|
2#
樓主 |
發表於 2021-9-26 20:14:03
|
只看該作者
RC ckt
& [# i. R5 p' h% `$ K9 kR=60k ohm & C=1p F
* q: }: _: F7 u1 G8 W \BW=2.65M8 K$ A: I7 \# E: j$ h C
----* z7 z: g6 _9 w4 r. f: k8 b8 b
NMOS common source
7 b; Q* `2 S8 S, q8 q- b. }) g+ wMn1 vout vin vss vss w=1u l=0.18u m=1& I& h, w' v, W. g" X3 h
Mp1 vout vbias vdd vdd w=3.34u l=0.18u m=1 8 O8 `; p7 t1 H$ U2 q0 q8 K8 v4 s
Cout vout vss 400f9 X; Q: `. b* z+ C0 a
BW=17M Hz @Vout=0.9
, ^) G) W9 S% J/ s; r& v6 b----
, Q8 [% H. `+ c' w _+ u; Bac noise的模擬條件. N: j4 a! M& V* n
.ac dec 10 1 1g8 j8 s$ C- ^6 h+ k/ w8 d
.noise v(vout) vin 1
9 Z+ n' u+ }, E1 E------, z' Z& I* H8 }7 a: M
.trannoise的模擬條件 `; V% A# r' ^5 E) G
.tran 1n 3u+ t, o$ W5 n( _/ [% ^
.trannoise V(vout) SEED=2 SAMPLES=512 FMIN=1 FMAX=1g |
|