弱反轉區、BJT之LAYOUT

YuanII

各位大大您們好:
; V. g( A9 g, p! U+ E& L      小的最近有個好奇，很多電路在設計時，為了降低功耗，
! m  D3 Z! L& @" ?+ _( b    都讓電晶體操作在弱反轉區(Weak inversion)，
' d. S, ^: [* B    這時電流很小，相對功率消耗小，可以理解，
    但電晶體轉導值(gm)較飽和區時的轉導值(gm)大，
    翻了弱反轉區時的轉導公式:gm=Id/nVT
    既然電流小，為何gm會大??這點請各位大大幫我解惑??

      另外一個問題，看了一些Bandgap的設計，
    大家都將兩顆BJT設計1:8，因為LAYOUT上可以排成九宮格，
    但小弟看到一篇新的設計讓BJT的比例為1:10(有它的特殊用意)，
9 E- u" H7 @4 b5 i9 N  k) W      小弟好奇那在LAYOUT上該怎麼佈局??
! Q/ a9 Z4 l  J' Z! }
      請各位好心人給意見^^謝謝

billlin

想到其中一種排法消除階梯(gradient)與對稱(systematic)的error:
o代表dummy , X代表10的BJT , W代表1的BJT ..但比9宮格耗片積
o  X  o  X  o
2 Q; }, n" W9 G% A1 j" }X  X  o  o  X
o  o W o  o
- O( S9 X! R) M2 ]1 GX o  o  X  X
o X  o  X  o

billlin

weak inversion gm=I/nVT , VT=25mV  -->(1)
$ c  N* u3 k# E' e! _# Rstrong inversion gm=2I/(gate driver)  -->(2)
所以直由公式直觀的算,
. ~  d: H, J% Z0 }1 N假設gate driver = 0.2V ..
. `) l( O$ t- t* A2 S/ c要得到相同的gm ... 公式(1)比較省電

YuanII

謝謝大大的回覆@@
" R- \/ \5 c+ ?* L/ c( `7 S3 t% U小弟大概知道意思，
8 ~/ D0 ?8 U; c. a2 P9 u謝謝。