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[問題求助] 加入T18 ESD IOPAD之後 VSSE的gnd 會短路到所有port

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1#
發表於 2023-8-2 02:43:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
大家好
8 {+ ?9 D+ ]" B) x. n- J
9 |, T8 ^  G) \2 @$ ^在完成晶片的core之後要打上PAD去做靜電防護" l" v9 \( o0 [+ B' @# h- _
# s/ `2 F; r5 j( |9 a
但是我的VSSE PAD的接地端卻短路到所有AIN_18的port
. I2 J3 n' }& `1 |# L) |! K
# Y" n! H! ^# \- A造成LVS驗證顯示短路* W1 m0 K' {2 N6 f$ @3 s

( J5 G8 w- G1 m6 s. A因為用的是TSRI給的library% O0 Z% ~6 ?  z
$ W! H( M7 y; u% p
發現他們的AIN_18接口好像會直接短路到ESD的gnd @@(從layout 的佈局圖匡起來的虛線判斷的
$ p. I/ T: \1 _: ?$ u- _0 [" b1 N9 P" j6 n( ]/ Q
而且製程檔中給的一顆範例layout我也跑不過LVS QAQ6 v, x# f, f9 {- n; u8 s3 Y. N, X

+ W% s9 s8 A  h  }6 z/ z; u是stream in 的時候就有問題了嗎?
+ Y3 K( H8 ?0 F" d  [, B0 ~
! _0 L5 `9 T3 L: Y& p# j9 S8 x* q請問有人有遇過類似的問題嗎 謝謝大家
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