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[問題求助] 加入T18 ESD IOPAD之後 VSSE的gnd 會短路到所有port

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1#
發表於 2023-8-2 02:43:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
大家好& i" @% [$ S1 |9 {" ?
! `2 ~4 }7 M2 T( C5 C
在完成晶片的core之後要打上PAD去做靜電防護) e( A2 @+ S6 B! ?7 L

  L3 _6 |2 k. M% {但是我的VSSE PAD的接地端卻短路到所有AIN_18的port
0 Y* f; u# m+ \& I! c8 O/ ]$ N" Y
造成LVS驗證顯示短路
7 K3 n; @$ u. E" p% O4 @" `# S$ h( K  r7 ]8 f! a. p& Y* P
因為用的是TSRI給的library0 t' P/ U8 m; z2 Y8 |& h

- P4 p; f: \, @9 p6 \: ]發現他們的AIN_18接口好像會直接短路到ESD的gnd @@(從layout 的佈局圖匡起來的虛線判斷的
/ B* S6 L  e1 \, n* ^6 E) D" A  a$ Y0 @* e
而且製程檔中給的一顆範例layout我也跑不過LVS QAQ
% d9 A: }: u" z% ?$ G! `! Y
% x; \" k" L/ l4 h: n+ Z. }是stream in 的時候就有問題了嗎?
1 U1 b" \( \1 V2 ]9 e# P, [5 `' M& k+ E: {& o) h9 K2 L
請問有人有遇過類似的問題嗎 謝謝大家
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