IC內部電容

ffsher100

請問一下大家知道關於IC內部的電容大約可以做到多大
( K$ j$ }" S3 }: n3 b+ J4 m$ t/ H
我是有聽人家提過IC內部無法做大電容
) H# u1 I/ D0 j, s( [
所以一般regulator的input才需要加>1uF的電容來穩壓

所以想知道IC內部....若可以的話淤可以做到多大的電容式極限?

c3a1t039

這要看製程的設定，但是你到1uF真的算很大，可能你整個IC一半以上都是電容，而且花大錢做一個電容，你不考慮外接嗎?

ffsher100

你好....我只是想問知道說一般在ic內部的電容
- d  O, U8 H  d/ S+ J3 |' G在一般的應用上範圍是多少....會不會有uF等級的
# z4 e% G: \: U0 j) y+ w. k就如c3a1t039所提到的1uF可能會用到半顆IC
/ D, }& S  \3 F* F8 v$ ~0 m2 b就一定不切實際....
是否幾百pF~幾十nF算是比較正常的合理範圍

finster

若以PLL而言,可以接受的範圍大概在200pf以下,超過200pf以上就太大了
; v  w) N: v- r若以driver而言,大概在數pf就還可接受,若超過10pf以上,就太大了
若以regulator而言,通常不會超過數百pf,因為2/3以上的面積幾乎都給output driver給佔去了,電容只佔一小小部份而以
6 P1 y: g; Z8 T, \. j/ A# J# B7 K4 V數百pf~幾十nf以上電容,實屬太大,一般都不會這個樣子作,除非採用倍增電容的架構,既可省面積又可達到高電容的要求,但缺點是不準