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[問題求助] 如何選擇ESD Device Contact Type?

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1#
發表於 2011-12-29 17:10:38 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
本帖最後由 CHIP321 於 2011-12-29 05:17 PM 編輯 # N3 D, N8 r& q: J' b3 o+ }) y2 d- W

* A" B6 u# ~, ?0 O) ?, P/ c" Q  j9 l& s% D
近來遇到了由於Contact導致電流密度不一緻的問題。7 j7 ~' l3 ~0 R3 e1 z, ^
查找了過去的一些Bipolar高壓片,發現很多使用的是長條矩形Cont或者Cont Ring,貌似應當有不錯的均勻性。+ x+ N6 L* C! ?- D8 ~
但是咨詢了一些同仁,認爲 使用標準Cont Matrix會更均勻。、
0 G, M3 i& y' X: `  P4 D迷惑中....% \" u+ H/ C% Q3 }. R- e: J
如果不考慮CMP製程限制,那種方法更有效些呢?4 b, }3 t  y7 w* @5 O/ f+ v

" [5 H' M2 w9 h3 y% v

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2#
發表於 2012-1-31 11:31:28 | 只看該作者
這個問題也困擾我很久, 不知有前輩可以解答嗎?3 Y1 I7 U( b: o- C  b$ e. J

# B' j4 j  ]1 c1 R9 r個人經驗, 有些製程有效, 不過可能要考慮parasitic path,. y5 r, T$ ~# G% M1 q, |
有些製程則使用contact matrix即可, 還有要考慮processs能力,
# X( l9 f, G/ U/ l有些製程slit contact可能form不好, 造成ESD robustness unstable,
% J, n+ `" {: Y4 y2 l* j# j這也是現實上要考量的. ! `/ Y3 O; @: p5 h
$ b; j( E: Y; a( c6 N
一般而言如要高效能ESD ability還是選用ESD circuit來保護比較safe
& [& J- m6 h- `+ Q不過有專利問題,這方面可能又要取捨了.
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