 2008-3-13 11:42:35 | 只看該作者
感謝finster的解說: n" y+ @4 v: @: z. T5 S
; Z4 D! s. V, X0 j0 T( a
但我不清楚schmitt要放在那...是放在rc後嗎?( G( ]. `; N0 e, u# p

0 t  K4 a6 t+ d能利用圖說明一下嗎?
1 k# \' [8 n4 \- c9 v$ w& v- _+ N. [
, w2 X: Y7 H8 t) z* E* l非常感激
9#
發表於 2008-3-13 13:52:52 | 只看該作者

Power On Reset Circuit

For your reference # ?6 @# X3 O8 N/ N/ f
RC 後的buffer可以是schmitter trigger buffer( H0 R5 k* J! `( M9 c

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yhchang + 3 Good answer!

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10#
發表於 2008-3-13 14:16:48 | 只看該作者
power on reset電路本身並不是非常困難去設計的電路! y+ ?4 \. x5 B; H& K" ^! D1 p
附圖是我以前作的示意圖,雖然並不是非常完整,但大致上就是這個樣子* H* e, X! H  q' p- ^
另外,一般我在rc後面一定是用schmitter trigger buffer,而不會用一般的buffer
% g) d0 {6 i/ E, p其原因是要藉由schmitter trigger buffer的window特點來製造絕對的vih和vil,這點是一般的buffer所無法作到的,而這點,會決定你的por會不會正常工作的重點之一

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11#
發表於 2008-9-15 16:01:53 | 只看該作者

關於power on reset

你的c值應該要很大吧??9 B* \. Z) ]3 K$ k7 x4 `; P: S
大概u 級, 對吧?!!
12#
發表於 2008-9-16 18:27:20 | 只看該作者
基本電路技巧, 可以做等效RC, 使得耗費面積可大幅縮小.
& b% z4 g2 e8 D' y1 B$ y一般僅做RC會不實際.
13#
發表於 2008-9-17 17:14:46 | 只看該作者

關於power on reset

若vdd 的rise time 是msec級, 且chip 的電容只能容許幾p的情況下,; U: ^& v* |* \$ c/ O
以pmos 來代替R的話, 你的pmos 一定是在turn off 的情況, 9 V7 \) h& U( U- \9 M  Y- c
因為It=CV, t=1ms, c=1p, V=1V 左右, 那I 一定是nA級, 1 C8 a9 X$ ^7 X) x% m/ j- l2 B
這麼小的電流, MOS 一定是off 的情況.9 K+ W) g% i: R2 z* b, K7 ^) y" ~
那你要如何控制這麼小的leakage current 呢?? (考慮到corner and temperature)
14#
發表於 2008-9-17 23:43:59 | 只看該作者
我自己在用PMOS作為R時,並不會只用一個PMOS
' k7 z8 P! H7 _# I- y: `) X而且串好幾個PMOS,Length加大到10~30um,Width大概只用0.5~1um左右,如此一來,PMOS所會流過的電流就會非常地小,當然,這時PMOS要接成diode connect形式還是將Gate接到ground,就看實際情況,兩者皆可,不過都有一些限制
15#
發表於 2013-11-19 22:04:59 | 只看該作者
我想詢問如果VDD的上升時間如果非常緩慢,那麼這個電路不會出現問題嗎!?: t0 j8 a; O) K, S+ X- I: ?7 p
因為R-C串聯的VDD與smith trigger的供應電壓VDD是連接在一起的,
4 d! E' r% g6 |$ V9 q9 g4 W* K因此smith trigger的VIH並不是你一開始設想中的VIH
16#
發表於 2015-8-22 11:33:44 | 只看該作者
reset 電路還要考慮實際應用時,電源快速開關的反應...
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