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[問題求助] MOS DUMMY大小

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1#
發表於 2020-10-26 10:48:13 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近遇到問題是當matching完為了防止蝕刻- N5 ]  j' j* u, r0 N1 x9 @! d
所以要補上DUMMY但是DUMMY的大小要怎麼去設計呢- i9 ^) \# t. X
有人可以跟我解釋一下嗎? 謝謝各位~~ , b% z7 V$ M6 `
; l6 o5 b* O* s! L+ ?# s- g: E
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2#
發表於 2020-10-28 01:20:27 | 只看該作者
可能還要考慮 WPE/LOD 之類的不過如果真的要無腦放 然後也是偏類比的! c" I; @( o3 n( n6 q+ }
你就把旁邊 主要的mos 放兩個W/L 一樣的在旁邊吧; t- ^# X2 H( W  g  Q& \
3#
發表於 2020-10-28 10:03:15 | 只看該作者
補充,Stress spacing 也是考量之一,
/ T. R! @% d- J9 S! A7 j5 \" ?* d4 U- P: R. @
至於說要怎麼設計?
5 T' v1 T- A8 `7 Q, w
; U  }9 a) p* U通常layout的作法,會直接使用您需要加dummy的device的直接複製相同的siza 作為dummy
. I. }) R6 g2 x2 h3 E5 i  y
0 v, I& b$ x* D8 R8 F' PS/D 的接點就要看你的合併的訊號源作為依據去設計,G接地即可
( p: P$ E. K: f9 h0 F: f" V9 T) H% j! x* W$ ?, \1 r& S* [" h
至於dummy加的量以designer為主,至於加多少量參考經驗值作為依據,每個製程被要求的dummy距離不一,
4#
發表於 2021-6-23 18:06:25 | 只看該作者
詢問有經驗的人,或直接請你的designer跟你說! N! O7 y' E' L, i; r9 M8 K
不同製程,情況都不同,所以沒有一個能解釋清楚的依據可以通吃; U, n7 n7 b& z3 y3 W
但學科觀念到是可以幫助你理解原因
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