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[問題求助] MOS DUMMY大小

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1#
發表於 2020-10-26 10:48:13 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近遇到問題是當matching完為了防止蝕刻0 ^9 d. R/ D. `
所以要補上DUMMY但是DUMMY的大小要怎麼去設計呢
( F4 r% A( A$ K, G$ W有人可以跟我解釋一下嗎? 謝謝各位~~
9 b' [/ D) |! k( s- O7 |% o/ y1 v& P" ~+ u! @$ l
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2#
發表於 2020-10-28 01:20:27 | 只看該作者
可能還要考慮 WPE/LOD 之類的不過如果真的要無腦放 然後也是偏類比的
' v. N6 z$ J0 |你就把旁邊 主要的mos 放兩個W/L 一樣的在旁邊吧. ~4 @3 z3 \' s% `- h8 P. [
3#
發表於 2020-10-28 10:03:15 | 只看該作者
補充,Stress spacing 也是考量之一,3 W7 X- ^0 z! C2 L

; A' `$ H- e* d' g) D; l3 p至於說要怎麼設計?2 [% q/ M6 D  q1 C
/ }# C$ Y+ a2 [4 j2 P. D' e
通常layout的作法,會直接使用您需要加dummy的device的直接複製相同的siza 作為dummy ' c- t" S6 ]# y* P/ H$ G

/ B4 j# S! O6 `1 a- E( K4 X) OS/D 的接點就要看你的合併的訊號源作為依據去設計,G接地即可
! D* ?& t' }+ s" ?  e0 W! @& r8 I
至於dummy加的量以designer為主,至於加多少量參考經驗值作為依據,每個製程被要求的dummy距離不一,
4#
發表於 2021-6-23 18:06:25 | 只看該作者
詢問有經驗的人,或直接請你的designer跟你說
3 N! a9 l# c! j1 J$ M! U3 \不同製程,情況都不同,所以沒有一個能解釋清楚的依據可以通吃2 q1 e. F: F$ V7 W7 u, z
但學科觀念到是可以幫助你理解原因
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