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[問題求助] 請問如何使用 HSPICE 讓 32768Hz Xtal Oscillator 振盪?

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1#
發表於 2011-12-12 11:12:18 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
求助各位先進
$ B& I# S5 w# n9 z' u
! I5 m0 N1 q. a# `! u1 A" ], M本人在 TSMC 90nm 製程中- L9 c0 d2 U8 I9 P# B- X
使用 HSPICE 模擬 TSMC 提供的 32768Hz Xtal Oscillator circuit
9 ?2 ?* O3 v& K, X2 f( b遇到在高電壓(VDDPST33>1.2V)無法起振
% Q! U5 C/ Z2 c5 ]! d  B2 J+ z2 Y
4 _4 ], w" |1 u( v本人參考  "CMOS晶體震盪器模擬"
. }" [) p! D$ t" U2 Q2 a  g) x/ s1 uhttp://bbs.innoing.com/viewthrea ... mp;from=recommend_f: O3 ?+ \6 [( }; K) W8 @8 a/ `, C
其中幾種方法但扔無法起振6 F$ R0 V& ~9 Y% O, l  h
: }4 P: N" `1 ]2 L( z4 w: [
請問如何使用 HSPICE 讓 32768Hz Xtal Oscillator 振盪?
7 c& O  b3 _$ Q; [需在  .option 設定什麼參數?. P) N$ @. M1 v8 ]; [. k
HSPICE 版本是否有差異?
* j' x% \8 f/ N* _$ ^' f
+ z; d9 x, `8 o, X4 ]
( z$ H3 s. E4 j6 k9 Y/ f! U謝謝
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2#
 樓主| 發表於 2011-12-13 16:36:54 | 只看該作者
這幾天我試了
% |0 x$ `% S& @! E& C' K7 e9 t8 x- ?; Z% z# b1 M9 s8 w9 N
HSPICE 版本  A& W* F% L8 z, S- M
20020 Q3 B: p8 Q# f; e" s
2007
$ d6 c2 f  [2 C2008+ c# u! i# M  Y9 `  L. w
2011  |, _% C# u& ?. p( g7 q+ U0 I
* ]+ [0 i  ]6 M0 j( O$ Q/ E
adit 2006: u( i& J* t, L3 k1 E

# B! `% z# G( h' L) }: [" I.options delmax=3e-7! p6 L$ M8 L. H  J% n4 g* ~
(delmax < T/100); v7 ]8 B9 Z; a( ?
7 g4 j3 J# J8 P
結果還是 高電壓(VDDPST33>1.2V)無法起振
3#
 樓主| 發表於 2011-12-13 16:41:05 | 只看該作者
真是令人訥悶# V1 }+ A6 u1 d" A5 x8 {8 @/ h  _
愈高電壓 inverter  gm 愈大6 H" g6 ?6 k7 f# ^
應該愈容易起振........
( k3 X! W6 ?& C. W7 m再繼續努力吧
4#
 樓主| 發表於 2011-12-15 09:59:34 | 只看該作者
降低 crystal Q 值- w" K% t/ m9 G9 d: ?
雖在較高電壓會起振
2 Z$ Z  C+ a# I但振盪頻率不對
5#
 樓主| 發表於 2011-12-28 18:10:45 | 只看該作者
利用負電阻方法模擬1 G0 g9 I) u) L2 c; M- A6 g, p2 g2 h
可找出與 .tran 方法 起振的相對應關係
6#
發表於 2012-1-18 17:25:16 | 只看該作者
有下過.option accurate 了嗎?5 W  v& n  E/ ]! [2 K  G, D# D/ y
另外一個...-gm要大於xtal的阻值2~3倍...
: s6 ?( r5 r- o& \& L/ }時間拉長到10ms以上
7#
發表於 2012-2-2 12:00:50 | 只看該作者
這是我在option下的參數你參考一下吧/ ~, W% C4 O. L+ X/ R

  a: F0 E1 n0 O# O.option post probe nomod accurate acct=2 method=trap puretp
* I7 K6 |& |! m9 q) D! T7 f.tran 100n 1000m- j: c* s8 R: \- m7 g; C, ?
.op 1m
) h2 `/ F4 @! [; g; H: e, \* m: A" H  C# C: r2 p& r# Z! f
對於外掛crystal所找到相關的振盪設定的方法; s' _: j8 J) g
**************method1********************
" r3 R! e7 f0 e& M% f. Y+ \.SUBCKT cry_32k XIN XOUT
1 K# S$ q8 F& B# @* y& a' hCof XIN XOUT 1.5e-12
. g) ~: |' f& {- N7 P  tRo XIN N1 20272.5
( @+ T; _" u& p& F# \  d1 YCo N1 N2 0.003146e-12) [  r0 K8 J- a+ ~1 ^8 k
Lo N2 XOUT 7500.284 ic=0.1ua3 l6 Q6 k3 p5 [  W' {0 Y
.ENDS
$ F8 F" _1 C; H3 D6 F; |9 A) _  y% r**************method2********************
6 A- n. r5 l% ~  |  H1 C2 C*.SUBCKT cry_32k XIN XOUT: B+ e6 ]6 h: g3 N1 P$ [
*Cof XIN XOUT 1.5e-12
& {% v5 O4 O* W9 t*Ro XIN N1 20272.5# p' E9 N: J0 G: q, b+ K0 v8 E
*VSIN N1 NN1 sin(0 0.7k 32.768k 0.1n 8E4 0)
! ~. B6 q2 m6 @+ X5 o*Co NN1 N2 0.003146e-12
% ?3 C/ j/ q6 R2 ?; E/ _& w6 y*Lo N2 XOUT 7500.284
' s8 I0 B( \6 N8 }* {" v*.ENDS
; G( h* g2 K1 i2 M0 o- W**************method3********************8 K9 S2 g! ^3 N! p( E; k
*VPWRP PWRP gnd pwl(0 0 5m vdd33): b# C+ f* t2 x  I/ Q% K
*.ic v(xin=vdd33) v(xout=vdd33)
; Y& c& v9 ~6 Q* D9 ]# ~/ e: @
*.SUBCKT cry_32k XIN XOUT" B  B& c# }) y3 h. H7 P9 M
*Cof XIN XOUT 1.5e-12
% i: G( x; Y- e: L2 X: ^1 d" c*Ro XIN N1 20272.5
3 c6 k; ?& i% C( ]* s+ N*Co N1 N2 0.003146e-12
1 v& ]4 v  ?+ c6 ^2 j*Lo N2 XOUT 7500.284
5 c+ u1 W& Q+ Y# m2 l5 h5 K*.ENDS9 b+ `* @9 D* a% w5 r1 o
*****************************************
) t+ L* {  V5 u  |還有一個負電阻的模擬
( f3 O* `: s. Y4 O當負電阻滿足時才會起振
8#
發表於 2012-2-6 10:01:40 | 只看該作者
是不是你的gm过大,过大也将无法起振。
9#
發表於 2012-2-16 15:29:07 | 只看該作者
蠻奇怪的,建議你去參考另ㄧ篇"CMOS晶體震盪器模擬"(http://bbs.innoing.com/thread-8412-1-1.html)
  {5 z/ u: r6 I: u* @6 _看看吧,裡面會有你意想不到的收穫喔~
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