弱反轉區、BJT之LAYOUT

YuanII

各位大大您們好:
      小的最近有個好奇，很多電路在設計時，為了降低功耗，
8 @6 e% }' D5 d6 d2 [0 o* n    都讓電晶體操作在弱反轉區(Weak inversion)，
    這時電流很小，相對功率消耗小，可以理解，
1 m1 U* h; R( A0 @' a    但電晶體轉導值(gm)較飽和區時的轉導值(gm)大，
    翻了弱反轉區時的轉導公式:gm=Id/nVT
    既然電流小，為何gm會大??這點請各位大大幫我解惑??

7 B/ {# z: L1 \      另外一個問題，看了一些Bandgap的設計，
( Q% }2 C9 T. [' O. R    大家都將兩顆BJT設計1:8，因為LAYOUT上可以排成九宮格，
$ I. `& G! a# E2 c5 T* X- o    但小弟看到一篇新的設計讓BJT的比例為1:10(有它的特殊用意)，
      小弟好奇那在LAYOUT上該怎麼佈局??

9 R& B6 l1 e: I  G) Z% k      請各位好心人給意見^^謝謝

YuanII

謝謝大大的回覆@@
小弟大概知道意思，
謝謝。

billlin

weak inversion gm=I/nVT , VT=25mV  -->(1)
strong inversion gm=2I/(gate driver)  -->(2)
; z; [* D+ t4 E# P# q  k- K所以直由公式直觀的算,
0 W7 |9 ?  T& N, m假設gate driver = 0.2V ..
, Y& s+ S6 R  b要得到相同的gm ... 公式(1)比較省電

billlin

想到其中一種排法消除階梯(gradient)與對稱(systematic)的error:
# ]9 F% `+ Z6 N* r* n' to代表dummy , X代表10的BJT , W代表1的BJT ..但比9宮格耗片積
o  X  o  X  o
X  X  o  o  X
o  o W o  o
8 E2 u# P, T$ x# GX o  o  X  X
o X  o  X  o