Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 5293|回復: 1
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 如何選擇ESD Device Contact Type?

[複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2011-12-29 17:10:38 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
本帖最後由 CHIP321 於 2011-12-29 05:17 PM 編輯 6 E5 `2 w. y+ {2 K* P1 E2 P2 x
, P, b4 E& X* I% h. u9 F7 Y. l
$ l/ [5 {8 ^9 |( [" c$ U4 w" q
近來遇到了由於Contact導致電流密度不一緻的問題。& M. {4 O. g+ N/ C* V/ n
查找了過去的一些Bipolar高壓片,發現很多使用的是長條矩形Cont或者Cont Ring,貌似應當有不錯的均勻性。
) ~0 u- J6 E5 n- q但是咨詢了一些同仁,認爲 使用標準Cont Matrix會更均勻。、
7 F( ~) t. z" ^迷惑中....
0 o$ \# {2 T) ^如果不考慮CMP製程限制,那種方法更有效些呢?! F. k) P& X; k1 m& e
3 m' W' t* t) O" a* |2 o' z4 H* ~

本帖子中包含更多資源

您需要 登錄 才可以下載或查看,沒有帳號?申請會員

x
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂 踩 分享分享
2#
發表於 2012-1-31 11:31:28 | 只看該作者
這個問題也困擾我很久, 不知有前輩可以解答嗎?
7 p" I) E9 Z2 i, a+ A& l5 Z
7 I: X: f1 o0 W  y1 D2 Z1 Q7 {0 m個人經驗, 有些製程有效, 不過可能要考慮parasitic path,- c5 [* k% Q9 v3 u. l
有些製程則使用contact matrix即可, 還有要考慮processs能力,2 I: c1 G4 T' g( d* G2 l: n
有些製程slit contact可能form不好, 造成ESD robustness unstable,
" q5 x! `( ]3 @( k6 O( X! C這也是現實上要考量的. # M5 N, D; x# c

/ A# E( Y$ Z% U1 m& \5 p一般而言如要高效能ESD ability還是選用ESD circuit來保護比較safe6 h/ g! E! [+ {, \7 |0 v
不過有專利問題,這方面可能又要取捨了.
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-5-23 12:16 AM , Processed in 0.104013 second(s), 19 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表