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各位大大們...& @. Q3 Y- D& r1 U% c! @% S
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小弟最近在研究BandGap,小弟電路是Razavi 類比CMOS積體電路設計(中文書)P11-13 圖11.20- m8 V* F s- G. n2 d" I
原文請參考 Ch11 11.4 PTAT Current Generation; P) H8 N/ X9 {
: K& h `& H% i) Q7 d4 W0 X
架構完全一樣,只是加了簡易的start-up,在跑pre-sim時,所跑出的curvature非常理想,呈現如二階效應(呈現平躺的S型曲線),8 H' q+ g U/ m) X% ^
但在小弟畫完layout後,跑post-sim,跑出的curvature在temp=0~60中間(sweep -40 125 1),出現疑似不收斂的突波,這一段在pre-sim原為最平坦的地方,- L, \6 |+ G3 U4 g1 U: U: J
後來,小弟查看了hspice的手冊,其中提到.option reltol,小弟原始設定為.option reltol=1e-6,後改至.option reltol=1e-2,便可收斂,
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0 c8 n6 _7 g% s. a0 p* X因為DC analysis只是將tran analysis的工作點分析,實際電路必定合乎實際操作,6 X/ H7 U& V! m9 D# Q3 @' l
所以小弟run .tran去看(.tran T_step T_stop sweep temp -40 125 1),
% {8 z8 T8 S1 }4 _2 {) x; a跑出的.tr檔,利用SX的Equation Builder,轉換後的curvature,卻與pre-sim curve近乎相同(當然volatge有增減),
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. ?6 \8 i' N, O; s; r. B問題來了...* u0 G, X3 Q7 m, i
1. reltol=1e-6不收斂(curve有突波),reltol=1e-6收斂!!
b8 Q' M |% N, b說是收斂,其實只是將解析度變差,使其忽略(自感),不知是否是這樣!?
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2. .tran是實際電路仿真,在.tran是OK的,.DC卻不OK,這是否代表電路上有"不確定點"的問題。
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曾經聽過教授說,在做模擬時,我們必須先確認與相信所有Tool、process、command都是OK情況下,2 F4 W2 Y! q, o/ f# |
在模擬上有異常,必定代表電路有誤,
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. C; e- S) q g不知道大家有沒有什麼經驗與建議,讓小弟分享您的血汗... |
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