|
用transmission gate 模擬電阻約40k! c/ B7 a0 o; a1 R1 d* y
(附上HSPICE)
+ M& o0 D! v$ p% i0 C/ @( b5 @2 q, p0 q2 {. l7 v
Mrn vi vdd vo gnd nch5 l=3u w=1u . a4 s$ q6 X3 z
Mrp vi gnd vo vdd pch5 l=3u w=1u $ I, B5 N! b1 n- q1 g
8 X0 L7 N }' |& O
vi vi gnd dc 3.7v! R9 j2 s( P1 F( z
vdd vdd gnd dc 5v
( w4 s4 { F* _ }.op3 ^. W- p& G4 e
.option post
) |/ u& {2 e# H' Q& r. u.dc vi 0 5 0.01! o$ \6 U4 L4 o# s7 [
.print |(Mrp)|(Mrn)rp=par('1/lx8(Mrp)')rn=par('1/lx8(Mrn)')' W: f$ |' D: g) N0 N- R5 P! ]
+req=par('1/(lx8(Mrp)+lx8(Mrn))')
* o9 |1 {$ }& C.end% q: S2 \2 s0 q% H
1 M. T5 G4 [- M+ H) C `; `( m7 H9 y************************0 I/ A" C9 P9 y6 @
問題是VI灌3.7時,發現MRN會進入截止區
8 F: s7 {8 u& ~- F& H但....模擬圖還是顯示R=40K,請問這種T.R電阻還可以用嗎?還是兩個MOS都要在SAT區? |
|