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[問題求助] [問題]關於某篇文章設計capless LDO 的 PMOS

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1#
發表於 2014-7-13 22:36:22 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位先進們
. m) H; X: p  u                                                                                5 Q& v4 G( S+ Z
請問有誰拜讀過Robert J. Milliken 在 IEEE Transaction on circuit and system
4 H  g: V* Q+ l, p0 ~                                                                                , w' t7 E) F: I1 h5 a9 w) ?- P
在2007年"Full on-chip CMOS Low-Dropout Voltage Regulator",在文章的後面Table3
* [- p& R! D, I0 v% W                                                                                
# h( E  ^( d7 q7 o提到pass transistor 設計的尺寸W/L=40000 且只要流過10uA就可以得到Gmp=3.2mA/V2 h+ q2 }1 f5 X" P! q+ E/ S" Y3 H# f
                                                                                
6 O! J0 m9 t" o以及CGS=100pF CGD=26pF ‧我是使用hspice模擬單顆電晶體,發現至少需要Id=100uA' ]" S* G6 e* y! [
                                                                                ) p* e: {# |# m6 c7 C/ q
以上的電流才可以得到Gmp=mV/A等級的大小,還是我誤解他的意思,請各位先進指教一下5 ?( C2 L  f  T( e3 h
                                                                                : L" e2 C9 k" X; j
感謝
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2#
發表於 2014-7-30 15:02:50 | 只看該作者
跟bias條件有關
3 ], V; h+ u0 \  ^! {) M: nW/L=40000, Id=10uA, PMOS是bias在weak inversion  _- J8 Y* l$ }" L5 n( Q
gm 本來就大
, F9 X' C' ~1 ^0 m. e至於模擬的方式, PMOS source 接3V, drain 接2.8V3 c, X" D# Z; L& M
掃gate電壓看電流, 找Id=10uA下的gm ) s$ j' d. u  P3 ~
前提是你的spice model 有cover weak inversion (通常不太準~)
3#
發表於 2014-9-19 08:39:48 | 只看該作者
這幾年的cap-less LDO走向運用adaptive biasing or dynamic biasing的研究方向
8 d1 k, ~3 W5 R$ R# l( `  Y& {' h2007年那篇算是比較早期的作法了
8 \: ~. L' w2 [0 p( N且如同jackrabbit所言,PMOS's size那麼大又要能有那麼高的gm,確實是要在weak inversion,而且,那也要看Foundry所提供的device model是否夠精準,我前陣子在作cap-less LDO時,就曾發現用SPICE model和用Spectre model跑出來的結果差異甚大% T( y, w0 W! H3 T
後來仔細追究,發現是
遊客,如果您要查看本帖隱藏內容請回復
4#
發表於 2014-9-20 13:14:42 | 只看該作者
來看一看4 Y; ^3 z0 g3 F0 j- a# u
capless ldo真的需要考慮更多的是  補償  voltage drop
) J3 Y2 d' ^$ |9 C( }& p傳統作法都是還會在layout有空間的地方塞一堆電容0 |8 {, x) s4 d; _
比較新的作法本身是還沒試過  畢竟  公司要的是做出來的時間而不是讓你慢慢研究阿QQ
5#
發表於 2014-9-21 11:43:24 | 只看該作者
現在的cap-less LDO走的是low quiescent current的error amplifier" h2 z! l+ d+ f1 i4 @+ N1 E7 Q" J
以前,error amplifier的quiescent current可能是20uA~40uA不等,但現在卻是要求要在低於10uA以下,甚至在某些condition下要在0.1uA下6 V- ?- _$ n" t* M' @+ s* s
* o# y/ I5 c0 a) s: y6 o# b
以前會覺得不合理,但,現在競爭對手都做出來了,相對的就會被要求朝此規格去設計,畢竟公司出錢請你,如果你又拿不出相對等的成績出來,想當然爾結果也可預想. Y; w! A: D) z
這是RD的宿命$ R- K1 Z) P7 M2 _/ X0 H. z9 ~
% ]9 q. F. ^% O3 v4 @+ C) [
遊客,如果您要查看本帖隱藏內容請回復
6#
發表於 2014-9-24 12:50:33 | 只看該作者
cap-less, low quiescent current 有時跟要能快速response output voltage # P( Q# a7 @+ M; p% d" q
drop 同時滿足, 直接想還挺困難, 上來看看是否各位大大有獨到見解
. u$ Z7 U5 u2 ?; O可以學習一下
8#
發表於 2015-8-29 21:29:55 | 只看該作者
又要馬兒好,又要馬兒不吃草,IC設計很多時候都要做『trade-off』。
9#
發表於 2015-9-19 13:11:07 | 只看該作者
最近有一些需求,需要用到capless ldo,來參予討論一下
10#
發表於 2016-6-25 22:51:24 | 只看該作者
感謝分享。我來研究研究一下
11#
發表於 2016-8-12 00:59:41 | 只看該作者
感謝大大們的討論
" m! n6 L  s3 S% h1 R( Y2 k( [小弟來研究一下
12#
發表於 2016-9-20 10:36:22 | 只看該作者
最近正研讀這類電路,還不清楚設計考量
2 h* i6 D# v& Z5 \& i9 q* S$ m
13#
發表於 2016-12-6 16:19:12 | 只看該作者

0 y/ H) q7 [, [/ W' s, A6 ?7 XThanks for your sharing  It's a good reference for me.
14#
發表於 2017-2-20 16:49:40 | 只看該作者
感謝分享。A good topic to discussed.
15#
發表於 2017-2-20 16:51:52 | 只看該作者
大大見解獨到, Thank you
2 Y( u1 y" E" n9 P8 Q# i+ Z! C( [8 `! q# a( }6 A0 u
16#
發表於 2018-12-6 17:18:28 | 只看該作者
最近讀這篇也有一堆問題
+ w% e' i; E( }/ \極零點分析 和 電路的動作原理都有不清楚的地方
17#
發表於 2019-1-6 20:45:51 | 只看該作者
想看一下隱藏內容                     
18#
發表於 2020-8-6 11:19:22 | 只看該作者
  看下  是 發現如何 設計  capless  LDO
8 n) L+ P0 v( t" H; i2 k/ S. C; k2 o! F0 Z$ m2 h. a( R
8 ]3 J- D) i3 j3 ^
; L, [; K9 Y9 [5 o+ f$ \
20#
發表於 2021-2-5 14:27:40 | 只看該作者
想看一下隱藏內容;感謝分享;感謝參與討論,謝謝7 f% ^1 }" @/ m3 K& t& l0 N
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