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[問題求助] 如何選擇ESD Device Contact Type?

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1#
發表於 2011-12-29 17:10:38 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
本帖最後由 CHIP321 於 2011-12-29 05:17 PM 編輯
; Q% p+ Q' F0 }6 m9 B+ A
. r7 J! r& }( w: R3 T) b: M  p. @7 Z8 H  z% i6 L8 y- {
近來遇到了由於Contact導致電流密度不一緻的問題。
) ~7 v; y2 ?' w- A3 r查找了過去的一些Bipolar高壓片,發現很多使用的是長條矩形Cont或者Cont Ring,貌似應當有不錯的均勻性。# Z( V( h2 l" u5 {
但是咨詢了一些同仁,認爲 使用標準Cont Matrix會更均勻。、
' i: C% z& |$ ^9 o; |; y迷惑中....6 I% K: g1 l' Q: ^9 {
如果不考慮CMP製程限制,那種方法更有效些呢?
" b1 A" K2 I4 l1 W
: H6 a+ d; ]- P6 S1 J

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2#
發表於 2012-1-31 11:31:28 | 只看該作者
這個問題也困擾我很久, 不知有前輩可以解答嗎?
  ?% S8 K% ~  Q% Y0 s0 {5 n. r) ^) r* y/ k- c* ]8 w
個人經驗, 有些製程有效, 不過可能要考慮parasitic path,* I! ~; \) P. o+ ]2 w" x9 Q
有些製程則使用contact matrix即可, 還有要考慮processs能力,, X5 M: k$ M. w9 S! g2 x
有些製程slit contact可能form不好, 造成ESD robustness unstable,
2 P( Z5 R9 J' @' n2 l7 L$ I; a/ C這也是現實上要考量的. * s. H5 }6 N* I* f+ a. g

% O8 }& W5 \- D% w8 v2 k0 y一般而言如要高效能ESD ability還是選用ESD circuit來保護比較safe: F* \3 i# u  |, Z1 P7 Y
不過有專利問題,這方面可能又要取捨了.
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