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[問題求助] 如何選擇ESD Device Contact Type?

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發表於 2011-12-29 17:10:38 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
本帖最後由 CHIP321 於 2011-12-29 05:17 PM 編輯
' z) U3 v4 s! ~' b; }1 W9 p* l
( D* m1 f( U1 ]7 {
/ W% o1 z( G( z% W" u( E; b9 V近來遇到了由於Contact導致電流密度不一緻的問題。% V$ f  p+ p+ k1 \
查找了過去的一些Bipolar高壓片,發現很多使用的是長條矩形Cont或者Cont Ring,貌似應當有不錯的均勻性。6 s# f; o. R- t2 G1 C
但是咨詢了一些同仁,認爲 使用標準Cont Matrix會更均勻。、
8 b# w+ H8 @: @迷惑中....
& m" ~; y7 r/ }6 W如果不考慮CMP製程限制,那種方法更有效些呢?7 H* C7 X! O1 m% o9 ], H# q9 _

, L  \( T, s0 K. ]8 x

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2#
發表於 2012-1-31 11:31:28 | 只看該作者
這個問題也困擾我很久, 不知有前輩可以解答嗎?
( S2 F$ b- t2 c- `
! D1 D' n/ e9 e3 t$ A9 o1 w7 `) m個人經驗, 有些製程有效, 不過可能要考慮parasitic path,. w7 m6 P; M7 l% c" f/ e( ]
有些製程則使用contact matrix即可, 還有要考慮processs能力,; f; c0 c1 C! }6 ^% h5 T' _# D
有些製程slit contact可能form不好, 造成ESD robustness unstable,; L* k$ m$ k/ q' K& Y
這也是現實上要考量的. 0 K& L, L) ~9 y8 E
$ D& M+ e$ i; p0 `/ v
一般而言如要高效能ESD ability還是選用ESD circuit來保護比較safe; d) w/ Y3 Q2 k7 H# g3 `6 r
不過有專利問題,這方面可能又要取捨了.
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