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[問題求助] 如何選擇ESD Device Contact Type?

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1#
發表於 2011-12-29 17:10:38 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
本帖最後由 CHIP321 於 2011-12-29 05:17 PM 編輯
5 o' b7 S( W: [! Z9 ?
3 e5 \* e8 D7 D1 X7 i8 m: d  ]- w2 q/ r" Y5 f+ y
近來遇到了由於Contact導致電流密度不一緻的問題。
: b; f& M2 @( s; {: s查找了過去的一些Bipolar高壓片,發現很多使用的是長條矩形Cont或者Cont Ring,貌似應當有不錯的均勻性。
) x$ _8 I; c. E但是咨詢了一些同仁,認爲 使用標準Cont Matrix會更均勻。、: i# e! V1 V2 W& P* P
迷惑中..../ z: N4 Z7 W- m
如果不考慮CMP製程限制,那種方法更有效些呢?2 f5 @* v# ?, q, T
5 U% S, V) k& z- s" d  p

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2#
發表於 2012-1-31 11:31:28 | 只看該作者
這個問題也困擾我很久, 不知有前輩可以解答嗎?$ p7 m* b4 J, {; C8 _1 a
# L, ^4 E9 c7 B' h. T" a! q
個人經驗, 有些製程有效, 不過可能要考慮parasitic path,0 v, E5 H7 M4 q0 l
有些製程則使用contact matrix即可, 還有要考慮processs能力,
  A! {) g- {( t6 M% Q有些製程slit contact可能form不好, 造成ESD robustness unstable,
7 b+ z. P. F# E. G7 D6 P這也是現實上要考量的.
4 a2 `' `3 d% ?" n
; S5 y0 N1 M  V& {一般而言如要高效能ESD ability還是選用ESD circuit來保護比較safe
6 {2 T- |+ r3 o不過有專利問題,這方面可能又要取捨了.
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