MOS的finger和mutiplier

billcheng

請問各位老大
9 n: `) @" s* U1 f
$ Q0 A0 u1 \5 B9 h9 |  W7 e0 p若應用在LDO的powerMOS

3 G2 _, x1 ?" l! p% g" ~8 K5 U使用MOS的finger和multiplier 有什麼差別(我只知道finger 較省面積，寄生電容較小)

例如電流會不穩嗎?? 或是會有漏電流....等情況

  T: y. \6 h0 c% I# _$ _8 B若用finger，那選MOS的width 和length有什麼特別需要注意的??

0 G5 O. ]$ e- S4 L5 R例如L不能用太小，W不能用超大 ??

# I9 F. ~% d( R  r謝謝大家

jackrabbit

finger 跟 multiplier 的差別
: A5 W* }) k9 W9 n. ~3 l3 {$ q7 V前者是 S/D 共用, 後者是unit mos 然後duplicate
如果很強調matching就會用multiplier
3 a* M. J; r) i' h" x  f: |finger的好處就如你說的沒錯

9 O6 R" r* V' r6 E至於當LDO的power mos
因為size很大, 反而需要考慮的是device issue
. ]9 b% ?' Q. l像latch-up, ESD, over-stress, 這些layout上都有技巧~
如果有over-stress的考量(需要把device 操作>Vds耐壓條件), L 不建議用minimum值
- j/ m( N2 X. Q* z. e$ {9 q至於W, 長度不可以太大, 主要是怕ESD時 turn-on不完全
+ p7 M+ C% c$ G& o+ N9 s; u另外, S/D 拉寬, cont/via 打滿, 降低接線造成的寄生阻值
諸如此類~

finster

補充一些:
3 @2 `; |. F9 }: _一般來說,LDO的輸出會出PAD,故而LDO Power MOS要遵守ESD fule,所以L不會是minimum length
而是minimum length + (0.1um ~ 0.2um)左右不等
至於Width, 也通常不會太短,至少都是大於15um以上,小於約40um以下左右不等,會有這個限制其實也是因為ESD performance的緣故
且在Layout畫法上,需遵守ESD rule來畫,在Drain or Source端需加特別留意,加寬pick-up藉以拉遠Power MOS和相鄰不同type device,避免latch-up

empatheia

回復 3# finster
2 L$ n! x. ]6 B' ]% C0 C/ ~/ l
真精闢，謝謝版主的見解與分享

ninja0925

說得很詳細的一篇
& {! K7 c8 I+ F% f4 m
謝謝分享

e100292002

感謝版主的回覆仔細 收穫頗多