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[問題求助] 如何選擇ESD Device Contact Type?

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發表於 2011-12-29 17:10:38 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
本帖最後由 CHIP321 於 2011-12-29 05:17 PM 編輯 " n8 r" J* F( K# f  G8 ~0 c
" g( q. U3 S- s  @8 y
: w/ M" y, U9 T, q
近來遇到了由於Contact導致電流密度不一緻的問題。
+ k3 M5 Q$ ?2 p) I4 ^, X4 I2 {+ _. k查找了過去的一些Bipolar高壓片,發現很多使用的是長條矩形Cont或者Cont Ring,貌似應當有不錯的均勻性。  |* m" F& f3 h7 E/ s) g
但是咨詢了一些同仁,認爲 使用標準Cont Matrix會更均勻。、
6 R$ g" h- C, x2 B- {$ x7 \6 a0 b迷惑中....
8 [) x( O9 i9 [- ~' Z7 Y7 [  `如果不考慮CMP製程限制,那種方法更有效些呢?) A* g& T# n% i: C
3 F* S6 L' Y3 ?) l( W% g

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發表於 2012-1-31 11:31:28 | 顯示全部樓層
這個問題也困擾我很久, 不知有前輩可以解答嗎?. T+ I) `$ T% I/ R. [2 ]; a
2 i/ e/ O) J) L. o# ~9 o
個人經驗, 有些製程有效, 不過可能要考慮parasitic path," u7 Y& R/ p* b$ r: V
有些製程則使用contact matrix即可, 還有要考慮processs能力,
+ I7 U7 k( {1 t+ N3 z有些製程slit contact可能form不好, 造成ESD robustness unstable,! ~) E- l$ H5 w5 H  H; b1 y# Q
這也是現實上要考量的. + [& E2 [8 X; r( y

( @0 g8 ?% N) l) t/ K9 s一般而言如要高效能ESD ability還是選用ESD circuit來保護比較safe
7 K# \; H  ^0 m; c不過有專利問題,這方面可能又要取捨了.
發表於 2019-9-2 08:53:16 | 顯示全部樓層
有些製程則使用contact matrix即可~~~
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