弱反轉區、BJT之LAYOUT

YuanII

各位大大您們好:
9 }4 H; L- z2 U) W1 W6 C: z6 p      小的最近有個好奇，很多電路在設計時，為了降低功耗，
* X4 \. n# Q! F. J8 y3 c    都讓電晶體操作在弱反轉區(Weak inversion)，
    這時電流很小，相對功率消耗小，可以理解，
2 T9 }/ D$ H* r1 y, d% V    但電晶體轉導值(gm)較飽和區時的轉導值(gm)大，
* c1 E( ]# B* S( d! r, h3 h' W( E5 y    翻了弱反轉區時的轉導公式:gm=Id/nVT
8 U- d- W: d6 v% m& s    既然電流小，為何gm會大??這點請各位大大幫我解惑??

      另外一個問題，看了一些Bandgap的設計，
    大家都將兩顆BJT設計1:8，因為LAYOUT上可以排成九宮格，
$ k, G6 H* D8 f0 C    但小弟看到一篇新的設計讓BJT的比例為1:10(有它的特殊用意)，
      小弟好奇那在LAYOUT上該怎麼佈局??
8 v  o5 l/ C& R6 h
# n. c  D* A- `. K* F% _      請各位好心人給意見^^謝謝

billlin

想到其中一種排法消除階梯(gradient)與對稱(systematic)的error:
o代表dummy , X代表10的BJT , W代表1的BJT ..但比9宮格耗片積
o  X  o  X  o
X  X  o  o  X
o  o W o  o
1 g& q2 m+ D4 @, r* a) jX o  o  X  X
o X  o  X  o

billlin

weak inversion gm=I/nVT , VT=25mV  -->(1)
strong inversion gm=2I/(gate driver)  -->(2)
; e* Q8 ?# |" \, B/ N所以直由公式直觀的算,
+ Y8 X% s# P# V& i' g" d  d  G* R假設gate driver = 0.2V ..
要得到相同的gm ... 公式(1)比較省電

YuanII

謝謝大大的回覆@@
+ [1 f2 ~9 d8 R$ _+ ?小弟大概知道意思，
# A  U! \6 \5 W% g0 l( f1 r7 f謝謝。