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[問題求助] 如何選擇ESD Device Contact Type?

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1#
發表於 2011-12-29 17:10:38 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
本帖最後由 CHIP321 於 2011-12-29 05:17 PM 編輯   D0 j9 T2 S& g% R9 w

  W4 m, G; L, o2 d: h! Q, U  v- R1 [; S" G3 \, P3 E8 S
近來遇到了由於Contact導致電流密度不一緻的問題。7 F  x( }( D; T- I8 v! ^
查找了過去的一些Bipolar高壓片,發現很多使用的是長條矩形Cont或者Cont Ring,貌似應當有不錯的均勻性。2 m7 }- v- D7 ]7 \
但是咨詢了一些同仁,認爲 使用標準Cont Matrix會更均勻。、3 P" \' J9 f$ R& n. I& R3 P
迷惑中....
8 ]4 A4 c: b% c- x如果不考慮CMP製程限制,那種方法更有效些呢?
6 a( R+ W% h2 D0 a. E2 k
5 h& R; C5 f- k8 B, R; H, T: l; g9 Q

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2#
發表於 2012-1-31 11:31:28 | 只看該作者
這個問題也困擾我很久, 不知有前輩可以解答嗎?
3 K4 J7 {; a5 x2 W. t0 p
2 w& x) n( {7 |8 o2 A9 o" W6 \個人經驗, 有些製程有效, 不過可能要考慮parasitic path,
* O0 V) M5 q1 _0 i有些製程則使用contact matrix即可, 還有要考慮processs能力,% @: ]! l, x; G4 n
有些製程slit contact可能form不好, 造成ESD robustness unstable,
4 Y9 d( f# {. F* G# I這也是現實上要考量的.
1 C1 w( H- b. R% Q2 F# B
0 U4 w8 n1 y8 G+ O5 s  }一般而言如要高效能ESD ability還是選用ESD circuit來保護比較safe6 R+ V# `6 C4 }' a+ L$ d& p; j
不過有專利問題,這方面可能又要取捨了.
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