弱反轉區、BJT之LAYOUT

YuanII

各位大大您們好:
      小的最近有個好奇，很多電路在設計時，為了降低功耗，
    都讓電晶體操作在弱反轉區(Weak inversion)，
    這時電流很小，相對功率消耗小，可以理解，
4 j# T" r# T# p5 d1 ^    但電晶體轉導值(gm)較飽和區時的轉導值(gm)大，
    翻了弱反轉區時的轉導公式:gm=Id/nVT
) ^1 U! u/ ^; I  U# u6 |    既然電流小，為何gm會大??這點請各位大大幫我解惑??
6 g) Z( s% y, B( ]
  o3 y( W. a; o3 o- z) B3 S      另外一個問題，看了一些Bandgap的設計，
    大家都將兩顆BJT設計1:8，因為LAYOUT上可以排成九宮格，
    但小弟看到一篇新的設計讓BJT的比例為1:10(有它的特殊用意)，
      小弟好奇那在LAYOUT上該怎麼佈局??

      請各位好心人給意見^^謝謝

YuanII

謝謝大大的回覆@@
小弟大概知道意思，
謝謝。