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各位大大們...
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/ F: h' R; M" @% f) T j小弟最近在研究BandGap,小弟電路是Razavi 類比CMOS積體電路設計(中文書)P11-13 圖11.20
& {, l) v) V/ w: S. {. ]5 _" f原文請參考 Ch11 11.4 PTAT Current Generation
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架構完全一樣,只是加了簡易的start-up,在跑pre-sim時,所跑出的curvature非常理想,呈現如二階效應(呈現平躺的S型曲線),
+ w. z# [+ X, m' _3 g* T9 h9 d但在小弟畫完layout後,跑post-sim,跑出的curvature在temp=0~60中間(sweep -40 125 1),出現疑似不收斂的突波,這一段在pre-sim原為最平坦的地方,7 ]3 j2 i% b2 D9 [
後來,小弟查看了hspice的手冊,其中提到.option reltol,小弟原始設定為.option reltol=1e-6,後改至.option reltol=1e-2,便可收斂,# Q) A: w0 Z; Y- f J
5 Q: O* _# P9 o9 l因為DC analysis只是將tran analysis的工作點分析,實際電路必定合乎實際操作,
- K/ V5 |( m/ l2 c, I# D" o所以小弟run .tran去看(.tran T_step T_stop sweep temp -40 125 1),
% j4 v+ \# i* j跑出的.tr檔,利用SX的Equation Builder,轉換後的curvature,卻與pre-sim curve近乎相同(當然volatge有增減),
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. z' S+ f6 S: s; W問題來了...
# R1 P U: U% N& ~$ p- e( c2 ?1. reltol=1e-6不收斂(curve有突波),reltol=1e-6收斂!!
# ?5 z' G+ j( q/ C' C說是收斂,其實只是將解析度變差,使其忽略(自感),不知是否是這樣!?! t( P) X! O7 Z; Q4 G4 k, M5 X3 I# v
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2. .tran是實際電路仿真,在.tran是OK的,.DC卻不OK,這是否代表電路上有"不確定點"的問題。# l' D, ]8 P+ e& w, e, Z7 [& q7 m
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& }9 M: B. y: }! ^' u' t曾經聽過教授說,在做模擬時,我們必須先確認與相信所有Tool、process、command都是OK情況下,$ x0 S& w) R0 ~4 K( X2 R" t! T
在模擬上有異常,必定代表電路有誤,2 I6 \$ r# f+ L2 X Y! T' S. A3 ^
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不知道大家有沒有什麼經驗與建議,讓小弟分享您的血汗... |
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