MOS的finger和mutiplier

billcheng

請問各位老大
. B7 e! U) |+ X+ p/ A4 S8 Z
# [; \7 \# I  h6 e  ^若應用在LDO的powerMOS
, U( z8 ~; _' {3 g9 b. D
使用MOS的finger和multiplier 有什麼差別(我只知道finger 較省面積，寄生電容較小)
1 e5 }: r+ y5 t2 W  Q- i
例如電流會不穩嗎?? 或是會有漏電流....等情況

若用finger，那選MOS的width 和length有什麼特別需要注意的??
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$ B/ \% @3 o; {# q+ J8 d- R例如L不能用太小，W不能用超大 ??
4 V5 E9 t, ]1 N" K
謝謝大家

jackrabbit

finger 跟 multiplier 的差別
' F4 t/ s/ ~" `. I; Z9 Y" D前者是 S/D 共用, 後者是unit mos 然後duplicate
6 x* r/ `& f; k  @( V2 P4 Q如果很強調matching就會用multiplier
finger的好處就如你說的沒錯

至於當LDO的power mos
: @' u% _" {/ y7 F5 w! J+ V$ I因為size很大, 反而需要考慮的是device issue
像latch-up, ESD, over-stress, 這些layout上都有技巧~
如果有over-stress的考量(需要把device 操作>Vds耐壓條件), L 不建議用minimum值
/ R5 [1 u" H8 g6 J$ o至於W, 長度不可以太大, 主要是怕ESD時 turn-on不完全
另外, S/D 拉寬, cont/via 打滿, 降低接線造成的寄生阻值
諸如此類~

finster

補充一些:
一般來說,LDO的輸出會出PAD,故而LDO Power MOS要遵守ESD fule,所以L不會是minimum length
/ y: J2 b9 ]# B- x6 Q8 l* w7 M1 F而是minimum length + (0.1um ~ 0.2um)左右不等
! T, a7 ^7 R9 F& A至於Width, 也通常不會太短,至少都是大於15um以上,小於約40um以下左右不等,會有這個限制其實也是因為ESD performance的緣故
3 k! R" C7 L/ [5 Z, ~0 y8 Y2 @( `8 m且在Layout畫法上,需遵守ESD rule來畫,在Drain or Source端需加特別留意,加寬pick-up藉以拉遠Power MOS和相鄰不同type device,避免latch-up

empatheia

回復 3# finster

/ u3 x- X8 O* o$ R' n& K真精闢，謝謝版主的見解與分享

ninja0925

說得很詳細的一篇

謝謝分享

e100292002

感謝版主的回覆仔細 收穫頗多