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[問題求助] Layout Design Rule Considerations:How to set up the Space of Rpoly?

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1#
發表於 2011-11-25 17:12:40 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
Layout Design Rule Considerations:How to set up the Space of Rpoly?+ N- ^# F& \: @5 @
. r( T: l0 Y1 {+ i" K3 M3 b
用於製作電阻的POLY間距在LDR中通常要遠大于GATE POLY的間距?較大的間距會帶來什麽收益?是出於PR的考慮or Etch的要求呢?
2 E: s  c* S* @8 x若是基於精度控制,爲何GATE POLY不做此項有求?
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2#
發表於 2011-11-25 17:44:24 | 只看該作者
1,FOX 比栅氧要厚,也就是 Etch的时候 接触面是要算立体的吧。FOX厚多少 宽度自然要加多少。3 m! P8 F; _# M) E! G5 P
2,Rploy 是生长在场氧上(FOX),相对栅氧是不平整的。距离大“翘起”效应低一点。3 V' Z6 u- g, D  {7 }! @
个人的一点浅见,多多指教。
3#
發表於 2011-12-1 01:46:04 | 只看該作者
goooooooooooooooooooooooooooooooood
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