不好意思，想請問一下 bandgap 的問題

a5317

  {- ^5 D! Y. \' d8 i5 W* j9 \& m% V
想請問各位大大
& g8 M; Z; Q: e$ C, r
, k; r$ i0 F' O( p. x- v0 ]我是用TSMC 0.18um製程 設計bandgap再跑製程變異時，若電路有mos和BJT是要跑( EX:MOS有5種變異 BJT有3種變異 所以要跑15總組合!?)
2 J, p0 Q, U0 m+ E" S
還是直接跑一起跑 TT SS FF之類的。

; U- u* n- c+ ^6 @3 [小弟我有跑一下製程變異但有一個問題就是 請問在各個製程變異下 每一個VREF曲線 本來就會上下偏移 是正常嗎? 因為我以為會很接近

但是有約有50mV的偏移。
3 \# z. r  l) O
1 ~, {  J7 H* K+ F3 B
* s' v$ u7 N7 \這是mos及bjt一起跑ff tt ss 的圖
/ N: Z5 H2 i' A% f' u0 |, H# `+ M想問這樣是正確的嗎

billlin

這偏移是BJT 的VBE 在不同Corner(SS/TT/FF)造成的,
( V9 C# R8 s5 K  j& t" s實際做出來的bandgap電壓也隨BJT VBE電壓呈絕對電壓關析
( ^+ l! m2 ?. P) ZVref=VBE+VT*(1+R2/R1)*ln(N)

a5317

恩恩 所以 我波形這樣是算正常的嗎?? 我是有計算每一個corner的溫度變異
0 @3 }7 A* d+ T都還是在差不多20多 ppm/C

billlin

算OK,理想的1階補償bandgap電壓根溫度是一個碗狀,
頂點設計在25度C.

sd5517805

希望各位讨论，多谢大家，等待。。。。。。

sma1033

如果要作到跟溫度接近0相關的話，只能夠做曲率補償
你可以去google找curvature compensation bandgape
可以找到很多2接補償的資料

pocket112

我跑出來會有20mV偏差，應該是工藝不一樣