用mos 電容,使用tsmc 0.18um的製程

jeffrey

Dear 先進們,
, \$ U7 i) Z) J6 [請問若在tsmc 0.18um的製程�,則若電容使用mos來做, 則它的電容值是多少(如每個???f/um)
  r" G0 A; X9 p因小弟不清楚的design rule有否寫這個數值..

. u* {6 G# ?2 u感謝各位的幫忙.

qpau

MOS的電容值可以用oxide的厚度,面積以及介電係數算出來,
4 |  H/ [2 f& k: r/ \5 D# hoxide厚度在spice model內可找得到, 通常是tox這個參數,
但要注意MOS的電容值會隨著偏壓改變,
可用軟體模擬出C-V曲線,
( d. \5 [" M+ \2 b8 F: Y1 _  h/ rBtw, 0.18um製程中應該有提供accumulation mode varactor這種元件,
也就是長在NWELL裡的NMOS,
spice model文件中應該也有這種元件詳細C-V曲線以及RF model,
9 t9 s: D8 {: a/ T0 Z. z6 R使用這種元件並不需要多加光罩,
建議你可以查ㄧ下spice model的說明文件

tommywgt

我記得是不是在美國的哪所大學有很多的虛擬製程可以下載的???

# y/ K+ l9 C3 B& b0 ^0 {( _6 f& O5 u哪位大大可以補充一下下?

st80069

我記得Hspice有一個指令可以模擬MOS的電容值，且要用MOS做電容估算的方法就是下面這個指令
' I3 Z# Q1 ~$ `, z% R# [5 W.option dccap post
.print CGG=LX18(mn1)
9 f, g, H8 g7 V/ m5 M.dc vin 0 5 0.1
....
.....
0 J6 `1 ~6 Y! c0 e( Y% `1 z.......
.end
; q" H1 u% U8 J! X, O/ ?3 M然後往.lis 裡就有出現這個MOS的電容值了吧....
如有錯誤，請大大們指教~~~
/ \# `$ O, \& m( }. Z" N) Q: f, i
對了，想借問一下，用mos作電容 V.S. 三明治metal夾層作的電容 差別在哪裡啊，
7 ~5 A. L" U* h2 s! I0 p我模擬過，發現MOS只需要小小一顆W/L=2.9/15 就可以輕輕鬆鬆的達到750fF，
- N% }* X- M& [而三明治卻需要好幾十倍，那面積大大減小，為什麼大家不改成都用MOS做就好了???

小緯仔

回樓上的大大，MOS電容是非線性電容

- F. n0 p* S, l: P4 B& }比較不穩定，但好處就是能用小面積來換取大的電容值