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[問題求助] [問題]關於某篇文章設計capless LDO 的 PMOS

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1#
發表於 2014-7-13 22:36:22 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位先進們8 ~4 G7 k6 [3 V' O( y% Y5 @% G
                                                                                - P) B, `  E2 j. h
請問有誰拜讀過Robert J. Milliken 在 IEEE Transaction on circuit and system& K. D% J3 d$ U1 \
                                                                                
, f7 e" t  a* ?, @5 Q, q$ ?在2007年"Full on-chip CMOS Low-Dropout Voltage Regulator",在文章的後面Table3" Y0 Y2 d6 v8 s4 u
                                                                                ' h% u& a- I7 o0 y
提到pass transistor 設計的尺寸W/L=40000 且只要流過10uA就可以得到Gmp=3.2mA/V" k% b4 ?. J5 h" |% y0 D( U" i
                                                                                
  \8 w( s3 Q, t; l以及CGS=100pF CGD=26pF ‧我是使用hspice模擬單顆電晶體,發現至少需要Id=100uA1 o5 p, J! i) z5 x7 v$ f& v' D
                                                                                
: O; u+ P4 a2 d( y以上的電流才可以得到Gmp=mV/A等級的大小,還是我誤解他的意思,請各位先進指教一下" I3 @. |& i0 `( g: A6 n" h' r
                                                                                : C' `2 f* V/ g9 f- ^
感謝
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2#
發表於 2014-7-30 15:02:50 | 只看該作者
跟bias條件有關6 @; U9 `& Z- w$ O3 S, r/ n% m4 H3 D
W/L=40000, Id=10uA, PMOS是bias在weak inversion
$ J8 G. U7 P! t/ p1 H+ x0 F- m: n" m7 ^gm 本來就大
  P0 _) t6 w# d. d至於模擬的方式, PMOS source 接3V, drain 接2.8V
% u( Q; q* p  L( A1 v掃gate電壓看電流, 找Id=10uA下的gm
8 T' Y$ U" E( j( ?前提是你的spice model 有cover weak inversion (通常不太準~)
3#
發表於 2014-9-19 08:39:48 | 只看該作者
這幾年的cap-less LDO走向運用adaptive biasing or dynamic biasing的研究方向
: h+ J  @$ J3 O7 q' n2 \; }/ S4 Y2007年那篇算是比較早期的作法了
) f) e0 @% K5 D, D+ v1 @" E$ M且如同jackrabbit所言,PMOS's size那麼大又要能有那麼高的gm,確實是要在weak inversion,而且,那也要看Foundry所提供的device model是否夠精準,我前陣子在作cap-less LDO時,就曾發現用SPICE model和用Spectre model跑出來的結果差異甚大
& `: }+ Q/ S  `; ?* H  B% Q% o後來仔細追究,發現是
遊客,如果您要查看本帖隱藏內容請回復
4#
發表於 2014-9-20 13:14:42 | 只看該作者
來看一看! |1 @! C& Y! k0 _- y
capless ldo真的需要考慮更多的是  補償  voltage drop% W% N5 B: t% _8 Z- z* s
傳統作法都是還會在layout有空間的地方塞一堆電容
8 `! o, @% d. l' i0 i( o6 r比較新的作法本身是還沒試過  畢竟  公司要的是做出來的時間而不是讓你慢慢研究阿QQ
5#
發表於 2014-9-21 11:43:24 | 只看該作者
現在的cap-less LDO走的是low quiescent current的error amplifier0 I" r% j1 L( z- M# |
以前,error amplifier的quiescent current可能是20uA~40uA不等,但現在卻是要求要在低於10uA以下,甚至在某些condition下要在0.1uA下) z+ E3 Y6 v6 q2 ]* Z* Y
: k6 l) W' ~/ v( _9 O( u  i
以前會覺得不合理,但,現在競爭對手都做出來了,相對的就會被要求朝此規格去設計,畢竟公司出錢請你,如果你又拿不出相對等的成績出來,想當然爾結果也可預想! ^5 H! S8 n6 Z
這是RD的宿命
+ _: w9 H& p: A4 R; v; M7 m& @) J- i2 F: m9 |
遊客,如果您要查看本帖隱藏內容請回復
6#
發表於 2014-9-24 12:50:33 | 只看該作者
cap-less, low quiescent current 有時跟要能快速response output voltage 4 \# y0 I" r: _3 |& R9 D4 k
drop 同時滿足, 直接想還挺困難, 上來看看是否各位大大有獨到見解9 O; _) Z3 @3 h% e" S3 M8 L
可以學習一下
8#
發表於 2015-8-29 21:29:55 | 只看該作者
又要馬兒好,又要馬兒不吃草,IC設計很多時候都要做『trade-off』。
9#
發表於 2015-9-19 13:11:07 | 只看該作者
最近有一些需求,需要用到capless ldo,來參予討論一下
10#
發表於 2016-6-25 22:51:24 | 只看該作者
感謝分享。我來研究研究一下
11#
發表於 2016-8-12 00:59:41 | 只看該作者
感謝大大們的討論# @# i) u8 }) @( B
小弟來研究一下
12#
發表於 2016-9-20 10:36:22 | 只看該作者
最近正研讀這類電路,還不清楚設計考量
4 |. k7 R9 ~5 \" }. M
13#
發表於 2016-12-6 16:19:12 | 只看該作者
# S5 n7 ~. R: l
Thanks for your sharing  It's a good reference for me.
14#
發表於 2017-2-20 16:49:40 | 只看該作者
感謝分享。A good topic to discussed.
15#
發表於 2017-2-20 16:51:52 | 只看該作者
大大見解獨到, Thank you/ c  I( w$ x3 `3 G! K

6 `, P1 U) k' U% P
16#
發表於 2018-12-6 17:18:28 | 只看該作者
最近讀這篇也有一堆問題 ( @: r$ Y/ b6 Y) b0 n+ c
極零點分析 和 電路的動作原理都有不清楚的地方
17#
發表於 2019-1-6 20:45:51 | 只看該作者
想看一下隱藏內容                     
18#
發表於 2020-8-6 11:19:22 | 只看該作者
  看下  是 發現如何 設計  capless  LDO6 }- l, M( e! d" M$ ?

' V: ?1 _1 l6 I0 K* \5 H0 Q% x  a+ l6 s, P  ?

3 T6 Y) f' k) {  b
20#
發表於 2021-2-5 14:27:40 | 只看該作者
想看一下隱藏內容;感謝分享;感謝參與討論,謝謝
9 [3 g. [' {( e( z9 E2 G' K  E5 i
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