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[問題求助] transmission gate 電阻問題

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1#
發表於 2013-5-19 09:47:13 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
用transmission gate 模擬電阻約40k( {1 K. g' i& B+ y
(附上HSPICE)3 P  \. m9 d# t" B
  L! Z- K- S) N) K1 ?+ `9 u
Mrn vi vdd vo gnd nch5 l=3u w=1u  ; t; t8 O( J' @( x1 H
Mrp vi gnd vo vdd pch5 l=3u w=1u
: v3 b* g: }8 D2 S+ v- g( C
! X' B( p2 I6 }9 K& f vi  vi gnd dc 3.7v
1 @0 d& K; S- K, l1 z! e" Yvdd vdd gnd dc 5v
( u' y9 a: e5 y; X+ K- G.op
+ h- B" }5 S7 |; Y2 T# h.option post
3 ?9 z* j+ o" l# X+ w.dc vi 0 5 0.01! _* w( T# X. S% @! R5 O6 e
.print |(Mrp)|(Mrn)rp=par('1/lx8(Mrp)')rn=par('1/lx8(Mrn)')2 _: E; o, Z0 H! f
+req=par('1/(lx8(Mrp)+lx8(Mrn))')1 C: `8 l6 G7 y
.end
2 F- M+ Y" a! B  f
4 f5 W* u# j6 \************************, t( N& ~" l( a! Y" F$ e
問題是VI灌3.7時,發現MRN會進入截止區
' z+ E& Q5 P3 ]$ v+ [( \, U. |# N但....模擬圖還是顯示R=40K,請問這種T.R電阻還可以用嗎?還是兩個MOS都要在SAT區?
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