如何選擇ESD Device Contact Type？

CHIP321

; A6 m' y) E  k$ i+ x3 w近來遇到了由於Contact導致電流密度不一緻的問題。
2 T; y. P. W0 C5 ~7 b) Z1 f查找了過去的一些Bipolar高壓片，發現很多使用的是長條矩形Cont或者Cont Ring，貌似應當有不錯的均勻性。
但是咨詢了一些同仁，認爲 使用標準Cont Matrix會更均勻。、
迷惑中....
% d" S7 J, P% _) v' M, R4 |; E如果不考慮CMP製程限制，那種方法更有效些呢？
" X( c* R! p. O" X
& _  y: `/ c$ c. O& Q( E' m  J

sendow

這個問題也困擾我很久, 不知有前輩可以解答嗎?
* G2 E7 y( s; L1 C# a: {4 N
4 U8 M5 M8 \; f# |0 E個人經驗, 有些製程有效, 不過可能要考慮parasitic path,
0 L! X7 ^% A, Z+ a3 H有些製程則使用contact matrix即可, 還有要考慮processs能力,
有些製程slit contact可能form不好, 造成ESD robustness unstable,
# Z$ M* Q+ q. t1 h" {1 [這也是現實上要考量的.
- X+ M8 T/ e  l& ^7 T0 m, c  {$ x
一般而言如要高效能ESD ability還是選用ESD circuit來保護比較safe
) p" o8 W  N- f. U& U% E9 F不過有專利問題,這方面可能又要取捨了.