用mos 電容,使用tsmc 0.18um的製程

jeffrey

Dear 先進們,
請問若在tsmc 0.18um的製程�,則若電容使用mos來做, 則它的電容值是多少(如每個???f/um)
* C0 L1 L$ w' T  k5 ^0 N6 g因小弟不清楚的design rule有否寫這個數值..

感謝各位的幫忙.

qpau

MOS的電容值可以用oxide的厚度,面積以及介電係數算出來,
3 {4 h4 m. P' ?5 j" E/ i' ^# i" Ioxide厚度在spice model內可找得到, 通常是tox這個參數,
( T. N2 d+ h6 Y4 q7 [( `4 m+ X但要注意MOS的電容值會隨著偏壓改變,
0 ^; T; m4 G* m, I) a可用軟體模擬出C-V曲線,
Btw, 0.18um製程中應該有提供accumulation mode varactor這種元件,
& K# y4 ?" d1 Z也就是長在NWELL裡的NMOS,
spice model文件中應該也有這種元件詳細C-V曲線以及RF model,
使用這種元件並不需要多加光罩,
. l+ h( \9 `. T. }3 f' h建議你可以查ㄧ下spice model的說明文件

tommywgt

我記得是不是在美國的哪所大學有很多的虛擬製程可以下載的???
6 y) O7 K3 Z: h+ l- z5 d
哪位大大可以補充一下下?

st80069

我記得Hspice有一個指令可以模擬MOS的電容值，且要用MOS做電容估算的方法就是下面這個指令
.option dccap post
5 `: {( u7 I& B, g.print CGG=LX18(mn1)
.dc vin 0 5 0.1
  P9 r+ `2 C, n( f7 }( O....
.....
.......
.end
然後往.lis 裡就有出現這個MOS的電容值了吧....
如有錯誤，請大大們指教~~~
* `/ c/ ^; v5 ?# k( g4 b) v
對了，想借問一下，用mos作電容 V.S. 三明治metal夾層作的電容 差別在哪裡啊，
% q* ^" ?, C. n0 P) Z% `2 _# L我模擬過，發現MOS只需要小小一顆W/L=2.9/15 就可以輕輕鬆鬆的達到750fF，
而三明治卻需要好幾十倍，那面積大大減小，為什麼大家不改成都用MOS做就好了???

小緯仔

回樓上的大大，MOS電容是非線性電容

比較不穩定，但好處就是能用小面積來換取大的電容值