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[問題求助] T18 DRC LUP3.1g_1.8V

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1#
發表於 2013-10-7 23:48:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
本帖最後由 aj002547 於 2013-10-7 11:51 PM 編輯
$ w' N# k! e" w5 f) x8 Y. ^4 y1 u
. m. K2 ?8 p  {5 C8 O  P各位先進好, 小弟有遇到一DRC錯誤不只如何解, 想請教各位
! G4 s7 J7 U- t1 }* i; m6 K  ^. m7 T/ M1 S  A' n  K1 o4 j
圖片的反向器輸出有接至PAD, 但cell都是畫好的,
  X0 v: v- i* s! a  }. }% r0 L7 ?
( K" T3 Z' r: ]! C) s) E難不成真的要把這塊拆開然後拉開到他所指的3um這麼長距離嗎?
0 ~# l& {% m9 o+ ]
* Z& s1 v4 i- D+ \+ ^4 n; x( W3 F, a還請各位先進有處理過的幫忙, 謝謝" _+ x- E0 `6 n0 `

% p7 B/ U  H9 Q0 Q
3 U- I- H& j8 p* ]6 a( \
: P6 O- c8 {" `  ~% U1 W% I/ {$ J1 j8 v+ p# L7 G& ]' d
highline處為紅色框起部分
2 k; R" j6 M, s/ G' T

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推薦
發表於 2013-11-8 07:39:24 | 只看該作者
您好:
2 \' a: P( y* r" f+ r' A9 X% O4 }: ]
       我簡單的按照DRC RULE上的字義跟分享一下我的看法,應該是說如果你的N/PMOS有直接接到PAD的話,你的NMOS就必須要圍上DNW,而且DNW跟你的PMOS的NW必須距離3um以上。
+ g& F+ s8 _' u# S2 m
% x, M. P9 A& j! ?        我猜這應該是為了ESD所設的RULE,因為在PAD附近較易有大電流,故拉開N/PMOS以防止LATCH UP產生。4 p0 b6 p2 J/ S1 F  E! e2 E* l7 A
6 {. j8 {- A6 H$ A3 Q" z( A
以上希望對你有幫助。
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3#
發表於 2014-5-21 18:14:38 | 只看該作者
LUP  廠 rule' Y! e5 N% w/ }! P1 }, q  V
9 R$ `$ }/ P/ T) F2 z6 P
space  between the NMOS and the PMOS
4#
發表於 2014-5-21 19:14:49 | 只看該作者
請把PNMOS 拉開 並為一個完整的ring
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