用mos 電容,使用tsmc 0.18um的製程

jeffrey

Dear 先進們,
. I% L0 f9 M' [+ T/ B請問若在tsmc 0.18um的製程�,則若電容使用mos來做, 則它的電容值是多少(如每個???f/um)
因小弟不清楚的design rule有否寫這個數值..

感謝各位的幫忙.

小緯仔

回樓上的大大，MOS電容是非線性電容
' e" X2 |: p( a
% J' @1 U) `4 m( I比較不穩定，但好處就是能用小面積來換取大的電容值

st80069

我記得Hspice有一個指令可以模擬MOS的電容值，且要用MOS做電容估算的方法就是下面這個指令
& h- T; j! h# J8 l" {9 P0 s6 ^1 q. B, O, Y.option dccap post
+ B& M+ i6 H( O1 ^3 u4 d4 |; c.print CGG=LX18(mn1)
2 W: |8 u7 b4 ~. z.dc vin 0 5 0.1
....
.....
.......
.end
6 c$ O' E2 }( U6 f# M然後往.lis 裡就有出現這個MOS的電容值了吧....
如有錯誤，請大大們指教~~~

9 C& e8 j- ~6 B; k1 |/ Z2 A對了，想借問一下，用mos作電容 V.S. 三明治metal夾層作的電容 差別在哪裡啊，
2 F- l( F; J( C' o( M2 d* l. d$ A7 g我模擬過，發現MOS只需要小小一顆W/L=2.9/15 就可以輕輕鬆鬆的達到750fF，
而三明治卻需要好幾十倍，那面積大大減小，為什麼大家不改成都用MOS做就好了???

tommywgt

我記得是不是在美國的哪所大學有很多的虛擬製程可以下載的???

2 K4 I* l3 j2 }5 }1 T哪位大大可以補充一下下?

qpau

MOS的電容值可以用oxide的厚度,面積以及介電係數算出來,
5 H" f5 P+ s0 \- E7 W& ]6 s. eoxide厚度在spice model內可找得到, 通常是tox這個參數,
但要注意MOS的電容值會隨著偏壓改變,
可用軟體模擬出C-V曲線,
Btw, 0.18um製程中應該有提供accumulation mode varactor這種元件,
) X1 Z9 f2 e+ O0 H" R也就是長在NWELL裡的NMOS,
. {0 [' T# u, g$ V2 H1 xspice model文件中應該也有這種元件詳細C-V曲線以及RF model,
使用這種元件並不需要多加光罩,
建議你可以查ㄧ下spice model的說明文件