弱反轉區、BJT之LAYOUT

YuanII

各位大大您們好:
      小的最近有個好奇，很多電路在設計時，為了降低功耗，
    都讓電晶體操作在弱反轉區(Weak inversion)，
8 a0 z2 ]( `+ n' a    這時電流很小，相對功率消耗小，可以理解，
7 M; e# ?7 Z# P$ \8 O; n5 a4 x/ N8 V' L    但電晶體轉導值(gm)較飽和區時的轉導值(gm)大，
    翻了弱反轉區時的轉導公式:gm=Id/nVT
0 C  v, U+ h$ `9 z* y3 I+ J    既然電流小，為何gm會大??這點請各位大大幫我解惑??
" ~, o* l, e; d9 u& o* R4 s! ?1 m2 b
5 V# K7 |# x; Q' u# a6 ?! Y6 C7 J7 d      另外一個問題，看了一些Bandgap的設計，
    大家都將兩顆BJT設計1:8，因為LAYOUT上可以排成九宮格，
! m9 r: d* Q9 Z; K6 T) p    但小弟看到一篇新的設計讓BJT的比例為1:10(有它的特殊用意)，
      小弟好奇那在LAYOUT上該怎麼佈局??

' j/ Q& C" k) I% L# ?7 j4 |' A# C      請各位好心人給意見^^謝謝

billlin

想到其中一種排法消除階梯(gradient)與對稱(systematic)的error:
% |6 z/ m0 z* T" X- v/ n/ i3 `o代表dummy , X代表10的BJT , W代表1的BJT ..但比9宮格耗片積
o  X  o  X  o
" T! y: q" _$ n1 n+ c/ BX  X  o  o  X
o  o W o  o
6 {9 l* C$ ^2 _) \5 E6 yX o  o  X  X
% @' D0 d; h0 n- v. o7 Do X  o  X  o

billlin

weak inversion gm=I/nVT , VT=25mV  -->(1)
strong inversion gm=2I/(gate driver)  -->(2)
所以直由公式直觀的算,
; ]0 e/ s1 X; T( Z1 A) y  k假設gate driver = 0.2V ..
要得到相同的gm ... 公式(1)比較省電

YuanII

謝謝大大的回覆@@
小弟大概知道意思，
謝謝。