bjt 的 layout

ben13949

請問 PDK 中的 BJT 射極的部份
2 O4 P( U2 @: U2 ]5 E7 d0 t
CT 和 OD有一段距離
( n" b3 {! U, {/ c6 S
留那段距離目的是為甚麼?

ben13949

我再補充一下問題
5 \% G) ~& c3 ^4 q" E$ @/ A
我的意思是射極上的CT 沒有打到最滿
# u8 I  K# f  |
* F- [. n; ]( p- {* U離邊緣還可以打上3個左右

m851055

CT是哪一層layer?
NPN or PNP?

CHIP321

# r: _4 H" t# M& ]- v8 Y% b+ y2 _Cont 在CMOS兼容工艺中可能考量的不是太多，因为会在整个区域做saliside等硅化措施。但是如果要严格的说的话，cont的位置，cont的深度及结构本身是会对射级注入效率产生影响的。所以Desgin 需要遵循 DRC Rule，不能随意更改，另外你这里提到的估计应当是纵向管，接触位于射极中心，会减少射极的横向（侧边）注入，在不变更三层结结构，尺寸下，能额外提升发射极效率。很多BiCmos中会使用一个Contact来做射极连接。其他寄生还会有些利弊影响，可能不是主要考量因素。这是我暂时能想到的，供LZ参考，不当处请批判指正。