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[問題求助] ADS設計LNA問題

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1#
發表於 2012-3-10 10:15:29 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
本帖最後由 oscarf777xp 於 2012-3-10 10:17 AM 編輯
7 p8 W0 P! ~5 T8 k( x7 G+ p* A
- ^9 v" S- O; r! h各位先進大家好
! _1 C1 ]- d( {9 }
+ ~3 ]$ k% E" z" k2 K4 {: e3 B5 a! k小弟在網路上發現了一篇用ADS設計一5.2GHz的LNA實驗教學5 s; z3 b$ m* W, C6 j
, s; F, g! I4 @* E
其中在畫電路圖時有些疑問想請教各位
4 D" l8 q: v3 O2 ~( [! N0 ^8 `8 t! d  _+ B: w" ^
01.
. w9 N' r/ J$ e$ [/ B! ?2 \* R& P* w# |2 H5 m  t) S: ]0 I) f5 l
架構圖如上,我有疑問的點在於模擬時為什麼要加上下面這一串東西呢?
( z6 [3 F4 b3 K& S3 k# q$ S- b0 {( v* v* D. K, Q

, f, f( b) ^  u1 \+ j6 x4 N4 Q+ t02.第二個疑問的地方在於電阻的部分,如下圖所示5 {1 Z0 `* S  v3 R* m/ K+ X

/ w6 {: v8 ?$ ]2 I9 N" O" B  M
2 [. m0 y7 O1 P- n% s8 q我照著教學中的圖選用
" z# v2 g! |5 y0 x$ B9 E/ o
6 p4 i. R* F& D- _  F" B, }9 I1 _TSMC_CM018RF_RES_RF. R0 \6 X$ e9 ]& ^7 r' D- z9 _1 ]5 Z
Type=HRI P-Poly w/o silicide (1um<=W<=5um)(RF)
: W  x3 M5 E9 Tw=2 um
; `( H9 ~8 e( ~4 ]# o) D. |l=10 um
; F* `9 S. I" XR=5626.13 Ohm
5 L( p* a0 x% }$ i2 {9 J% j
5 v. F$ {4 i0 D' I" o' s但是ADS在設定l時不管我怎麼調整都沒辦法跟教學中的l一樣設定成10 um,不知道各位先進是否知道問題所在?
: Z% ~* D( ]4 Q" f  X" S
- ]0 I. S& G! l3 O03.小弟目前是個研究生,全實驗室我是第一個要做RFIC的,所以想請問CIC所提供的T18 ADS Design kits,裡頭的原件分別代表什麼意思與使用的時機,翻了Design kits裏頭的檔案,發現居然沒有說明。
$ s  @9 y) _% }. V; B& t" F" ?/ \7 F2 m1 g0 E
以上是我目前的一些問題,希望能有先進可為我解惑,感謝!
+ y" x) G5 g2 t& h& @8 q
, u/ S/ ]4 n# X# ^* q教學的檔案為附件

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2#
 樓主| 發表於 2012-3-14 16:45:48 | 只看該作者
沒人能替小弟我指點迷津嗎?
3#
發表於 2012-3-16 18:01:16 | 只看該作者
第二張圖是加在店員附近嗎~? 如果是的話有可能是濾電源雜訊,要選大電阻,在電阻上點兩下,右上角有個選項可下拉,越往下電阻可選越大~
4#
發表於 2012-3-16 18:01:28 | 只看該作者
第二張圖是加在店員附近嗎~? 如果是的話有可能是濾電源雜訊,要選大電阻,在電阻上點兩下,右上角有個選項可下拉,越往下電阻可選越大~
5#
發表於 2012-3-16 18:01:43 | 只看該作者
第二張圖是加在店員附近嗎~? 如果是的話有可能是濾電源雜訊,要選大電阻,在電阻上點兩下,右上角有個選項可下拉,越往下電阻可選越大~
6#
發表於 2012-3-16 18:01:59 | 只看該作者
第二張圖是加在店員附近嗎~? 如果是的話有可能是濾電源雜訊,要選大電阻,在電阻上點兩下,右上角有個選項可下拉,越往下電阻可選越大~
7#
發表於 2012-3-20 17:41:25 | 只看該作者
你的model是舊版的吧!!!* Y  [8 Q) g0 A3 h- K
我的V8.1版,有註明' ~% J, t, ]0 \. J5 e* [# U% C
Type=HRI P-Polu w/o silicide (1um<=W<=5um)(2um<=L=<=6.8um)RF
/ a- F8 x" ^$ ?# f. W最長只能用到6.8um而已。
8#
發表於 2012-3-20 17:43:40 | 只看該作者
試了一下,您可以調整一下,. S3 ^3 n8 M" g- G
改為W=1,L=4.77,5 `$ @8 x, _; i: c
會有最接近的值R=5628.28ohm。4 J" }0 z$ z# O- e1 n, N& P
也可以的。
9#
 樓主| 發表於 2012-3-20 17:49:41 | 只看該作者
哦,感謝二位回答!目前又遇到了另外一個問題
' `& g9 c+ I9 l% {3 Z8 j
: f3 h8 b' a% B0 [5 s使用T18的Design Kit電感的部分要如何計算值呢?是否有公式可以計算呢?* a. z5 Z8 q9 t$ }

4 _8 O, a" f: q我現在的方法是跑one port的S參數,然後用Z11看虛部,但是在DDS視窗打公式去計算電感plot出來的資料都會出現invalid說- G% P, f: E* s, T( ?* W

* T. q6 G$ ~) X3 O) a4 n! Y5 X我的公式是這樣打的:
: r) e) m* O1 E! N8 Y" qL=imag(Z11)/(2*PI*freq)
10#
發表於 2012-3-22 14:28:02 | 只看該作者
貼給你:9 N7 A! f3 e. D
Lin1=imag(Z(1,1))/(2*PI*freq)*1E+9- [: m: Y* L7 p; M! q5 E$ A
你應該還會用到Q值的計算:; _- p( P+ H4 T
Q1=imag(Z(1,1))/real(Z(1,1))2 X& ^5 V8 ~( c( ^
, t" B; `7 p: t) }6 x0 ^  }
其中,因為會用到Z參數,
, e6 h2 ?* }5 }& \! t記得還要到S parameter的instant中==>到parameters的分頁,* Z/ Y: X  v4 ~" U
把z-parematers打勾。
0 t7 f- y1 `; R$ f# z) D& _4 g以上,就可以了。
9 D8 Y: F( A1 |" h  O9 w% c' N1 V0 x請享用~~
11#
 樓主| 發表於 2012-3-22 16:27:05 | 只看該作者
感謝rayjay大!!+ t, H/ I) H; l, x# R% t5 M7 U. m

& J9 s. r  H4 Y8 h( L) `$ g9 f不好意思想再請教個問題,在ADS中我要如何去看CMOS的Cgs和gm呢?
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