用mos 電容,使用tsmc 0.18um的製程

jeffrey

Dear 先進們,
請問若在tsmc 0.18um的製程�,則若電容使用mos來做, 則它的電容值是多少(如每個???f/um)
因小弟不清楚的design rule有否寫這個數值..

* b! K. i: h+ h7 b+ F感謝各位的幫忙.

qpau

MOS的電容值可以用oxide的厚度,面積以及介電係數算出來,
oxide厚度在spice model內可找得到, 通常是tox這個參數,
, C9 w9 L, o, u但要注意MOS的電容值會隨著偏壓改變,
可用軟體模擬出C-V曲線,
+ @" C/ D6 p' l5 @" \; _1 e8 S5 OBtw, 0.18um製程中應該有提供accumulation mode varactor這種元件,
也就是長在NWELL裡的NMOS,
spice model文件中應該也有這種元件詳細C-V曲線以及RF model,
使用這種元件並不需要多加光罩,
* X+ O" ~2 z, L7 n" a& m建議你可以查ㄧ下spice model的說明文件

tommywgt

我記得是不是在美國的哪所大學有很多的虛擬製程可以下載的???

/ U- O3 x$ {6 f* e3 [' z哪位大大可以補充一下下?

st80069

我記得Hspice有一個指令可以模擬MOS的電容值，且要用MOS做電容估算的方法就是下面這個指令
# s+ F* H' ]. t  S: I6 G.option dccap post
4 f0 m+ C  H/ _1 I.print CGG=LX18(mn1)
, R: t  _* p9 A- t2 W. k$ {.dc vin 0 5 0.1
....
# o: C$ b3 K' p, N! S# Z. S.....
9 X( C* w: e  B( o8 e& f.......
.end
然後往.lis 裡就有出現這個MOS的電容值了吧....
6 Y' \1 B: m4 I, V# X如有錯誤，請大大們指教~~~

8 N% X7 j3 z2 w- T對了，想借問一下，用mos作電容 V.S. 三明治metal夾層作的電容 差別在哪裡啊，
( T) E' m, \9 k. A我模擬過，發現MOS只需要小小一顆W/L=2.9/15 就可以輕輕鬆鬆的達到750fF，
5 @! x) l6 I! [8 P而三明治卻需要好幾十倍，那面積大大減小，為什麼大家不改成都用MOS做就好了???

小緯仔

回樓上的大大，MOS電容是非線性電容
; h& W2 ]6 C$ _. ^
比較不穩定，但好處就是能用小面積來換取大的電容值